公开(公告)号：USD457717S1

公开(公告)日：2002-05-28

申请号：US29150080

申请日：2001-11-05

申请人： Eddie Chen

设计人： Eddie Chen

公开(公告)号：US06046061A

公开(公告)日：2000-04-04

申请号：US206177

申请日：1998-12-04

申请人： Li-Wu Tsao ,  Tse-Wei Liu ,  Cheng-Chieh Huang ,  Tang Yu ,  Eddie Chen

发明人： Li-Wu Tsao ,  Tse-Wei Liu ,  Cheng-Chieh Huang ,  Tang Yu ,  Eddie Chen

IPC分类号： G01Q60/00 ,  G01Q90/00 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L22/20 ,  G01R31/2831 ,  H01L22/12

摘要： A method of water mark inspection. By forming a pattern on a test wafer, the water mark formed thereon directly reflects the features of a wafer product to be evaluated. The water mark is formed by simulating fabrication process conditions of forming the wafer product of which the performance is to be evaluated. Thus, after scanning the water mark by a defect inspection machine, the performance of the wafer product is evaluated.

摘要翻译： 水标检验方法。 通过在测试晶片上形成图案，形成在其上的水印直接反映要评估的晶片产品的特征。 通过模拟形成要评估性能的晶片产品的制造工艺条件来形成水印。 因此，在通过缺陷检查机扫描水印之后，评估晶片产品的性能。

公开(公告)号：US5882947A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US906085

申请日：1997-08-05

申请人： Jen-Tsung Lin ,  Ben Chen ,  Eddie Chen

发明人： Jen-Tsung Lin ,  Ben Chen ,  Eddie Chen

IPC分类号： H01J37/317 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31703

摘要： A method for probing the error of energy or dosage in the high-energy ion implantation is disclosed herein. The error source that is from either the energy of ion implantation or the dosage of ion implantation non-normal is decided via the thermal signal value and the thickness of the remained oxidation layer after etching step. The error source can be decided by using different decision standards for phosphorous ion implantation or boron ion implantation. The method comprises the steps as follow: a semiconductor silicon wafer is provided as a test wafer, and an oxidation layer is then formed over the test wafer. A high-energy ion implantation, such as phosphorous ion implantation or boron ion implantation is performed. The oxidation layer is etched via an etching process in a fixing etching time. The thickness of the remained oxidation layer after the etching process is probed. A thermal probe is applied to probe the thermal wave signal from the ion-implant-induced damage. Afterward, the thermal wave signal value and the remained oxidation thickness of the high-energy ion implantation are compared with that of a preceding standard group. Then, the different decision standards created from the thermal wave signal value and the remained oxidation thickness for the high-energy phosphorous or boron ion implantation process are submitted. The error source that is from either the energy of ion implantation or the dosage of ion implantation in non-normal state can be decided via the different decision standards.

摘要翻译： 本文公开了一种用于探测高能离子注入中能量或剂量误差的方法。 通过离子注入的能量或离子注入非正常的剂量的误差源通过热信号值和蚀刻步骤后剩余的氧化层的厚度来确定。 误差源可以通过使用磷离子注入或硼离子注入的不同决策标准来决定。 该方法包括以下步骤：提供半导体硅晶片作为测试晶片，然后在测试晶片上形成氧化层。 进行高能离子注入，例如磷离子注入或硼离子注入。 在定影蚀刻时刻通过蚀刻工艺蚀刻氧化层。 探测蚀刻后剩余氧化层的厚度。 应用热探针来探测离子植入物引起的损伤的热波信号。 之后，将高能离子注入的热波信号值和剩余的氧化厚度与前面的标准组进行比较。 然后，提出了从高能磷或硼离子注入工艺的热波信号值和剩余氧化厚度产生的不同决定标准。 离子注入的能量或非正常状态下离子注入剂量的误差源可以通过不同的决策标准来决定。

公开(公告)号：USD659377S1

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US29377354

申请日：2010-10-20

申请人： Eddie Chen

设计人： Eddie Chen

公开(公告)号：USD633289S1

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US29340877

申请日：2009-07-27

申请人： Eddie Chen

设计人： Eddie Chen

公开(公告)号：USD593290S1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US29318416

申请日：2008-05-20

申请人： Eddie Chen

设计人： Eddie Chen

公开(公告)号：USD546533S1

公开(公告)日：2007-07-17

申请号：US29232472

申请日：2005-06-20

申请人： Eddie Chen

设计人： Eddie Chen

公开(公告)号：US07159335B2

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：US10812627

申请日：2004-03-29

申请人： Eddie Chen

发明人： Eddie Chen

IPC分类号： A43B23/07

CPC分类号： A43B7/125

摘要： A shoe includes an upper made of a waterproof breathable laminate which is composed of at least one outer layer having an inner surface and an outer surface, and a waterproof vapor-permeable membrane laminated to the inner surface of the outer layer; and an inner sole which includes a bottom plate and an inner sidewall extending upwardly from a periphery of the bottom plate. The inner sidewall is connected to a bottom end of the upper. The bottom end of the upper ends at a level not lower than the bottom plate.

摘要翻译： 鞋包括由至少一个具有内表面和外表面的外层构成的防水透气层压体的上部和层压到外层的内表面的防水透湿膜; 以及内底，其包括从底板的周边向上延伸的底板和内侧壁。 内侧壁连接到鞋帮的底端。 上端的底端不低于底板。

公开(公告)号：US20060117608A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11003548

申请日：2004-12-03

申请人： Eddie Chen

发明人： Eddie Chen

IPC分类号： A43C11/00 ,  A43B23/28 ,  A43B13/42

CPC分类号： A43B7/085 ,  A43B7/10 ,  A43B7/125 ,  A43B23/0235 ,  A43B23/025 ,  A43B23/0295 ,  A43B23/088 ,  A43B23/16

摘要： A shoe includes a first shell portion, and a second shell portion complementing the first shell portion to form an upper. The second shell portion is more flexible than the first shell portion and is mechanically connected to the first shell portion. The first shell portion includes a surrounding wall of substantially U-shaped cross-section which is adapted to extend around the wearer's heel. The surrounding wall includes two opposite side wall sections that have frontmost ends posterior to the ball of the foot and anterior to the plantar arch of the foot.

摘要翻译： 鞋包括第一壳部分和与第一壳部分互补以形成鞋面的第二壳部分。 第二壳体部分比第一壳体部分更柔性并且机械地连接到第一壳体部分。 第一壳部分包括大致U形横截面的围绕壁，其适于围绕穿着者的跟部延伸。 周围的墙壁包括两个相对的侧壁部分，其具有位于足部球后部的前端并且在足底足弓前方的前端。

公开(公告)号：US20050241179A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US10834243

申请日：2004-04-29

申请人： Eddie Chen

发明人： Eddie Chen

IPC分类号： A43B7/06 ,  A43B7/08 ,  A43B7/12 ,  A43B13/14

CPC分类号： A43B7/08 ,  A43B1/0018 ,  A43B7/085 ,  A43B7/125 ,  A43B13/141 ,  A43B23/027

摘要： A shoe has a shell including a front part, a rear part, and two opposite intermediate parts extending between the front and rear parts. The shell has a flexible corrugated portion which includes a plurality of crests and valleys that extend along a direction transverse to a line parallel to a front-to-rear direction of the shell, and a plurality of vent holes formed in the corrugated portion. The corrugated portion is extendable and compressible.

摘要翻译： 鞋具有壳体，其包括前部，后部和在前部和后部之间延伸的两个相对的中间部。 外壳具有柔性的波纹部分，其包括沿着与平行于壳体的前后方向的直线垂直的方向延伸的多个波峰和谷部，以及形成在波纹部分中的多个通气孔。 波纹部分是可伸缩的。