公开(公告)号：US20110269278A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12963753

申请日：2010-12-09

申请人： Jan Hoentschel ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Thilo Scheiper

发明人： Jan Hoentschel ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Thilo Scheiper

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7847

摘要： In sophisticated semiconductor devices, stress memorization techniques may be applied on the basis of a silicon nitride material, which may be subsequently modified into a low-k dielectric material in order to obtain low-k spacer elements, thereby enhancing performance of sophisticated semiconductor devices. The modification of the initial silicon nitride-based spacer material may be accomplished on the basis of an oxygen implantation process.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，可以在氮化硅材料的基础上施加应力记忆技术，氮化硅材料可随后被修改为低k电介质材料，以便获得低k间隔元件，从而提高复杂的半导体器件的性能。 初始氮化硅基隔离材料的修改可以在氧注入工艺的基础上完成。

公开(公告)号：US20110266633A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12963364

申请日：2010-12-08

申请人： Sven Beyer ,  Klaus Hempel ,  Roland Stejskal ,  Andy Wei ,  Thilo Scheiper ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Jan Hoentschel

发明人： Sven Beyer ,  Klaus Hempel ,  Roland Stejskal ,  Andy Wei ,  Thilo Scheiper ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Jan Hoentschel

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a replacement gate approach, the semiconductor material or at least a significant portion thereof in a non-transistor structure, such as a precision resistor, an electronic fuse and the like, may be preserved upon replacing the semiconductor material in the gate electrode structures. To this end, an appropriate dielectric material may be provided at least prior to the removal of the semiconductor material in the gate electrode structures, without requiring significant modifications of established replacement gate approaches.

摘要翻译： 在替代栅极方法中，可以在更换栅电极结构中的半导体材料时保留半导体材料或其非晶体管结构中的至少其重要部分，例如精密电阻器，电子熔丝等。 为此，可以至少在去除栅电极结构中的半导体材料之前提供适当的介电材料，而不需要对建立的替代栅极方法进行显着的修改。

公开(公告)号：US20110241124A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12941185

申请日：2010-11-08

申请人： Andreas Kurz ,  Andy Wei ,  Christoph Schwan

发明人： Andreas Kurz ,  Andy Wei ,  Christoph Schwan

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/28518 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor-based electronic fuse may be provided in a sophisticated semiconductor device having a bulk configuration by appropriately embedding the electronic fuse into a semiconductor material of reduced heat conductivity. For example, a silicon/germanium fuse region may be provided in the silicon base material. Consequently, sophisticated gate electrode structures may be formed on the basis of replacement gate approaches on bulk devices substantially without affecting the electronic characteristics of the electronic fuses.

摘要翻译： 可以通过将电子熔丝适当地嵌入到具有降低的导热性的半导体材料中，在具有大体积配置的复杂半导体器件中提供半导体基电子熔断器。 例如，可以在硅基材中提供硅/锗熔丝区域。 因此，可以在大容量装置上的替代栅极接近的基础上形成复杂的栅极电极结构，而不影响电子熔断器的电子特性。

公开(公告)号：US20110241086A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12941595

申请日：2010-11-08

申请人： Andreas Kurz ,  Christoph Schwan ,  Jan Hoentschel

发明人： Andreas Kurz ,  Christoph Schwan ,  Jan Hoentschel

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated semiconductor devices, electronic fuses may be provided on the basis of a replacement gate approach by using the aluminum material as an efficient metal for inducing electromigration in the electronic fuses. The electronic fuse may be formed on an isolation structure, thereby providing an efficient thermal decoupling of the electronic fuse from the semiconductor material and the substrate material, thereby enabling the provision of efficient electronic fuses in a bulk configuration, while avoiding incorporation of fuses into the metallization system.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，可以通过使用铝材料作为用于在电子熔丝中诱导电迁移的有效金属的替代栅极方法来提供电子熔丝。 电子熔断器可以形成在隔离结构上，从而提供电子熔断器与半导体材料和衬底材料的有效的热解耦，从而使得能够以大体积配置提供有效的电子保险丝，同时避免将熔丝引入 金属化系统。

公开(公告)号：USD757796S1

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：US29497656

申请日：2014-07-27

申请人： Andreas Kurz ,  Benjamin Baldauf ,  Stefan Manke ,  Andreas Dreger ,  Jenny Voelpel ,  Sigrid Ackermann ,  Stephanie Haeusler

设计人： Andreas Kurz ,  Benjamin Baldauf ,  Stefan Manke ,  Andreas Dreger ,  Jenny Voelpel ,  Sigrid Ackermann ,  Stephanie Haeusler

公开(公告)号：US08564089B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12941595

申请日：2010-11-08

申请人： Andreas Kurz ,  Christoph Schwan ,  Jan Hoentschel

发明人： Andreas Kurz ,  Christoph Schwan ,  Jan Hoentschel

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated semiconductor devices, electronic fuses may be provided on the basis of a replacement gate approach by using the aluminum material as an efficient metal for inducing electromigration in the electronic fuses. The electronic fuse may be formed on an isolation structure, thereby providing an efficient thermal decoupling of the electronic fuse from the semiconductor material and the substrate material, thereby enabling the provision of efficient electronic fuses in a bulk configuration, while avoiding incorporation of fuses into the metallization system.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，可以通过使用铝材料作为用于在电子熔丝中诱导电迁移的有效金属的替代栅极方法来提供电子熔丝。 电子熔断器可以形成在隔离结构上，从而提供电子熔断器与半导体材料和衬底材料的有效的热解耦，从而使得能够以大体积配置提供有效的电子保险丝，同时避免将熔丝引入 金属化系统。

公开(公告)号：US08426266B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12963753

申请日：2010-12-09

申请人： Jan Hoentschel ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Thilo Scheiper

发明人： Jan Hoentschel ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Thilo Scheiper

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/268 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7847

摘要： In sophisticated semiconductor devices, stress memorization techniques may be applied on the basis of a silicon nitride material, which may be subsequently modified into a low-k dielectric material in order to obtain low-k spacer elements, thereby enhancing performance of sophisticated semiconductor devices. The modification of the initial silicon nitride-based spacer material may be accomplished on the basis of an oxygen implantation process.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，可以在氮化硅材料的基础上施加应力记忆技术，氮化硅材料可随后被修改为低k电介质材料，以便获得低k间隔元件，从而提高复杂的半导体器件的性能。 初始氮化硅基隔离材料的修改可以在氧注入工艺的基础上完成。

公开(公告)号：US08258053B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12900578

申请日：2010-10-08

申请人： Stephan Kronholz ,  Matthias Kessler ,  Andreas Kurz

发明人： Stephan Kronholz ,  Matthias Kessler ,  Andreas Kurz

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

摘要： In sophisticated semiconductor devices including transistors having a high-k metal gate electrode structure, disposable spacers may be provided on the encapsulating spacer element with a reduced width so as to not unduly increase a lateral offset of a strain-inducing material to be incorporated into the active region. For this purpose, a multi-layer deposition may be used in combination with a low pressure CVD process.

摘要翻译： 在包括具有高k金属栅电极结构的晶体管的复杂半导体器件中，可以在封装间隔元件上设置一个减小的宽度的一次性间隔件，以便不会过度地增加应变诱导材料的横向偏移 活跃区域。 为此，多层沉积可以与低压CVD工艺结合使用。

公开(公告)号：US20100301423A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12473074

申请日：2009-05-27

申请人： Kaveri Mathur ,  James F. Buller ,  Andreas Kurz

发明人： Kaveri Mathur ,  James F. Buller ,  Andreas Kurz

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L27/0738 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/66166

摘要： Semiconductor devices are formed with reduced variability between close proximity resistors, improved end resistances, and reduced random dopant mismatch. Embodiments include ion implanting a dopant, such as B, at a relatively high dosage, e.g. about 4 to about 6 keV, and at a relatively low implant energy, e.g., about 1.5 to about 2E15/cm2.

摘要翻译： 半导体器件形成在近距离电阻之间具有降低的变异性，改善的端电阻和减少的随机掺杂物失配。 实施例包括以相当高的剂量例如离子注入掺杂剂，例如B。 约4至约6keV，并且在相对较低的注入能量下，例如约1.5至约2E15 / cm 2。