公开(公告)号：US07372121B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11591085

申请日：2006-11-01

申请人： Fan Zhong ,  Michael Lennon

发明人： Fan Zhong ,  Michael Lennon

IPC分类号： H01L31/0232 ,  G02B6/10

CPC分类号： C23C16/401 ,  G02B6/122 ,  G02B2006/121

摘要： A method of depositing a top clad layer for an optical waveguide of a planar lightwave circuit. A GeBPSG top clad layer for an optical waveguide structure of a planar lightwave circuit is fabricated such that the top clad layer comprises doped silica glass, wherein the dopant includes Ge (Germanium), P (Phosphorus), and B (Boron). In depositing a top clad layer for the optical waveguide, three separate doping gasses (e.g., GeH4, PH3, and B2H6) are added during the PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) process to make Ge, P and B doped silica glass (GeBPSG). The ratio of the Ge, P, and B dopants is configured to reduce the formation of crystallization areas within the top clad layer and maintain a constant refractive index within the top clad layer across an anneal temperature range. A thermal anneal process for the top clad layer can be a temperature within a range of 950 C to 1050 C. The GeBPSG top clad layer reduces the insertion loss of passive arrayed waveguide grating devices and active planar lightwave circuit devices.

摘要翻译： 一种沉积用于平面光波电路的光波导的顶包层的方法。 制造用于平面光波电路的光波导结构的GeBPSG顶包层，使得顶覆层包括掺杂的石英玻璃，其中掺杂剂包括Ge（锗），P（磷）和B（硼）。 在沉积用于光波导的顶部包覆层时，三个单独的掺杂气体（例如，GeH 4，PH 3 3和B 2 H） 在PECVD（等离子体增强化学气相沉积）工艺中添加制备Ge，P和B掺杂的石英玻璃（GeBPSG）的工艺。 Ge，P和B掺杂剂的比例被配置为减少顶部包层内的结晶区域的形成，并且在整个退火温度范围内在顶部包覆层内保持恒定的折射率。 用于顶部包层的热退火工艺可以是在950℃至1050℃范围内的温度.GeBPSG顶部包层降低了无源阵列波导光栅器件和有源平面光波电路器件的插入损耗。

公开(公告)号：US06615615B2

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09895583

申请日：2001-06-29

申请人： Fan Zhong ,  Jonathan G. Bornstein

发明人： Fan Zhong ,  Jonathan G. Bornstein

IPC分类号： G02B610

CPC分类号： G02B6/12023 ,  G02B6/105 ,  G02B6/122 ,  G02B6/132 ,  G02B2006/12169

摘要： A method of depositing a core layer for an optical waveguide structure of a planar lightwave circuit. A GePSG core for an optical waveguide structure of a planar lightwave circuit is fabricated such that the optical core comprises doped silica glass, wherein the dopant includes Ge and P. In depositing a core layer from which the optical core is formed, two separate doping gasses (e.g., GeH4 and PH3) are added during the PECVD process to make Ge and P doped silica glass (GePSG). The ratio of the Ge dopant and the P dopant is configured to maintain a constant refractive index within the core layer across an anneal temperature range and to reduce a formation of bubbles within the core layer. The ratio of the Ge dopant and the P dopant is also configured to reduce refractive index birefringence within the core layer across an anneal temperature range.

摘要翻译： 一种沉积用于平面光波电路的光波导结构的芯层的方法。 制造用于平面光波电路的光波导结构的GePSG芯，使得光芯包括掺杂的石英玻璃，其中掺杂剂包括Ge和P.在沉积形成有光纤芯的芯层时，两个单独的掺杂气体 （例如，GeH 4和PH 3）在PECVD工艺中被添加以制造Ge和P掺杂的石英玻璃（GePSG）。 Ge掺杂剂和P掺杂剂的比例被配置为在整个退火温度范围内在芯层内保持恒定的折射率，并且减小芯层内的气泡的形成。 Ge掺杂剂和P掺杂剂的比例还被配置为在整个退火温度范围内降低芯层内的折射率双折射。