公开(公告)号：US20130071986A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13234381

申请日：2011-09-16

申请人： Wim Deweerd ,  Art Gevondyan ,  Hiroyuki Ode

发明人： Wim Deweerd ,  Art Gevondyan ,  Hiroyuki Ode

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/1085 ,  H01L28/60

摘要： A method for fabricating a dynamic random access memory (DRAM) capacitor stack is disclosed wherein the stack includes a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode. The first electrode is formed from a conductive binary metal compound and the conductive binary metal compound is first etched and then annealed in a reducing atmosphere or an inert atmosphere to promote the formation of a desired crystal structure and to remove oxygen rich compounds. The binary metal compound may be a metal oxide. Etching the metal oxide (i.e. molybdenum oxide) may result in the removal of oxygen rich phases and the formation of a first electrode material (i.e. MoO2) with a rutile-phase crystal structure. This facilitates the formation of the rutile-phase crystal structure when TiO2 is used as the dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造动态随机存取存储器（DRAM）电容器堆叠的方法，其中堆叠包括第一电极，电介质层和第二电极。 第一电极由导电二元金属化合物形成，并且首先蚀刻导电二元金属化合物，然后在还原气氛或惰性气氛中进行退火以促进所需晶体结构的形成并除去富含氧的化合物。 二元金属化合物可以是金属氧化物。 蚀刻金属氧化物（即氧化钼）可能导致富氧相的去除和形成具有金红石相晶体结构的第一电极材料（即MoO 2）。 当使用TiO 2作为电介质层时，这有助于金红石相晶体结构的形成。

公开(公告)号：US20130052791A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13219922

申请日：2011-08-29

申请人： Xiangxin Rui ,  Hiroyuki Ode

发明人： Xiangxin Rui ,  Hiroyuki Ode

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60

摘要： A metal oxide first electrode layer for a MIM DRAM capacitor is formed wherein the first and/or second electrode layers contain one or more dopants up to a total doping concentration that will not prevent the electrode layers from crystallizing during a subsequent anneal step. One or more of the dopants has a work function greater than about 5.0 eV. One or more of the dopants has a resistivity less than about 1000 μΩ cm. Advantageously, the electrode layers are conductive molybdenum oxide.

摘要翻译： 形成用于MIM DRAM电容器的金属氧化物第一电极层，其中第一和/或第二电极层含有一个或多个掺杂剂，直到总掺杂浓度，其将不会阻止电极层在随后的退火步骤期间结晶。 一种或多种掺杂剂具有大于约5.0eV的功函数。 一种或多种掺杂剂具有小于约1000μΩ的电阻率; 厘米。 有利地，电极层是导电性氧化钼。

公开(公告)号：US20120309160A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13153626

申请日：2011-06-06

申请人： Karthik Ramini ,  Hiroyuki Ode ,  Sandra Malhotra

发明人： Karthik Ramini ,  Hiroyuki Ode ,  Sandra Malhotra

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L29/92

摘要： A method for fabricating a dynamic random access memory (DRAM) capacitor stack is disclosed wherein the stack includes a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode. The first electrode is formed from a conductive binary metal. A dielectric layer is formed over the first electrode. The dielectric layer is subjected to a milliseconds anneal process that serves to crystallize the dielectric material and decrease the concentration of oxygen vacancies.

摘要翻译： 公开了一种用于制造动态随机存取存储器（DRAM）电容器堆叠的方法，其中堆叠包括第一电极，电介质层和第二电极。 第一电极由导电二元金属形成。 在第一电极上形成电介质层。 对电介质层进行几毫秒的退火工艺，以使介电材料结晶并降低氧空位的浓度。

公开(公告)号：US20120287553A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13107081

申请日：2011-05-13

申请人： Karthik Ramani ,  Wim Deweerd ,  Hiroyuki Ode

发明人： Karthik Ramani ,  Wim Deweerd ,  Hiroyuki Ode

IPC分类号： H01G4/30 ,  H01G7/00

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/306 ,  H01L28/75

摘要： A method for fabricating a dynamic random access memory (DRAM) capacitor includes forming a first electrode film. The first electrode film comprises a conductive binary metal compound and a dopant. The dopant may have a uniform or non-uniform concentration within the first electrode film. A high-k dielectric film is formed over the first electrode film. A second electrode film is formed over the dielectric film. The second electrode film comprises a conductive binary metal compound and a dopant. The dopant may have a uniform or non-uniform concentration within the second electrode film. The dopants and their distribution are chosen so that the crystal structure of the surface of the electrode is not degraded if the electrode is to be used as a templating structure for subsequent layer formation. Additionally, the dopants and their distribution are chosen so that the work function of the electrodes is not degraded.

摘要翻译： 一种用于制造动态随机存取存储器（DRAM）电容器的方法包括形成第一电极膜。 第一电极膜包括导电二元金属化合物和掺杂剂。 掺杂剂可以在第一电极膜内具有均匀或不均匀的浓度。 在第一电极膜上形成高k电介质膜。 在绝缘膜上形成第二电极膜。 第二电极膜包括导电二元金属化合物和掺杂剂。 掺杂剂可以在第二电极膜内具有均匀或不均匀的浓度。 选择掺杂剂及其分布，使得如果将电极用作后续层形成的模板结构，则电极表面的晶体结构不会降解。 此外，选择掺杂剂及其分布使得电极的功函数不降解。