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公开(公告)号：US6045966A
公开(公告)日：2000-04-04
申请号：US991034
申请日：1997-12-15
申请人： M. Dalil Rahman , Michelle Cook , Ping-Hung Lu
发明人： M. Dalil Rahman , Michelle Cook , Ping-Hung Lu
CPC分类号： G03F7/0236 , C08G8/00 , C08G8/08
摘要： The present invention provides a method for producing a film forming, fractionated novolak resin having consistent molecular weight and superior performance in photoresist composition, by isolating such a novolak resin fraction. A method is also provided for producing photoresist composition from such a fractionated novolak resin and for producing semiconductor devices using such a photoresist composition.
摘要翻译： 本发明提供通过分离这种酚醛清漆树脂级分来制备具有一致的分子量和光致抗蚀剂组合物性能优异的成膜分级酚醛清漆树脂的方法。 还提供了一种从这种分级酚醛清漆树脂制备光致抗蚀剂组合物并用于制备使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的方法。
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82.发明授权Metal ion reduction in photoresist compositions by chelating ion exchange resin 失效通过螯合离子交换树脂在光致抗蚀剂组合物中金属离子还原
公开(公告)号：US5962183A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：US562867
申请日：1995-11-27
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
CPC分类号： C08G8/00 , G03F7/0233 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing a photoresist having a very low level of metal ions, utilizing a treated chelating ion exchange resins to make the neutral ammonium salt or acid form. A method is also provided for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供使用经过处理的螯合离子交换树脂制备中等铵盐或酸形式的具有非常低水平金属离子的光致抗蚀剂的方法。 还提供了一种用于制造使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的方法。
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公开(公告)号：US5853954A
公开(公告)日：1998-12-29
申请号：US768539
申请日：1996-12-18
申请人： M. Dalil Rahman , Ping-Hung Lu
发明人： M. Dalil Rahman , Ping-Hung Lu
CPC分类号： C08G8/08 , C08G16/0293 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides a method for producing a film forming, fractionated novolak resin having consistent molecular weight and superior performance in photoresist composition, by isolating such novolak resin fractions without high temperature distillation. A method is also provided for producing photoresist composition from such a fractionated novolak resin and for producing semiconductor devices using such a photoresist composition.
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84.发明授权Process for producing surfactant having a low metal ion level and developer produced therefrom 失效具有低金属离子水平的表面活性剂和由其制备的显影剂的方法
公开(公告)号：US5750031A
公开(公告)日：1998-05-12
申请号：US533828
申请日：1995-09-26
申请人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
发明人： M. Dalil Rahman , Daniel P. Aubin
IPC分类号： B01D15/04 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32
摘要： The present invention provides a process for producing a developer containing a surfactant which contains a very low level of metal ions.
摘要翻译： 本发明提供了含有含有非常低水平的金属离子的表面活性剂的显影剂的制造方法。
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85.发明授权Acidic ion exchange resin as a catalyst to synthesize a novolak resin and photoresist composition therefrom 失效酸性离子交换树脂作为催化剂合成酚醛清漆树脂及其光致抗蚀剂组合物
公开(公告)号：US5665517A
公开(公告)日：1997-09-09
申请号：US587874
申请日：1996-01-11
CPC分类号： C08G8/10 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having consistent molecular weight and a very low level of metal ions, utilizing a solid acid condensation catalyst. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了利用固体酸缩合催化剂生产具有一致分子量和非常低水平的金属离子的水不溶性水溶性酚醛清漆树脂的方法。 还提供了一种用于生产具有来自这种酚醛清漆树脂的非常低水平的金属离子并且使用这种光致抗蚀剂组合物制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物的方法。
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86.发明授权Metal ion reduction in novolak resins solution in PGMEA by chelating ion exchange resin 失效通过螯合离子交换树脂在PGMEA中酚醛清漆树脂溶液中的金属离子还原
公开(公告)号：US5614352A
公开(公告)日：1997-03-25
申请号：US366614
申请日：1994-12-30
申请人： M. Dalil Rahman
发明人： M. Dalil Rahman
CPC分类号： C08G8/00 , G03F7/0236 , Y10S438/948
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having a very low level of metal ions, utilizing treated chelated ion exchange resins to make the neutral ammonium salt or acid form. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了使用经过处理的螯合离子交换树脂制备中性铵盐或酸形式的具有非常低水平金属离子的水不溶性水溶性酚醛清漆树脂的方法。 还提供了一种用于生产具有来自这种酚醛清漆树脂的非常低水平的金属离子并且使用这种光致抗蚀剂组合物制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物的方法。
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公开(公告)号：US5614349A
公开(公告)日：1997-03-25
申请号：US997942
申请日：1992-12-29
CPC分类号： C08G8/08 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having a precise and consistent molecular weight, by adjusting the concentration of Lewis base. A method is also provided for producing photoresist composition from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了通过调节路易斯碱的浓度来制备具有精确和一致分子量的水不溶性水溶性酚醛清漆树脂的方法。 还提供了用于由这种酚醛清漆树脂制造光致抗蚀剂组合物并用于制备使用这种光致抗蚀剂组合物的半导体器件的方法。
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公开(公告)号：US5580949A
公开(公告)日：1996-12-03
申请号：US458588
申请日：1995-06-02
申请人： M. Dalil Rahman , Dana L. Durham
发明人： M. Dalil Rahman , Dana L. Durham
CPC分类号： C08G8/08 , G03F7/0236
摘要： The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble novolak resins having a very low level of metal ions, utilizing treated ion exchange resins. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such novolak resins and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
摘要翻译： 本发明提供了利用处理的离子交换树脂生产具有非常低的金属离子含量的水不溶性碱性水溶性酚醛清漆树脂的方法。 还提供了一种用于生产具有来自这种酚醛清漆树脂的非常低水平的金属离子并且使用这种光致抗蚀剂组合物制造半导体器件的光致抗蚀剂组合物的方法。
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