公开(公告)号：US08609867B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13366857

申请日：2012-02-06

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： C07D487/04 ,  C07D487/14

CPC分类号： H01L51/0072 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0541

摘要： A substituted indolocarbazole comprising at least one optionally substituted thienyl.

摘要翻译： 包含至少一个任选取代的噻吩基的取代的吲哚咔唑。

公开(公告)号：US08084765B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US11745308

申请日：2007-05-07

申请人： Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L27/01 ,  B32B9/04 ,  C07F7/04 ,  C08F12/24 ,  C08G12/14 ,  C08K5/24

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08K5/5419 ,  C08K5/549 ,  C08L25/18 ,  C08L61/28 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/3122 ,  H01L51/052 ,  Y10T428/31663

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor, is disclosed having a dielectric layer formed from a composition comprising a compound having at least one phenol group and at least one group containing comprising silicon. The resulting dielectric layer has good electrical properties.

摘要翻译： 公开了一种电子器件，例如薄膜晶体管，其具有由包括具有至少一个酚基的化合物和至少一个含有硅的基团的组合物形成的介电层。 所得的电介质层具有良好的电性能。

公开(公告)号：US08049205B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US11398931

申请日：2006-04-06

申请人： Beng S. Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0558

摘要： An electronic device comprising a semiconductive material of Formula (I) wherein R is a suitable hydrocarbon or a heteroatom containing group; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式（I）的半导体材料的电子器件，其中R是合适的烃或含杂原子的基团; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20110034668A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12907357

申请日：2010-10-19

申请人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Beng S. Ong ,  Hualong Pan ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： C08G75/06

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor containing a semiconductor of the Formula: wherein R, R′ and R″ are, for example, independently hydrogen, a suitable hydrocarbon, a suitable hetero-containing group, a halogen, or mixtures thereof; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种电子器件，例如含有下式的半导体的薄膜晶体管：其中R，R'和R“例如独立地为氢，合适的烃，合适的含杂基团，卤素或其混合物 ; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US20100230670A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12791928

申请日：2010-06-02

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： H01L51/30 ,  C07D487/02

CPC分类号： C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： An electronic device including a compound comprising at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括包含至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一种二价键的化合物的电子器件。

公开(公告)号：US07795373B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11399091

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： C08G75/00 ,  C08G65/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G61/02 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer of Formula or structure (I) wherein at least one of R1 and R2 is a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteratom containing group, or a halogen; Ar and Ar′ represent an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f, and g represent the number of groups or rings, respectively; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 式（I）的聚合物，其中R 1和R 2中的至少一个是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar和Ar'表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07705111B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11399246

申请日：2006-04-06

申请人： Beng S. Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Yuning Li ,  Yiliang Wu

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0558

摘要： A polymer of the following formula wherein R is a suitable hydrocarbon or a heteroatom containing group; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 下式的聚合物其中R是合适的烃或含杂原子的基团; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07586120B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11399169

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0041 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula (I) wherein at least one of R1 and R2 is a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar and Ar′ represent an aromatic moiety; x, y, a, b, c, d, e, f, and g represent the number of groups or rings, respectively; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式（I）的聚合物的电子器件，其中R 1和R 2中的至少一个是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar和Ar'表示芳族部分; x，y，a，b，c，d，e，f和g分别表示基团或环的数目; n表示重复单元的数量。

公开(公告)号：US07456424B2

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US11167485

申请日：2005-06-27

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yuning Li

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0067

摘要： A thin film transistor composed of a semiconductor layer including an optionally substituted indolocarbazole.

摘要翻译： 一种由包括任选取代的吲哚咔唑的半导体层组成的薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07449715B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11399231

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0074 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprising a polymer of Formula or structure (I) wherein R1 is hydrogen, halogen, a suitable hydrocarbon, or a heteroatom containing group; R2 is hydrogen, a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; R3 and R4 are independently a suitable hydrocarbon, hydrogen, a heteroatom containing group, or a halogen; Ar is an aromatic component; x, y, a, b, and c represent the number of groups or rings, respectively; Z represents sulfur, oxygen, selenium, or NR wherein R is hydrogen, alkyl, or aryl; and n represents the number of repeating units.

摘要翻译： 一种包含式或其结构（I）的聚合物的电子器件，其中R 1是氢，卤素，合适的烃或含杂原子的基团; R 2是氢，适合的烃，含杂原子的基团或卤素; R 3和R 4独立地是合适的烃，氢，含杂原子的基团或卤素; Ar是芳香族成分; x，y，a，b和c分别表示基团或环的数目; Z表示硫，氧，硒或NR，其中R是氢，烷基或芳基; n表示重复单元的数量。