公开(公告)号：US4873868A

公开(公告)日：1989-10-17

申请号：US162329

申请日：1988-02-09

Applicant: Andre Pierre ,  Francois Batllteu ,  Jean-Pierre Brosselard ,  Alfred Permuy ,  Francois-Xavier Pirot ,  Serge Spirkovitch

Inventor： Andre Pierre ,  Francois Batllteu ,  Jean-Pierre Brosselard ,  Alfred Permuy ,  Francois-Xavier Pirot ,  Serge Spirkovitch

IPC: B81B3/00 ,  G01D5/241 ,  G01P15/08 ,  G01P15/12

CPC classification number: G01D5/2417 ,  B81B3/0005 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/112 ,  G01P2015/0828

Abstract: A mechanical magnitude sensor integrated on silicon, and a method of manufacture. The sensor comprises a bendably deformable conductive blade (4) whose free end (43) constitutes the first plate of a variable capacitor whose fixed second plate (24) is constituted by a conductive zone formed on the silicon substrate. A JFET type structure is formed in the vicinity of the anchor point (41) of the blade (4) with a gate zone (21) situated beneath the anchor portion (41) and with drain and source zones (22, 23) being provided on either side of the gate zone (21) in order to amplify a signal representative of variations in the position of the flexible blade (4). The sensor may be used as an accelerometer or as a pressure sensor.

Abstract translation: PCT No.PCT / FR87 / 00206 Sec。 371日期1988年2月9日 102（e）日期1988年2月9日PCT Filted 1987年6月10日PCT公布。 出版物WO87 / 07729 日期：1987年12月17日。集成在硅上的机械振幅传感器及其制造方法。 传感器包括可弯曲变形的导电叶片（4），其自由端（43）构成可变电容器的第一板，其固定的第二板（24）由形成在硅衬底上的导电区构成。 JFET型结构形成在叶片（4）的锚点（41）附近，具有位于锚定部分（41）下方的浇口区域（21），并且设置有排泄和源区域（22,23） 在门区（21）的任一侧上，以放大表示柔性叶片（4）的位置变化的信号。 传感器可以用作加速度计或压力传感器。

公开(公告)号：US06259099B1

公开(公告)日：2001-07-10

申请号：US09091656

申请日：1998-09-18

Applicant: François Foulon ,  Serge Spirkovitch ,  Lionel Babadjian

Inventor： François Foulon ,  Serge Spirkovitch ,  Lionel Babadjian

IPC: H01L31103

CPC classification number: H01L31/115

Abstract: Ultra-thin ionizing radiation detector, and processes of manufacturing such detector. The detector includes a stack made up of a substrate, an insulting layer and a thin superficial layer of silicon, a detection diode being fabricated in the superficial layer.

Abstract translation: 超薄电离辐射探测器及其制造方法。 检测器包括由衬底，绝缘层和薄的表面层构成的堆叠，在表层中制造检测二极管。