公开(公告)号：US07686927B1

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11510048

申请日：2006-08-25

申请人： Jonathan D. Reid ,  Steven T. Mayer ,  Seshasayee Varadarajan ,  David C. Smith ,  Evan E. Patton ,  Dinesh S. Kalakkad ,  Gary Lind ,  Richard S. Hill

发明人： Jonathan D. Reid ,  Steven T. Mayer ,  Seshasayee Varadarajan ,  David C. Smith ,  Evan E. Patton ,  Dinesh S. Kalakkad ,  Gary Lind ,  Richard S. Hill

IPC分类号： C25D17/00

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D17/001 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

摘要： The orientation of a wafer with respect to the surface of an electrolyte is controlled during an electroplating process. The wafer is delivered to an electrolyte bath along a trajectory normal to the surface of the electrolyte. Along this trajectory, the wafer is angled before entry into the electrolyte for angled immersion. A wafer can be plated in an angled orientation or not, depending on what is optimal for a given situation. Also, in some designs, the wafer's orientation can be adjusted actively during immersion or during electroplating, providing flexibility in various electroplating scenarios.

摘要翻译： 在电镀过程中控制晶片相对于电解质表面的取向。 将晶片沿着垂直于电解质表面的轨迹输送到电解质浴中。 沿着该轨迹，晶片在进入电解质之前是成角度的，用于倾斜的浸入。 根据给定情况下的最佳选择，晶圆可以以倾斜的方向进行电镀。 此外，在一些设计中，晶片的取向可以在浸入期间或在电镀期间被主动调节，从而在各种电镀场景中提供灵活性。