公开(公告)号：US07652774B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11953853

申请日：2007-12-10

申请人： Lei Lian ,  Matthew F Davis

发明人： Lei Lian ,  Matthew F Davis

IPC分类号： G01B11/02 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01J37/32935 ,  G01B11/0675 ,  G01B11/0683 ,  H01J37/32963

摘要： In determining an endpoint of etching a substrate, light that is directed toward the substrate is reflected from the substrate. A wavelength of the light is selected to locally maximize the intensity of the reflected light at an initial time point of the etching process. The reflected light is detected to determine an endpoint of the substrate etching process.

摘要翻译： 在确定蚀刻衬底的端点时，指向衬底的光从衬底反射。 选择光的波长以在蚀刻处理的初始时间点局部地最大化反射光的强度。 检测反射光以确定基板蚀刻工艺的端点。

公开(公告)号：US07393459B2

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US10939158

申请日：2004-09-10

申请人： Matthew F Davis ,  Lei Lian ,  Quentin E. Walker

发明人： Matthew F Davis ,  Lei Lian ,  Quentin E. Walker

IPC分类号： G01L21/30 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01J37/32972 ,  G01B11/24 ,  G01N21/45 ,  G01N21/55 ,  G01N21/8422 ,  G01N2021/8416 ,  G01N2201/1222 ,  G01N2201/129 ,  H01J37/32935

摘要： A method for automatic determination of a state of a substrate in a plasma processing chamber is provided. Substrate reflectance data is collected in a processing chamber prior to processing to be analyzed with reference reflectance data to determine if the substrate state meets a control criterion. The substrate state may define the thickness and the qualities of the films on the substrate, the critical dimensions of the different layers on the substrate. The reflectance data is analyzed using a multi-variant analysis technique, such as principle component analysis. In addition to analyzing substrate state prior to processing, substrate reflectance could also be collected in a processing chamber during processing to be analyzed with reference reflectance data to further determine if the substrate state and/or the substrate processing are meeting a control criterion.

摘要翻译： 提供了一种用于自动确定等离子体处理室中的基板的状态的方法。 在处理之前将基板反射率数据收集在处理室中，以用参考反射率数据进行分析，以确定基板状态是否满足控制标准。 衬底状态可以限定衬底上的膜的厚度和质量，衬底上不同层的临界尺寸。 使用多变量分析技术（如主成分分析）分析反射率数据。 除了在处理之前分析衬底状态之外，衬底反射率也可以在处理期间被收集在处理室中，以用参考反射率数据进行分析，以进一步确定衬底状态和/或衬底处理是否满足控制标准。