公开(公告)号：US07586120B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11399169

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0041 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula (I) wherein at least one of R1 and R2 is a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar and Ar′ represent an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f, and g represent the number of groups or rings, respectively; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式（I）的聚合物的电子器件，其中R 1和R 2中的至少一个是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar和Ar'表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20090140236A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US11946953

申请日：2007-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Ping Liu ,  Paul F. Smith ,  Hadi K. Mahabadi

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0049 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin film transistor has a semiconducting layer comprising a semiconductor and surface-modified carbon nanotubes. The semiconducting layer has improved charge carrier mobility.

摘要翻译： 薄膜晶体管具有包含半导体和表面改性的碳纳米管的半导体层。 半导电层具有改善的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US20090065766A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US11850965

申请日：2007-09-06

申请人： Yuning Li

发明人： Yuning Li

IPC分类号： H01L51/30 ,  C08F12/20 ,  C08F28/06

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/12 ,  C08G61/126 ,  C08G73/0672 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer has a structure represented by: wherein each R is independently selected from hydrogen, an optionally substituted hydrocarbon, and a hetero-containing group, each M is an optional, conjugated moiety, a represents a number that is at least 1, b represents a number from 0 to 20, n represents a number from 2 to 5000, each X is independently selected from S, Se, O, and NR″, where each R″ is independently selected from hydrogen, an optionally substituted hydrocarbon, and a hetero-containing group, each Z is independently one of an optionally substituted hydrocarbon, a hetero-containing group, and a halogen, d represents a number which is at least 1, and e represents a number from zero to 2.

摘要翻译： 聚合物具有由以下表示的结构：其中每个R独立地选自氢，任选取代的烃和含杂原子基团，每个M是任选的共轭部分，a表示至少为1的数，b表示 0至20的数，n表示2至5000的数，每个X独立地选自S，Se，O和NR“，其中每个R”独立地选自氢，任选取代的烃，和 含杂原子基团，每个Z独立地为任选取代的烃，含杂基团和卤素之一，d表示至少为1的数，e表示0至2的数。

公开(公告)号：US07456424B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US11167485

申请日：2005-06-27

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0067

摘要： A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

摘要翻译： 一种由包括任选取代的吲哚咔唑的半导体层组成的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07449715B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11399231

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula or structure (I) wherein R1 is hydrogen, halogen, a suitable hydrocarbon, or a heteroatom containing group; R2 is hydrogen, a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; R3 and R4 are independently a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar is an aromatic component; x, y, a, b, and c represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR wherein R is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式或其结构（I）的聚合物的电子器件，其中R 1是氢，卤素，合适的烃或含杂原子的基团; R 2是氢，适合的烃，含杂原子的基团或卤素; R 3和R 4独立地是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar是芳香族成分; x，y，a，b和c分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR，其中R是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20080103314A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11957927

申请日：2007-12-17

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C07D209/56

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D487/04 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： A small molecule compound including at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一个二价键的小分子化合物。

公开(公告)号：US20080032444A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11498031

申请日：2006-08-02

申请人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L21/16

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A process for fabricating a semiconductor layer of an electronic device including: liquid depositing one or more zinc oxide precursor compositions and forming at least one semiconductor layer of the electronic device comprising predominately amorphous zinc oxide from the liquid deposited one or more zinc oxide precursor compositions.

摘要翻译： 一种用于制造电子器件的半导体层的方法，包括：液体沉积一种或多种氧化锌前体组合物并形成电子器件的至少一个半导体层，所述半导体层包含主要为无定形氧化锌的沉积的一种或多种氧化锌前体组合物。

公开(公告)号：US20080023698A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11495345

申请日：2006-07-28

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An electronic device including: (a) a semiconductor layer including crystalline zinc oxide; and (b) an electrode including a suitable amount of zinc, indium, or a mixture thereof.

摘要翻译： 一种电子设备，包括：（a）包含结晶氧化锌的半导体层; 和（b）包含适量锌，铟或其混合物的电极。

公开(公告)号：US07306969B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11187552

申请日：2005-07-22

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105 ,  H01L2251/5369

摘要： A method is disclosed for making a metal electrode which minimizes the contact resistance between it and an organic semiconductor. Acid-stabilized metal nanoparticles are deposited upon a substrate and annealed. This creates a metal electrode and releases acid. Upon deposition of semiconductor and subsequent annealing, the acid diffuses from the electrode into the semiconductor layer and acts as a dopant, minimizing the contact resistance. The use of oleic acid-stabilized silver nanoparticles is demonstrated.

摘要翻译： 公开了一种用于制造使其与有机半导体之间的接触电阻最小化的金属电极的方法。 将酸稳定的金属纳米颗粒沉积在基底上并退火。 这产生一个金属电极并释放酸。 在沉积半导体和随后的退火时，酸从电极扩散到半导体层中并充当掺杂剂，使接触电阻最小化。 证明了使用油酸稳定的银纳米颗粒。

公开(公告)号：US20070235722A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11399064

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a semiconductive material of Formula or structure (I) wherein each R1, R2, R3 and R4 are independently hydrogen (H), a heteroatom containing group, a suitable hydrocarbon, or a halogen; Ar and Ar′ each independently represents an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f and g represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR′″ wherein R′″ is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，其包含式或结构（I）的半导体材料，其中每个R 1，R 2，R 3和R 3， 4个独立地是氢（H），含杂原子的基团，合适的烃或卤素; Ar和Ar'各自独立地表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR“，其中R”“是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。