公开(公告)号：US06576358B2

公开(公告)日：2003-06-10

申请号：US09822018

申请日：2001-03-30

申请人： Ulrich Gebhardt ,  Rainer Leuschner ,  Matthias Lipinski ,  Manfred Waidhas

发明人： Ulrich Gebhardt ,  Rainer Leuschner ,  Matthias Lipinski ,  Manfred Waidhas

IPC分类号： H01M804

CPC分类号： H01M8/1004 ,  H01M8/04156 ,  H01M8/04291 ,  H01M2300/0082

摘要： Discharging the reaction water from the novel PEM fuel cells does not require humidification of the reaction gases or an increase in the gas pressure. This is attained in that a hydrophobic layer on the cathode side is used which has a smaller pore size than the layer on the anode side. The reaction water is removed via the anode during the operation of the fuel cell.

摘要翻译： 从新型PEM燃料电池排出反应水不需要加湿反应气体或增加气体压力。 这是通过使用阴极侧的疏水层，其具有比阳极侧的层更小的孔径。 在燃料电池运行期间，反应水通过阳极被去除。

公开(公告)号：US07223525B2

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：US10970483

申请日：2004-10-21

申请人： Matthias Lipinski

发明人： Matthias Lipinski

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  B05D5/00 ,  C23C28/00

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/31144

摘要： A process for generating a hard mask for the patterning of a first layer includes applying a second layer, which includes carbon, to the first layer that is to be patterned. A third layer, which includes silicon and carbon, is spun onto the second layer and an organic antireflection coating layer that is to be used with an overlying photoresist layer patternable using 193 nm technology, is appllied to the spun-on third layer.

摘要翻译： 用于产生用于第一层的图案化的硬掩模的工艺包括将第二层（包括碳）施加到待图案化的第一层。 包括硅和碳的第三层被旋涂到第二层上，并且与使用193nm技术可图案化的上覆光致抗蚀剂层一起使用的有机抗反射涂层被应用于纺丝第三层。

公开(公告)号：US20050106478A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10970483

申请日：2004-10-21

申请人： Matthias Lipinski

发明人： Matthias Lipinski

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/31144

摘要： A process for generating a hard mask for the patterning of a first layer includes applying a second layer, which includes carbon, to the first layer that is to be patterned. A third layer, which includes silicon and carbon, is spun onto the second layer and an organic antireflection coating layer is applied to the spun-on third layer.

摘要翻译： 用于产生用于第一层的图案化的硬掩模的工艺包括将第二层（包括碳）施加到待图案化的第一层。 包括硅和碳的第三层被旋转到第二层上，并且将有机抗反射涂层施加到纺丝的第三层上。

公开(公告)号：US06503655B1

公开(公告)日：2003-01-07

申请号：US09575058

申请日：2000-05-19

申请人： Raino Petricevic ,  Jochen Fricke ,  Rainer Leuschner ,  Matthias Lipinski

发明人： Raino Petricevic ,  Jochen Fricke ,  Rainer Leuschner ,  Matthias Lipinski

IPC分类号： H01M486

CPC分类号： H01M4/96 ,  C04B38/0022 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/31728 ,  Y10T428/31786 ,  C04B35/52 ,  C04B38/0045

摘要： A thin, flat, and porous carbon gas diffusion electrode having a side in contact with a supply of gas and a side in contact with an electrolyte, comprises a pyrolysis product of a composite of an organic aerogel or xerogel and a reinforcing skeleton consisting at least in part of organic material. The porosity of the carbon gas diffusion electrode according to the invention can be regulated at will while the surface of the electrode is smooth.

摘要翻译： 具有与气体供应侧和与电解质接触的一侧接触的薄的，平坦且多孔的碳气体扩散电极包括有机气凝胶或干凝胶的复合材料和至少包含的增强骨架的热解产物 部分有机材料。 根据本发明的碳气体扩散电极的孔隙率可以随意调节，同时电极表面光滑。

公开(公告)号：US06361666B1

公开(公告)日：2002-03-26

申请号：US09575006

申请日：2000-05-19

申请人： Matthias Lipinski ,  Rainer Leuschner

发明人： Matthias Lipinski ,  Rainer Leuschner

IPC分类号： C25B1100

CPC分类号： C04B38/0022 ,  H01M4/86 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249961 ,  Y10T428/249962 ,  Y10T428/249965 ,  Y10T428/249994 ,  Y10T428/31761

摘要： A gas diffusion electrode made of carbon, a process for producing an electrode and a carbonizable composite are provided. Thin, flat, porous gas diffusion electrodes made of carbon, which have a smooth surface and in which the porosity can be regulated at will, are obtained by pyrolysis of a composite of an organic polymer having a spatial globular structure (SGS polymer) and a reinforcing skeleton formed at least in part of organic material.

摘要翻译： 提供由碳制成的气体扩散电极，电极制造方法和可碳化复合体。 通过热分解具有空间球状结构的有机聚合物（SGS聚合物）和（cSS）聚合物）的复合物，可以获得具有光滑表面并且可随意调节孔隙率的碳制成的薄，扁平多孔气体扩散电极 至少部分由有机材料形成的增强骨架。

公开(公告)号：US06815364B2

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：US09967795

申请日：2001-09-28

申请人： George Stojakovic ,  Matthias Lipinski

发明人： George Stojakovic ,  Matthias Lipinski

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838

摘要： Disclosed is a method of tungsten-based hard mask etching of a wafer, comprising providing a patterned tungsten-based hard mask atop a metal-based surface of said wafer, etching through said pattern with a plasma etch that is selective for said metal-based surface with respect to tungsten, and executing a flash etch selective for tungsten, said etch of at least a minimum duration effective in removing substantially all defects caused by tungsten particulate contaminating said wafer. In another aspect of the first embodiment, said tungsten-based hard mask comprises a material selected from tungsten or an alloy thereof. In another aspect of the first embodiment, said metal based surface comprises a material selected from aluminum or an alloy thereof.

摘要翻译： 公开了一种对晶片进行钨基硬掩模蚀刻的方法，包括在所述晶片的基于金属的表面顶部提供图案化的钨基硬掩模，通过所述图案蚀刻，所述等离子体刻蚀对所述金属基有选择性 相对于钨的表面，以及执行对钨的选择性的闪光蚀刻，所述蚀刻至少有效地消除由污染所述晶片的钨颗粒引起的所有缺陷的至少最小持续时间。 在第一实施例的另一方面，所述钨基硬掩模包括选自钨或其合金的材料。 在第一实施例的另一方面，所述金属基表面包括选自铝或其合金的材料。