公开(公告)号：US20100248398A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12412138

申请日：2009-03-26

申请人： Jo Fei Wang ,  Sunny Wu ,  Jong-I Mou

发明人： Jo Fei Wang ,  Sunny Wu ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/66 ,  B05C11/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6831 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/909 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes performing a first process to a wafer; measuring the wafer for wafer data after the first process; securing the wafer on an E-chuck in a processing chamber; collecting sensor data from a sensor embedded in the E-chuck; adjusting clamping forces to the E-chuck based on the wafer data and the sensor data; and thereafter performing a second process to the wafer secured on the E-chuck in the processing chamber.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括对晶片执行第一处理; 在第一次处理之后测量晶片的晶片数据; 将晶片固定在处理室中的电子卡盘上; 从嵌入在E卡盘中的传感器收集传感器数据; 基于晶片数据和传感器数据调整到E型卡盘的夹紧力; 然后对固定在处理室中的E型卡盘上的晶片进行第二处理。

公开(公告)号：US20100210041A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12370746

申请日：2009-02-13

申请人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

发明人： Chun-Lin Chang ,  Hsin-Hsien Wu ,  Zin-Chang Wei ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Jun-Lin Yeh ,  Jih-Jse Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Ming-Yu Fan ,  Jong-I Mou

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

摘要： An apparatus includes a process chamber configured to perform an ion implantation process. A cooling platen or electrostatic chuck is provided within the process chamber. The cooling platen or electrostatic chuck is configured to support a semiconductor wafer. The cooling platen or electrostatic chuck has a plurality of temperature zones. Each temperature zone includes at least one fluid conduit within or adjacent to the cooling platen or electrostatic chuck. At least two coolant sources are provided, each fluidly coupled to a respective one of the fluid conduits and configured to supply a respectively different coolant to a respective one of the plurality of temperature zones during the ion implantation process. The coolant sources include respectively different chilling or refrigeration units.

摘要翻译： 一种装置包括被配置为执行离子注入工艺的处理室。 在处理室内设有冷却台板或静电吸盘。 冷却台板或静电卡盘构造成支撑半导体晶片。 冷却台板或静电卡盘具有多个温度区域。 每个温度区域包括在冷却压板或静电卡盘内或附近的至少一个流体导管。 提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体耦合到相应的一个流体管道，并且构造成在离子注入过程期间将分别不同的冷却剂供应到多个温度区中的相应的一个温度区。 冷却剂源分别包括不同的冷却或制冷装置。

公开(公告)号：US6019849A

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：US995336

申请日：1997-12-22

申请人： Chang Chu Yao ,  Tsun-Ching Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Hsiao-Lan Yeh

发明人： Chang Chu Yao ,  Tsun-Ching Lin ,  Jo-Fei Wang ,  Hsiao-Lan Yeh

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L21/312 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/401 ,  H01L21/3121

摘要： A number of air actuated valves are added to a conventional apparatus for treating semiconductor wafers with HMDS, hexamethyl-disilazane, vapor to improve the adhesion between the wafers and resist layers. These valves allow for automatic purging of the HMDS vapor from the pipes in the apparatus by dry nitrogen thereby preventing HMDS vapor condensation in the pipes which leads to contamination of the HMDS supply. The valve system prevents any backstreaming of nitrogen gas into the HMDS supply tank.

摘要翻译： 将许多气动阀添加到用于处理具有HMDS，六甲基 - 二硅氮烷，蒸气的半导体晶片的常规设备中，以改善晶片和抗蚀剂层之间的粘附。 这些阀允许通过干燥氮气从设备中的管道自动吹扫HMDS蒸汽，从而防止管道中的HMDS蒸气冷凝，导致HMDS供应的污染。 阀门系统防止氮气进入HMDS供应罐的任何回流。