公开(公告)号：US5705973A

公开(公告)日：1998-01-06

申请号：US702961

申请日：1996-08-26

申请人： Samuel W. Yuan ,  Hua-Ching Tong ,  Francis H. Liu ,  Minshen Tan

发明人： Samuel W. Yuan ,  Hua-Ching Tong ,  Francis H. Liu ,  Minshen Tan

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/00 ,  G01B7/14 ,  G01B5/37

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08 ,  G11B2005/3996 ,  G11B5/3954

摘要： A giant magnetoresistive dual spin valve sensor employs at least one magnetic biasing layer located adjacent to an antiferromagnetic layer in the spin valve structure which includes two pinned ferromagnetic layers. The antiferromagnetic layer simultaneously pins the biasing layer and the ferromagnetic layer nearest the antiferromagnetic layer. This structure eliminates the bias point offset present in prior dual spin valve sensors.

摘要翻译： 巨磁阻双自旋阀传感器采用至少一个位于自旋阀结构内的反铁磁性层附近的磁偏置层，其包括两个固定的铁磁层。 反铁磁层同时引导偏置层和最靠近反铁磁层的铁磁层。 该结构消除了现有双自旋阀传感器中存在的偏置点偏移。

公开(公告)号：US5529814A

公开(公告)日：1996-06-25

申请号：US547694

申请日：1995-10-19

申请人： Minshen Tan ,  Hua-Ching Tong ,  Swie-In Tan

发明人： Minshen Tan ,  Hua-Ching Tong ,  Swie-In Tan

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/84 ,  B05D1/02

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11B5/84

摘要： Exchange coupled magnetic thin films are produced by depositing an antiferromagnetic layer, followed by deposition of a layer of ferromagnetic material on the antiferromagnetic layer. The composite antiferromagnetic/ferromagnetic structure is then annealed at an elevated temperature for a predetermined length of time. This process results in considerably higher exchange coupling fields than obtainable before. Alternatively, the antiferromagnetic layer may be annealed prior to deposition of the ferromagnetic layer.

摘要翻译： 交换耦合的磁性薄膜是通过沉积反铁磁性层，随后在反铁磁性层上沉积一层铁磁材料制成的。 然后将复合反铁磁/铁磁结构在升高的温度下退火预定的时间长度。 该过程导致比以前可获得的交换耦合场相当高的交换耦合场。 或者，反铁磁层可以在沉积铁磁层之前退火。