公开(公告)号：US08614148B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US13733376

申请日：2013-01-03

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Joon-Soo Park ,  Jongchul Park ,  Cheolhong Kim ,  Seokwoo Nam ,  Kukhan Yoon

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/92

摘要： A method may include forming first hard mask patterns and second hard mask patterns extending in a first direction and repeatedly and alternately arranged on a lower layer, forming third mask patterns extending in a second direction perpendicular to the first direction on the first and second hard mask patterns, etching the first hard mask patterns using the third mask patterns to form first openings, forming filling patterns filling the first openings and gap regions between the third mask patterns, forming spacers on both sidewalls of each of the filling patterns, after removing the third mask patterns, and etching the second hard mask patterns using the filling patterns and the spacers to form second openings.

摘要翻译： 一种方法可以包括形成第一硬掩模图案和在第一方向上延伸并重复并交替地布置在下层上的第一硬掩模图案和第二硬掩模图案，在第一和第二硬掩模上形成沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第三掩模图案 使用第三掩模图案蚀刻第一硬掩模图案以形成第一开口，形成填充第一开口和第三掩模图案之间的间隙区域的填充图案，在移除第三掩模图案的每个填充图案的两个侧壁上之后形成间隔物 掩模图案，并且使用填充图案和间隔件蚀刻第二硬掩模图案以形成第二开口。