公开(公告)号：US20060224528A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11096782

申请日：2005-03-31

申请人： Wei Liu ,  Junwei Bao

发明人： Wei Liu ,  Junwei Bao

IPC分类号： G06F15/18

CPC分类号： G06N99/005 ,  G03F7/70625

摘要： Split machine learning systems can be used to generate an output for an input. When the input is received, a determination is made as to whether the input is within a first, second, or third range of values. If the input is within the first range, the output is generated using a first machine learning system. If the input is within the second range, the output is generated using a second machine learning system. If the input is within the third range, the output is generated using the first and second machine learning systems.

摘要翻译： 分割机学习系统可用于生成输入的输出。 当接收到输入时，确定输入是否在第一，第二或第三范围内。 如果输入在第一范围内，则使用第一机器学习系统生成输出。 如果输入在第二范围内，则使用第二机器学习系统生成输出。 如果输入在第三范围内，则使用第一和第二机器学习系统生成输出。

公开(公告)号：US20060181713A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11061330

申请日：2005-02-17

申请人： Joerg Bischoff ,  Junwei Bao

发明人： Joerg Bischoff ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/02

CPC分类号： G01N21/95607 ,  G01B11/22 ,  G01B11/24 ,  G01N21/4788 ,  H01L22/12

摘要： A structure formed on a wafer can be examined by directing an incident pulse at the structure, the incident pulse being a sub-picosecond optical pulse. A diffraction pulse resulting from the incident pulse diffracting from the structure is measured. A characteristic of the profile of the structure is then determined based on the measured diffraction pulse.

摘要翻译： 可以通过将入射脉冲定向在晶体结构上，入射脉冲是亚皮秒光脉冲来检查晶片上形成的结构。 测量从结构衍射的入射脉冲产生的衍射脉冲。 然后基于测量的衍射脉冲确定结构轮廓的特性。

公开(公告)号：US20060119863A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11003961

申请日：2004-12-03

申请人： Shifang Li ,  Junwei Bao

发明人： Shifang Li ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/24 ,  G01B11/14

CPC分类号： G03F7/70625

摘要： A structure formed on a semiconductor wafer is examined by obtaining a first diffraction signal measured from the structure using an optical metrology device. A first profile is obtained from a first machine learning system using the first diffraction signal obtained as an input to the first machine learning system. The first machine learning system is configured to generate a profile as an output for a diffraction signal received as an input. A second profile is obtained from a second machine learning system using the first profile obtained from the first machine learning system as an input to the second machine learning system. The second machine learning system is configured to generate a diffraction signal as an output for a profile received as an input. The first and second profiles include one or more parameters that characterize one or more features of the structure.

摘要翻译： 通过使用光学测量装置获得从该结构测量的第一衍射信号来检查形成在半导体晶片上的结构。 使用作为第一机器学习系统的输入获得的第一衍射信号从第一机器学习系统获得第一轮廓。 第一机器学习系统被配置为生成作为作为输入接收的衍射信号的输出的轮廓。 使用从第一机器学习系统获得的第一轮廓作为第二机器学习系统的输入，从第二机器学习系统获得第二轮廓。 第二机器学习系统被配置为产生衍射信号作为作为输入接收的轮廓的输出。 第一和第二简档包括表征结构的一个或多个特征的一个或多个参数。

公开(公告)号：US20050128489A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10735212

申请日：2003-12-12

申请人： Junwei Bao ,  Vi Vuong ,  Manuel Madriaga ,  Daniel Prager

发明人： Junwei Bao ,  Vi Vuong ,  Manuel Madriaga ,  Daniel Prager

IPC分类号： G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01B15/04 ,  G01B21/20 ,  G01Q80/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01B11/303 ,  G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： The profile of an integrated circuit structure is determined by obtaining a measured metrology signal and a first simulated metrology signal, which has an associated profile model of the structure defined by a set of profile parameters. When the two signals match within a first termination criterion, at least one profile parameter is selected from the set of profile parameters. A value for the selected profile parameter is determined. A second simulated metrology signal having an associated profile model of the structure defined by a set of profile parameters with at least one profile parameter equal or close to the determined value for the selected profile parameter is obtained. When the measured and the second simulated metrology signals match within a second termination criterion, values for one or more remaining profile parameters are determined from the set of profile parameters associated with the second simulated metrology signal.

摘要翻译： 通过获得测量的测量信号和第一模拟测量信号来确定集成电路结构的轮廓，该测量信号具有由一组轮廓参数定义的结构的相关联的轮廓模型。 当两个信号在第一终止标准中匹配时，从简档参数集中选择至少一个简档参数。 确定所选配置文件参数的值。 获得具有由一组轮廓参数定义的结构的关联轮廓模型的第二模拟计量信号，其中至少一个轮廓参数等于或接近所选轮廓参数的确定值。 当所测量的和第二模拟测量信号在第二终止标准内匹配时，从与第二模拟测量信号相关联的轮廓参数的集合确定一个或多个剩余轮廓参数的值。

公开(公告)号：US20140032463A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US14044729

申请日：2013-10-02

申请人： Wen Jin ,  Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Lie-Quan Lee ,  Leonid Poslavsky

发明人： Wen Jin ,  Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Lie-Quan Lee ,  Leonid Poslavsky

IPC分类号： G06N3/08

CPC分类号： G06N3/08 ,  G06N3/0454

摘要： Approaches for accurate neural network training for library-based critical dimension (CD) metrology are described. Approaches for fast neural network training for library-based CD metrology are also described.

摘要翻译： 描述了基于图书馆的关键维度（CD）计量学的准确神经网络训练的方法。 还介绍了基于图书馆的CD测量的快速神经网络训练方法。

公开(公告)号：US20120199287A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13444746

申请日：2012-04-11

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/211 ,  G01N2021/215

摘要： Metrology data from a semiconductor treatment system is transformed using multivariate analysis. In particular, a set of metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. One or more essential variables for the obtained set of metrology data is determined using multivariate analysis. A first metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. The first obtained metrology data is not one of the metrology data in the set of metrology data earlier obtained. The first metrology data is transformed into a second metrology data using the one or more of the determined essential variables.

摘要翻译： 来自半导体处理系统的测量数据使用多变量分析进行转换。 特别地，获得了对使用该处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的一组度量数据。 使用多变量分析确定获得的度量数据集的一个或多个基本变量。 获得用于使用处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的第一测量数据。 获得的第一个测量数据不是之前获得的测量数据集中的度量数据之一。 使用所确定的一个或多个基本变量将第一计量数据转换成第二计量数据。

公开(公告)号：US08170833B2

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：US12336435

申请日：2008-12-16

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao ,  Yan Chen ,  Weichert Heiko ,  Sebastien Egret

IPC分类号： G06F17/18

CPC分类号： G01N21/4788 ,  G01N21/211 ,  G01N2021/215

摘要： Metrology data from a semiconductor treatment system is transformed using multivariate analysis. In particular, a set of metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. One or more essential variables for the obtained set of metrology data is determined using multivariate analysis. A first metrology data measured or simulated for one or more substrates treated using the treatment system is obtained. The first obtained metrology data is not one of the metrology data in the set of metrology data earlier obtained. The first metrology data is transformed into a second metrology data using the one or more of the determined essential variables.

摘要翻译： 来自半导体处理系统的测量数据使用多变量分析进行转换。 特别地，获得了对使用该处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的一组度量数据。 使用多变量分析确定获得的度量数据集的一个或多个基本变量。 获得用于使用处理系统处理的一个或多个基底测量或模拟的第一测量数据。 获得的第一个测量数据不是之前获得的测量数据集中的度量数据之一。 使用所确定的一个或多个基本变量将第一计量数据转换成第二计量数据。

公开(公告)号：US07667858B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11653061

申请日：2007-01-12

申请人： Jeffrey Alexander Chard ,  Junwei Bao ,  Manuel Madriaga

发明人： Jeffrey Alexander Chard ,  Junwei Bao ,  Manuel Madriaga

IPC分类号： G01B11/14

CPC分类号： H01L22/12 ,  G03F7/70625 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A process step in fabricating a structure on a wafer in a wafer application having one or more process steps and one or more process parameters is controlled by determining a correlation between a set of profile models and one or more key profile shape variables. Each profile model is defined using a set of profile parameters to characterize the shape of the structure. Different sets of profile parameters define the profile models in the set. The one or more key profile shape variables include one or more profile parameters or one or more process parameters. One profile model is selected from the set of profile models based on the correlation and a value of at least one key profile shape variable of the process of the wafer application to be used in fabricating the structure. The structure is fabricated in a first fabrication process cluster using the process step and the value of the at least one key profile shape variable. A measured diffraction signal is obtained off the structure. One or more profile parameters of the structure are determined based on the measured diffraction signal and the selected profile model. The one or more determined profile parameters are transmitted to the first fabrication process cluster or a second fabrication process cluster.

摘要翻译： 通过确定一组轮廓模型和一个或多个关键轮廓形状变量之间的相关性来控制在具有一个或多个处理步骤和一个或多个处理参数的晶片应用中制造晶片上的结构的工艺步骤。 使用一组轮廓参数来定义每个轮廓模型以表征结构的形状。 不同的配置参数集定义集合中的配置文件模型。 一个或多个关键轮廓形状变量包括一个或多个轮廓参数或一个或多个过程参数。 基于相关性和用于制造结构的晶片应用的处理的至少一个关键轮廓形状变量的值，从该组轮廓模型中选择一个轮廓模型。 该结构在第一制造工艺组中使用工艺步骤和至少一个关键型材形状变量的值来制造。 从该结构获得测量的衍射信号。 基于所测量的衍射信号和选择的轮廓模型来确定结构的一个或多个轮廓参数。 一个或多个确定的轮廓参数被传送到第一制造过程集群或第二制造过程集群。

公开(公告)号：US07617075B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11946821

申请日：2007-11-28

申请人： Shifang Li ,  Junwei Bao ,  Wei Liu

发明人： Shifang Li ,  Junwei Bao ,  Wei Liu

IPC分类号： G06F15/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： The accuracy of a library of simulated-diffraction signals for use in optical metrology of a structure formed on a wafer is evaluated by utilizing an identity relationship inherent to simulated diffraction signals. Each simulated diffraction signal contains at least one set of four reflectivity parameters for a wavelength and/or angle of incidence. One of the four reflectivity parameters is selected. A value for the selected reflectivity parameter is determined using the identity relationship and values of the remaining three reflectivity parameters. The determined value for the selected reflectivity parameter is compared to the value in the obtained set of four reflectivity parameters to evaluate and improve the accuracy of the library. The identity relationship can also be used to reduce the data storage in a library.

摘要翻译： 通过利用模拟衍射信号固有的身份关系来评估用于在晶片上形成的结构的光学计量学中的模拟衍射信号库的精度。 每个模拟衍射信号包含用于波长和/或入射角的至少一组四个反射率参数。 选择四个反射率参数之一。 使用身份关系和剩余的三个反射率参数的值确定所选反射率参数的值。 将所选反射率参数的确定值与获得的四个反射率参数组中的值进行比较，以评估和提高库的准确性。 身份关系也可用于减少库中的数据存储。

公开(公告)号：US07596422B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11653062

申请日：2007-01-12

申请人： Jeffrey Alexander Chard ,  Junwei Bao

发明人： Jeffrey Alexander Chard ,  Junwei Bao

IPC分类号： G06F19/00 ,  G01B9/00 ,  G01J4/00 ,  G01N21/55 ,  G01J3/00

CPC分类号： G01N23/20 ,  G03F7/70625 ,  H01L22/12

摘要： One or more profile parameters of a structure fabricated on a wafer in a wafer application are determined by developing a correlation between a set of profile models and one or more key profile shape variables. The wafer application has one or more process steps and one or more process parameters. Each profile model is defined using a set of profile parameters to characterize the shape of the structure. Different sets of profile parameters define the profile models in the set. The one or more key profile shape variables include one or more profile parameters or one or more process parameters. A value of at least one key profile shape variable of the process step of the wafer application to be used in fabricating the structure is determined. One profile model is selected from the set of profile models based on the determined correlation and the value of the at least one determined key profile shape variable. The structure is fabricated using the process step and the value of the at least one determined key profile shape variable determined. A measured diffraction signal off the fabricated structure is obtained. One or more profile parameters of the fabricated structure are determined based on the measured diffraction signal and the selected profile model.

摘要翻译： 通过在一组轮廓模型和一个或多个关键轮廓形状变量之间形成相关性来确定在晶片应用中在晶片上制造的结构的一个或多个轮廓参数。 晶片应用具有一个或多个工艺步骤和一个或多个工艺参数。 使用一组轮廓参数来定义每个轮廓模型以表征结构的形状。 不同的配置参数集定义集合中的配置文件模型。 一个或多个关键轮廓形状变量包括一个或多个轮廓参数或一个或多个过程参数。 确定要在制造结构中使用的晶片应用的处理步骤的至少一个关键轮廓形状变量的值。 基于所确定的相关性和至少一个确定的关键轮廓形状变量的值，从所述轮廓模型集中选择一个轮廓模型。 使用处理步骤和确定的至少一个确定的关键轮廓形状变量的值来制造该结构。 获得关于制造结构的测量的衍射信号。 基于所测量的衍射信号和选定的轮廓模型来确定所制造结构的一个或多个轮廓参数。