公开(公告)号：US20070241389A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11783934

申请日：2007-04-13

申请人： Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Masayuki Tanaka ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Daisuke Nishida ,  Ryota Fujitsuka

发明人： Yoshio Ozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Masayuki Tanaka ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Daisuke Nishida ,  Ryota Fujitsuka

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7883 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a plurality of nonvolatile memory cells provided on the semiconductor substrate, each of the plurality of nonvolatile memory cells comprising a first insulating film provided on the semiconductor substrate, a charge storage layer provided on the first insulating film, a control gate electrode provided above the charge storage layer, a second insulating film provided between the control gate electrode and the charge storage layer, the second insulating film between adjacent charge storage layers including a first region having permittivity lower than that of the second insulating film on a top surface of the charge storage layer in a cross-section view of a channel width direction of the nonvolatile memory cell, and the first region having composition differing from that of the second insulating film on the top surface of the charge storage layer.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，设置在半导体衬底上的多个非易失性存储单元，所述多个非易失性存储单元中的每一个包括设置在所述半导体衬底上的第一绝缘膜，设置在所述第一绝缘膜上的电荷存储层， 设置在所述电荷存储层上方的控制栅电极，设置在所述控制栅电极和所述电荷存储层之间的第二绝缘膜，所述相邻电荷存储层之间的所述第二绝缘膜包括具有低于所述第二绝缘膜的介电常数的第一区域 在电荷存储层的顶表面上，以非易失性存储单元的沟道宽度方向的横截面视图，并且第一区域具有与电荷存储层的顶表面上的第二绝缘膜不同的组成。

公开(公告)号：US20070196985A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：US11699502

申请日：2007-01-30

申请人： Yoshio Ozawa ,  Isao Kamioka ,  Junichi Shiozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ryota Fujitsuka ,  Yoshihiro Ogawa ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Masayuki Tanaka ,  Daisuke Nishida

发明人： Yoshio Ozawa ,  Isao Kamioka ,  Junichi Shiozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ryota Fujitsuka ,  Yoshihiro Ogawa ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Masayuki Tanaka ,  Daisuke Nishida

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： A semiconductor memory device manufacturing method includes forming a floating gate electrode above a semiconductor substrate, forming an interelectrode insulating film above the floating gate electrode, forming a first radical nitride film on a surface of the interelectrode insulating film by first radical nitriding, and forming a control gate electrode on the first radical nitride film.

摘要翻译： 一种半导体存储器件制造方法，包括在半导体衬底上形成浮置栅电极，在浮置栅电极上形成电极间绝缘膜，通过第一自由基氮化在电极间绝缘膜的表面上形成第一自由基氮化物膜， 第一自由基氮化物膜上的控制栅电极。

公开(公告)号：US20070063266A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11520698

申请日：2006-09-14

申请人： Katsuaki Natori ,  Masayuki Tanaka ,  Hirokazu Ishida ,  Katsuyuki Sekine ,  Masumi Matsuzaki

发明人： Katsuaki Natori ,  Masayuki Tanaka ,  Hirokazu Ishida ,  Katsuyuki Sekine ,  Masumi Matsuzaki

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/513

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor region; a first high dielectric constant insulating film provided on the semiconductor region, the first high dielectric constant insulating film being a film other than alumina; a second high dielectric constant insulating film provided on the first high dielectric constant insulating film, the second high dielectric constant insulating film being an alumina film; and a conductive layer provided on the second high dielectric constant insulating film.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体区域; 设置在所述半导体区域上的第一高介电常数绝缘膜，所述第一高介电常数绝缘膜是氧化铝以外的膜; 设置在第一高介电常数绝缘膜上的第二高介电常数绝缘膜，第二高介电常数绝缘膜是氧化铝膜; 以及设置在第二高介电常数绝缘膜上的导电层。

公开(公告)号：US20070020957A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11270536

申请日：2005-11-10

申请人： Ichiro Mizushima ,  Masayuki Tanaka ,  Katsuaki Natori ,  Yoshio Ozawa ,  Seiji Inumiya ,  Katsuyuki Sekine ,  Tetsuya Kai

发明人： Ichiro Mizushima ,  Masayuki Tanaka ,  Katsuaki Natori ,  Yoshio Ozawa ,  Seiji Inumiya ,  Katsuyuki Sekine ,  Tetsuya Kai

IPC分类号： B05D3/08 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02236 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： A method of forming an insulating film includes forming a base film comprising a material whose surface is oxidized by being exposed to an oxidant. A source gas containing a metal material and a first oxidant having a first oxidation force are alternately supplied to form a first insulating film on the base film. A source gas containing a metal material and a second oxidant having a second oxidation force stronger than the first oxidation force are alternately supplied to form a second insulating film on the first insulating film.

摘要翻译： 形成绝缘膜的方法包括形成包括通过暴露于氧化剂而使其表面被氧化的材料的基膜。 交替地供给含有金属材料的源气体和具有第一氧化力的第一氧化剂，以在基膜上形成第一绝缘膜。 交替地供给含有金属材料的源气体和具有比第一氧化力更强的第二氧化力的第二氧化剂，以在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜。