公开(公告)号：US08624326B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13277669

申请日：2011-10-20

申请人： Chi-Ming Chen ,  Chung-Yi Yu ,  Ho-Yung David Hwang

发明人： Chi-Ming Chen ,  Chung-Yi Yu ,  Ho-Yung David Hwang

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device is disclosed. An exemplary semiconductor device includes a substrate including a first dielectric layer disposed over the substrate. The semiconductor device further includes a buffer layer disposed over the substrate and between first and second walls of a trench of the dielectric layer. The semiconductor device further includes an insulator layer disposed over the buffer layer and between the first and second wall of the trench of the dielectric layer. The semiconductor device also includes a second dielectric layer disposed over the first dielectric layer and the insulator layer. Further, the semiconductor device includes a fin structure disposed over the insulator layer and between first and second walls of a trench of the second dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造半导体器件的半导体器件和方法。 示例性的半导体器件包括：衬底，包括设置在衬底上的第一介电层。 该半导体器件还包括一个缓冲层，该缓冲层设置在该衬底上并且位于介电层沟槽的第一和第二壁之间。 半导体器件还包括设置在缓冲层之上并位于介电层沟槽的第一和第二壁之间的绝缘体层。 半导体器件还包括设置在第一介电层和绝缘体层之上的第二电介质层。 此外，半导体器件包括布置在绝缘体层之上以及第二介电层的沟槽的第一和第二壁之间的翅片结构。

公开(公告)号：US20130095642A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13273463

申请日：2011-10-14

申请人： Chun-Feng Nieh ,  Chung-Yi Yu ,  Hung-Ta Lin

发明人： Chun-Feng Nieh ,  Chung-Yi Yu ,  Hung-Ta Lin

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66522 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/267

摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a first III-V family layer over a substrate. The first III-V family layer includes a surface having a first surface morphology. The method includes performing an ion implantation process to the first III-V family layer through the surface. The ion implantation process changes the first surface morphology into a second surface morphology. After the ion implantation process is performed, the method includes forming a second III-V family layer over the first III-V family layer. The second III-V family layer has a material composition different from that of the first III-V family layer.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成第一III-V族层。 第一III-V族层包括具有第一表面形态的表面。 该方法包括通过表面对第一III-V族层执行离子注入工艺。 离子注入工艺将第一表面形态变为第二表面形态。 在执行离子注入工艺之后，该方法包括在第一III-V族层上形成第二III-V族层。 第二III-V族层具有不同于第一III-V族层的材料成分。

公开(公告)号：US20120168911A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US12982275

申请日：2010-12-30

申请人： Chi-Ming Chen ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai ,  Ho-Yung David Hwang ,  Alexander Kalnitsky

发明人： Chi-Ming Chen ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai ,  Ho-Yung David Hwang ,  Alexander Kalnitsky

IPC分类号： H01L29/30 ,  H01L29/20 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L21/3225

摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes: receiving a silicon wafer that contains oxygen; forming a zone in the silicon wafer, the zone being substantially depleted of oxygen; causing a nucleation process to take place in the silicon wafer to form oxygen nuclei in a region of the silicon wafer outside the zone; and growing the oxygen nuclei into defects. Also provided is an apparatus that includes a silicon wafer. The silicon wafer includes: a first portion that is substantially free of oxygen, the first portion being disposed near a surface of the silicon wafer; and a second portion that contains oxygen; wherein the second portion is at least partially surrounded by the first portion.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括：接收含有氧的硅晶片; 在硅晶片中形成区域，该区域基本上耗尽氧气; 导致在硅晶片中发生成核过程，以在区域外的硅晶片的区域中形成氧核; 并将氧原子生长成缺陷。 还提供了一种包括硅晶片的设备。 硅晶片包括：基本上不含氧的第一部分，第一部分设置在硅晶片的表面附近; 和含有氧的第二部分; 其中所述第二部分至少部分地被所述第一部分包围。

公开(公告)号：US20120138945A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US12959984

申请日：2010-12-03

申请人： Chi-Ming Chen ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai ,  Ho-Yung David Hwang

发明人： Chi-Ming Chen ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai ,  Ho-Yung David Hwang

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267

摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a first layer on a first side of a first silicon wafer. The first silicon wafer has a second side opposite the first side. The first layer has a coefficient-of-thermal-expansion (CTE) that is lower than that of silicon. The method includes bonding the first wafer to a second silicon wafer in a manner so that the first layer is disposed in between the first and second silicon wafers. The method includes removing a portion of the first silicon wafer from the second side. The method includes forming a second layer over the second side of the first silicon wafer. The second layer has a CTE higher than that of silicon.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括在第一硅晶片的第一侧上形成第一层。 第一硅晶片具有与第一侧相对的第二侧。 第一层的热膨胀系数（CTE）低于硅的热膨胀系数。 该方法包括以使得第一层被布置在第一和第二硅晶片之间的方式将第一晶片接合到第二硅晶片。 该方法包括从第二侧去除第一硅晶片的一部分。 该方法包括在第一硅晶片的第二侧上形成第二层。 第二层具有高于硅的CTE。

公开(公告)号：US08173518B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12414910

申请日：2009-03-31

申请人： Martin Liu ,  Alex Hsu ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Martin Liu ,  Alex Hsu ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L27/1469 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464

摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes providing a device substrate having a front side, a back side, and a first edge portion, forming a material layer over a portion of the front side of the device substrate, trimming the first edge portion, removing the material layer, bonding the front side of the device substrate to a carrier substrate, thinning the device substrate from the back side, and trimming a second edge portion of the thinned device substrate.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括提供具有前侧，后侧和第一边缘部分的器件基板，在器件基板的正面的一部分的一部分上形成材料层，修整第一边缘部分，去除材料层，接合 将器件基板的正面侧支撑到载体基板，从背面侧使器件基板变薄，以及修整变薄的器件基板的第二边缘部分。

公开(公告)号：US08080461B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US12688083

申请日：2010-01-15

申请人： Der-Chyang Yeh ,  Hsun-Chung Kuang ,  Ming Chyi Liu ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ping Chao ,  Alexander Kalnitsky

发明人： Der-Chyang Yeh ,  Hsun-Chung Kuang ,  Ming Chyi Liu ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ping Chao ,  Alexander Kalnitsky

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76865 ,  H01L27/016 ,  H01L28/24

摘要： A method of making a thin film resistor includes: forming a doped region in a semiconductor substrate; forming a dielectric layer over the substrate; forming a thin film resistor over the dielectric layer; forming a contact hole in the dielectric layer before annealing the thin film resistor, wherein the contact hole exposes a portion of the doped region; and performing rapid thermal annealing on the thin film resistor after forming the contact hole.

摘要翻译： 制造薄膜电阻器的方法包括：在半导体衬底中形成掺杂区域; 在所述衬底上形成介电层; 在介电层上形成薄膜电阻; 在退火所述薄膜电阻器之前，在所述电介质层中形成接触孔，其中所述接触孔暴露所述掺杂区域的一部分; 并且在形成接触孔之后对薄膜电阻器进行快速热退火。

公开(公告)号：US07935994B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11066432

申请日：2005-02-24

申请人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Chung-Yi Yu

发明人： Wen-De Wang ,  Dun-Nian Yaung ,  Shou-Gwo Wuu ,  Chung-Yi Yu

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14654 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： System and method for providing a light shield for a CMOS imager is provided. The light shield comprises a structure formed above a point between a photo-sensitive element and adjacent circuitry. The structure is formed of a light-blocking material, such as a metal, metal alloy, metal compound, or the like, formed in dielectric layers over the photo-sensitive elements.

摘要翻译： 提供了一种用于为CMOS成像器提供遮光罩的系统和方法。 光屏蔽包括形成在感光元件和相邻电路之间的点之上的结构。 该结构由光敏元件上的电介质层中形成的诸如金属，金属合金，金属化合物等的遮光材料形成。

公开(公告)号：US20100248446A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12414861

申请日：2009-03-31

申请人： Martin Liu ,  Chung-Yi Yu ,  Che Ying Hsu ,  Yeur-Luen Tu ,  Da-Hsiang Chou ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Martin Liu ,  Chung-Yi Yu ,  Che Ying Hsu ,  Yeur-Luen Tu ,  Da-Hsiang Chou ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L21/30 ,  B25B11/00

CPC分类号： H01L21/6838 ,  H01L21/304

摘要： Provided is an apparatus and a method of holding a device. The apparatus includes a wafer chuck having first and second holes that extend therethrough, and a pressure control structure that can independently and selectively vary a fluid pressure in each of the first and second holes between pressures above and below an ambient pressure. The method includes providing a wafer chuck having first and second holes that extend therethrough, and independently and selectively varying a fluid pressure in each of the first and second holes between pressures above and below an ambient pressure.

摘要翻译： 提供了一种保持装置的装置和方法。 该装置包括具有穿过其延伸的第一和第二孔的晶片卡盘，以及压力控制结构，其能够在高于和低于环境压力的压力之间独立地和选择性地改变在第一和第二孔中的每一个中的流体压力。 该方法包括提供具有延伸穿过其中的第一和第二孔的晶片卡盘，并且在高于和低于环境压力的压力之间独立地和选择性地改变在每个第一和第二孔中的流体压力。

公开(公告)号：US20100248414A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12414910

申请日：2009-03-31

申请人： Martin Liu ,  Alex Hsu ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Martin Liu ,  Alex Hsu ,  Chung-Yi Yu ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L27/1469 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464

摘要： Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes providing a device substrate having a front side, a back side, and a first edge portion, forming a material layer over a portion of the front side of the device substrate, trimming the first edge portion, removing the material layer, bonding the front side of the device substrate to a carrier substrate, thinning the device substrate from the back side, and trimming a second edge portion of the thinned device substrate.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 该方法包括提供具有前侧，后侧和第一边缘部分的器件基板，在器件基板的正面的一部分的一部分上形成材料层，修整第一边缘部分，去除材料层，接合 将器件基板的正面侧支撑到载体基板，从背面侧使器件基板变薄，以及修整变薄的器件基板的第二边缘部分。

公开(公告)号：US07786552B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11149575

申请日：2005-06-10

申请人： Tsung-Hsun Huang ,  Kuo-Yin Lin ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Tsung-Hsun Huang ,  Kuo-Yin Lin ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76828

摘要： A method for reducing leakage current in a semiconductor structure is disclosed. One or more dielectric layers are formed on a semiconductor substrate, on which at least one device is constructed. A hydrogen-containing layer is formed over the dielectric layers. A silicon nitride passivation layer covers the dielectric layers and the hydrogen-containing layer. The hydrogen atoms of the hydrogen-containing layer are introduced into the dielectric layers without being blocked by the silicon nitride layer, thereby reducing leakage current therein.

摘要翻译： 公开了一种用于减小半导体结构中的漏电流的方法。 一个或多个电介质层形成在半导体衬底上，其上构造有至少一个器件。 在电介质层上形成含氢层。 氮化硅钝化层覆盖电介质层和含氢层。 含氢层的氢原子被引入到电介质层中而不被氮化硅层阻挡，从而减少其中的漏电流。