公开(公告)号：US5311140A

公开(公告)日：1994-05-10

申请号：US924049

申请日：1992-08-28

Applicant: Alfred Permuy

Inventor： Alfred Permuy

IPC: G01D5/24 ,  G01D5/241 ,  G01R27/26

CPC classification number: G01D5/2417 ,  G01D5/24

Abstract: A circuit for measuring variations in the capacitance of a variable capacr forming part of a sensor includes an oscillator which generates an alternating signal which is supplied to two branches of a detection bridge. The first branch includes the variable capacitor connected in series with a variable capacitance diode. The second branch includes a capacitor connected in series with a variable capacitance diode. A differential stage has each of its in puts connected to the common point of a respective one of the branches. Synchronous demodulation means connected to the oscillator, are connected to the output of the differential stage for delivering a DC unbalance voltage Ve which is injected by a feedback line to the common point of the first branch, thereby continuously balancing the detection bridge.

Abstract translation: PCT No.PCT / FR90 / 00961 Sec。 371日期：1992年8月28日 102（e）日期1992年8月28日PCT提交1990年12月28日PCT公布。 出版物WO91 / 0981200 日期：1991年7月11日。用于测量形成传感器部分的可变电容器的电容变化的电路包括产生提供给检测桥的两个分支的交流信号的振荡器。 第一分支包括与可变电容二极管串联连接的可变电容器。 第二分支包括与可变电容二极管串联连接的电容器。 差分级具有与其相应的一个分支的公共点连接的每个放置。 连接到振荡器的同步解调装置连接到差分级的输出，用于将由反馈线注入的直流不平衡电压Ve传递到第一分支的公共点，从而连续平衡检测桥。

公开(公告)号：US4873868A

公开(公告)日：1989-10-17

申请号：US162329

申请日：1988-02-09

Applicant: Andre Pierre ,  Francois Batllteu ,  Jean-Pierre Brosselard ,  Alfred Permuy ,  Francois-Xavier Pirot ,  Serge Spirkovitch

Inventor： Andre Pierre ,  Francois Batllteu ,  Jean-Pierre Brosselard ,  Alfred Permuy ,  Francois-Xavier Pirot ,  Serge Spirkovitch

IPC: B81B3/00 ,  G01D5/241 ,  G01P15/08 ,  G01P15/12

CPC classification number: G01D5/2417 ,  B81B3/0005 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/112 ,  G01P2015/0828

Abstract: A mechanical magnitude sensor integrated on silicon, and a method of manufacture. The sensor comprises a bendably deformable conductive blade (4) whose free end (43) constitutes the first plate of a variable capacitor whose fixed second plate (24) is constituted by a conductive zone formed on the silicon substrate. A JFET type structure is formed in the vicinity of the anchor point (41) of the blade (4) with a gate zone (21) situated beneath the anchor portion (41) and with drain and source zones (22, 23) being provided on either side of the gate zone (21) in order to amplify a signal representative of variations in the position of the flexible blade (4). The sensor may be used as an accelerometer or as a pressure sensor.

Abstract translation: PCT No.PCT / FR87 / 00206 Sec。 371日期1988年2月9日 102（e）日期1988年2月9日PCT Filted 1987年6月10日PCT公布。 出版物WO87 / 07729 日期：1987年12月17日。集成在硅上的机械振幅传感器及其制造方法。 传感器包括可弯曲变形的导电叶片（4），其自由端（43）构成可变电容器的第一板，其固定的第二板（24）由形成在硅衬底上的导电区构成。 JFET型结构形成在叶片（4）的锚点（41）附近，具有位于锚定部分（41）下方的浇口区域（21），并且设置有排泄和源区域（22,23） 在门区（21）的任一侧上，以放大表示柔性叶片（4）的位置变化的信号。 传感器可以用作加速度计或压力传感器。