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    Magnetic Device Definition with Uniform Biasing Control
    33.
    发明申请
    Magnetic Device Definition with Uniform Biasing Control 有权
    具有均匀偏置控制的磁性装置定义

    公开(公告)号：US20110006033A1

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：US12502180

    申请日：2009-07-13

    申请人： Xilin Peng ,  Stacey Wakeham ,  Yifan Zhang ,  Zhongyan Wang ,  Konstantin Nikolaev ,  Mark Henry Ostrowski ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    发明人： Xilin Peng ,  Stacey Wakeham ,  Yifan Zhang ,  Zhongyan Wang ,  Konstantin Nikolaev ,  Mark Henry Ostrowski ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    IPC分类号： B44C1/22

    CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967

    摘要： A method of fabricating a magnetic device is described. A mask removing layer is formed on a layered sensing stack and a hard mask layer is formed on the mask removing layer. A first reactive ion etch is performed with a non-oxygen-based chemistry to define the hard mask layer using an imaged layer formed on the hard mask layer as a mask. A second reactive ion etch is performed with an oxygen-based chemistry to define the mask removing stop layer using the defined hard mask layer as a mask. A third reactive ion etch is performed to define the layered sensing stack using the hard mask layer as a mask. The third reactive ion etch includes an etching chemistry that performs at a lower etching rate on the hard mask layer than on the layered sensing stack.

    摘要翻译： 描述制造磁性装置的方法。 在层叠感测堆叠上形成掩模移除层，并且在掩模移除层上形成硬掩模层。 使用非氧基化学法进行第一反应离子蚀刻，以使用形成在硬掩模层上的成像层作为掩模来限定硬掩模层。 使用氧基化学法进行第二反应离子蚀刻，以使用限定的硬掩模层作为掩模来限定掩模去除停止层。 执行第三反应离子蚀刻以使用硬掩模层作为掩模来定义分层感测堆叠。 第三反应离子蚀刻包括蚀刻化学品，其在硬掩模层上的蚀刻速率低于分层感测叠层。

    CCP-CPP MAGNETORESISTIVE READER WITH HIGH GMR VALUE
    34.
    发明申请
    CCP-CPP MAGNETORESISTIVE READER WITH HIGH GMR VALUE 有权
    具有高GMR值的CCP-CPP磁电读取器

    公开(公告)号：US20100330394A1

    公开(公告)日：2010-12-30

    申请号：US12491936

    申请日：2009-06-25

    申请人： Qing He ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    发明人： Qing He ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    IPC分类号： G11B5/39 ,  B05D5/12 ,  C23C14/34

    CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： A magnetoresistive device having a high giant magnetoresistance (GMR) value and a moderate low resistance area product (RA) includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a current confined path (CCP) spacer layer positioned between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The spacer layer includes copper current confined paths extending between the first magnetic layer and the second magnetic layer in a matrix of magnesium oxide. The spacer layer is formed by a mixture copper and magnesium oxide, which is heattreated to form the copper current confined paths within the magnesium oxide matrix.

    摘要翻译： 具有高巨磁阻（GMR）值和中等低电阻面积乘积（RA）的磁阻器件包括位于第一磁性层和第一磁阻层之间的第一磁性层，第二磁性层和电流限制路径（CCP） 第二磁性层。 间隔层包括在氧化镁基质中在第一磁性层和第二磁性层之间延伸的铜电流限制路径。 间隔层由铜和氧化镁混合物形成，其被热处理以在氧化镁基质内形成铜电流限制路径。

    Data reader with heusler alloy reference lamination
    36.
    发明授权
    Data reader with heusler alloy reference lamination 有权
    数据读取器与heusler合金参考层压

    公开(公告)号：US08675319B2

    公开(公告)日：2014-03-18

    申请号：US13556983

    申请日：2012-07-24

    申请人： Qing He ,  Konstantin Nikolaev ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    发明人： Qing He ,  Konstantin Nikolaev ,  Hao Meng ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  H01L43/10

    摘要： In some embodiments, a current perpendicular to the plane giant magneto-resistance (CPP GMR) read sensor may include a reference layer and/or a free layer that includes a plurality of sub-layers. For example, at least one of the reference layer or free layer may include a first ferromagnetic sub-layer, a second ferromagnetic sub-layer, and a Heusler alloy layer located between the first ferromagnetic sub-layer and the second ferromagnetic sub-layer. In some embodiments, a CPP GMR read sensor may include a current closed path (CCP) spacer layer between the reference layer and the free layer. The CCP spacer layer may include Ag and Al2O3. In further embodiments, a CPP GMR read sensor may include a Heusler alloy free layer, a Heusler alloy reference layer, and a CCP spacer layer.

    摘要翻译： 在一些实施例中，垂直于平面巨磁阻（CPP GMR）读取传感器的电流可以包括参考层和/或包括多个子层的自由层。 例如，参考层或自由层中的至少一个可以包括位于第一铁磁子层和第二铁磁子层之间的第一铁磁子层，第二铁磁子层和Heusler合金层。 在一些实施例中，CPP GMR读取传感器可以包括参考层和自由层之间的当前封闭路径（CCP）间隔层。 CCP间隔层可以包括Ag和Al 2 O 3。 在另外的实施例中，CPP GMR读取传感器可以包括Heusler合金自由层，Heusler合金参考层和CCP间隔层。

    WATERWAY SWITCH DEVICE
    37.
    发明申请
    WATERWAY SWITCH DEVICE 有权
    水路开关装置

    公开(公告)号：US20130263950A1

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：US13994049

    申请日：2011-12-21

    申请人： Huasong Zhou ,  Yonghua Chen ,  Hui Huang ,  Dongying Cheng

    发明人： Huasong Zhou ,  Yonghua Chen ,  Hui Huang ,  Dongying Cheng

    IPC分类号： F16K31/46

    CPC分类号： F16K31/465 ,  B05B1/1663 ,  B05B1/18 ,  E03C1/023 ,  E03C1/0408 ,  F16K11/0445 ,  Y10T137/86493 ,  Y10T137/86879 ,  Y10T137/87788

    摘要： A waterway switch device has a waterway mechanism, an execution part, an operation part and a transmission part. The waterway mechanism has a main body, and an inlet and a plurality of outlets are arranged on the main body. The execution part is mounted in the main body and has a moving piece, and at least the switch of the outlets to the inlet can be achieved through the relative movement between the moving piece and the main body. The operation part has a handle. The transmission part has a wire rope, one end of the wire rope is connected with the moving piece, the other end is connected with the handle in a transmission manner. The handle rotates relatively, and the wire rope is driven to move, and the moving piece can move relative to the main body.

    摘要翻译： 水路开关装置具有水路机构，执行部，操作部和变速部。 水路机构具有主体，并且主体上设置有入口和多个出口。 执行部分安装在主体中并且具有移动件，并且至少可以通过移动件和主体之间的相对运动来实现出口到入口的开关。 操作部分具有手柄。 传动部分具有钢丝绳，钢丝索的一端与移动件连接，另一端以传动方式与手柄连接。 手柄相对旋转，钢丝绳被驱动移动，移动片相对于主体移动。

    Sliding switch outlet mechanism
    39.
    发明授权
    Sliding switch outlet mechanism 有权
    滑动开关出口机构

    公开(公告)号：US08919380B2

    公开(公告)日：2014-12-30

    申请号：US13813486

    申请日：2011-08-18

    申请人： Huasong Zhou ,  Yonghua Chen ,  Haisong Peng ,  Jianmin Chen

    发明人： Huasong Zhou ,  Yonghua Chen ,  Haisong Peng ,  Jianmin Chen

    IPC分类号： F16K11/02 ,  B05B1/16 ,  F16K11/044 ,  F16K11/07 ,  B05B1/18

    CPC分类号： F16K11/02 ,  B05B1/1618 ,  B05B1/18 ,  F16K11/044 ,  F16K11/07 ,  Y10T137/86879 ,  Y10T137/86895

    摘要： A sliding switch outlet mechanism has a sliding unit and a fixed unit. The sliding unit is provided with an inlet cavity and two outlet ends, the inlet cavity is provided with a first and a second end face, the fixed unit comprises an inlet and a sleeve body, the inlet is communicated with the inlet cavity, the inlet cavity of the sliding unit slides axially between two locating positions with respect to the sleeve body, when the inlet cavity is at the first locating position, the second end face is connected to the sleeve body in a sealing manner, and water comes out of the first outlet end, and when the inlet cavity is at the second locating position, the first end face is connected to the sleeve body in a sealing manner, and water comes out of the second outlet end.

    摘要翻译： 滑动开关出口机构具有滑动单元和固定单元。 滑动单元设置有入口腔和两个出口端，入口腔设置有第一和第二端面，固定单元包括入口和套筒本体，入口与入口腔连通，入口 当入口腔处于第一定位位置时，滑动单元的空腔在相对于套管主体的两个定位位置之间轴向滑动，第二端面以密封方式连接到套筒主体，并且水从 第一出口端，并且当入口腔处于第二定位位置时，第一端面以密封方式连接到套筒本体，并且水从第二出口端排出。

    CCP-CPP magnetoresistive reader with high GMR value
    40.
    发明授权
    CCP-CPP magnetoresistive reader with high GMR value 有权
    具有高GMR值的CCP-CPP磁阻读取器

    公开(公告)号：US08551626B2

    公开(公告)日：2013-10-08

    申请号：US12491936

    申请日：2009-06-25

    申请人： Qing He ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    发明人： Qing He ,  Yonghua Chen ,  Juren Ding

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

    摘要： A magnetoresistive device having a high giant magnetoresistance (GMR) value and a moderate low resistance area product (RA) includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a current confined path (CCP) spacer layer positioned between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The spacer layer includes copper current confined paths extending between the first magnetic layer and the second magnetic layer in a matrix of magnesium oxide. The spacer layer is formed by a mixture copper and magnesium oxide, which is heattreated to form the copper current confined paths within the magnesium oxide matrix.

    摘要翻译： 具有高巨磁阻（GMR）值和中等低电阻面积乘积（RA）的磁阻器件包括位于第一磁性层和第一磁阻层之间的第一磁性层，第二磁性层和电流限制路径（CCP） 第二磁性层。 间隔层包括在氧化镁基质中在第一磁性层和第二磁性层之间延伸的铜电流限制路径。 间隔层由铜和氧化镁混合物形成，其被热处理以在氧化镁基质内形成铜电流限制路径。