公开(公告)号：US09005875B2

公开(公告)日：2015-04-14

申请号：US13834059

申请日：2013-03-15

申请人： Intel Corporation

发明人： Robert L. Bristol ,  Paul A. Nyhus ,  Charles H. Wallace

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/094 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0334 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/168 ,  Y10T428/24851

摘要： A method of fabricating a substrate including coating a first resist onto a hardmask, exposing regions of the first resist to electromagnetic radiation at a dose of 10.0 mJ/cm2 or greater and removing a portion of said the and forming guiding features. The method also includes etching the hardmask to form isolating features in the hardmask, applying a second resist within the isolating features forming regions of the second resist in the hardmask, and exposing regions of the second resist to electromagnetic radiation having a dose of less than 10.0 mJ/cm2 and forming elements.

摘要翻译： 一种制造衬底的方法，包括将第一抗蚀剂涂覆在硬掩模上，将第一抗蚀剂的区域以10.0mJ / cm 2或更大的剂量暴露于电磁辐射，并去除所述和形成引导特征的一部分。 该方法还包括蚀刻硬掩模以在硬掩模中形成隔离特征，在形成硬掩模中的第二抗蚀剂的区域的隔离特征内施加第二抗蚀剂，以及将第二抗蚀剂的区域暴露于具有小于10.0的剂量的电磁辐射 mJ / cm 2和成形元件。