公开(公告)号：US4566080A

公开(公告)日：1986-01-21

申请号：US512853

申请日：1983-07-11

申请人： Sheng Fang ,  Kameswara K. Rao

发明人： Sheng Fang ,  Kameswara K. Rao

IPC分类号： G11C17/00 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C7/00 ,  G11C11/40

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/10

摘要： A memory system of the EEPROM type in which a separate writing circuit is provided for each cell of a related byte thereby permitting one cell to be charged while the other can be simultaneously discharged.

摘要翻译： EEPROM类型的存储器系统，其中为相关字节的每个单元提供单独的写入电路，从而允许一个单元被充电，而另一个单元可以同时放电。