公开(公告)号：US07897495B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US11609608

申请日：2006-12-12

申请人： Zhiyuan Ye ,  Andrew M. Lam ,  Yihwan Kim

发明人： Zhiyuan Ye ,  Andrew M. Lam ,  Yihwan Kim

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

摘要： Methods for formation of epitaxial layers containing silicon are disclosed. Specific embodiments pertain to the formation and treatment of epitaxial layers in semiconductor devices, for example, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) devices. In specific embodiments, the formation of the epitaxial layer involves exposing a substrate in a process chamber to deposition gases including two or more silicon source such as silane and a higher order silane. Embodiments include flowing dopant source such as a phosphorus dopant, during formation of the epitaxial layer, and continuing the deposition with the silicon source gas without the phosphorus dopant.

摘要翻译： 公开了形成含硅外延层的方法。 具体实施例涉及半导体器件中的外延层的形成和处理，例如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。 在具体实施例中，外延层的形成涉及将处理室中的衬底暴露于包括两个或多个硅源（例如硅烷和高级硅烷）的沉积气体。 实施例包括在形成外延层期间流动掺杂剂源，例如磷掺杂剂，并且在没有磷掺杂剂的情况下继续沉积硅源气体。

公开(公告)号：US20080138955A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11609590

申请日：2006-12-12

申请人： Zhiyuan Ye ,  Andrew M. Lam ,  Yihwan Kim

发明人： Zhiyuan Ye ,  Andrew M. Lam ,  Yihwan Kim

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

摘要： Methods for formation of epitaxial layers containing silicon are disclosed. Specific embodiments pertain to the formation and treatment of epitaxial layers in semiconductor devices, for example, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) devices. In specific embodiments, the formation of the epitaxial layer involves exposing a substrate in a process chamber to deposition gases including two or more silicon source such as silane and a higher order silane. Embodiments include flowing dopant source such as a phosphorus dopant, during formation of the epitaxial layer, and continuing the deposition with the silicon source gas without the phosphorus dopant.

摘要翻译： 公开了形成含硅外延层的方法。 具体实施例涉及半导体器件中的外延层的形成和处理，例如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。 在具体实施例中，外延层的形成涉及将处理室中的衬底暴露于包括两个或多个硅源（例如硅烷和高级硅烷）的沉积气体。 实施例包括在形成外延层期间流动掺杂剂源，例如磷掺杂剂，并且在没有磷掺杂剂的情况下继续沉积硅源气体。

公开(公告)号：US07588980B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11830830

申请日：2007-07-30

申请人： Yihwan Kim ,  Andrew M. Lam

发明人： Yihwan Kim ,  Andrew M. Lam

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661

摘要： A first aspect of the invention provides a method of selectively forming an epitaxial layer on a substrate. The method includes heating the substrate to a temperature of less than about 800° C. and employing both silane and dichlorosilane as silicon sources during epitaxial film formation. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 本发明的第一方面提供了一种在衬底上选择性地形成外延层的方法。 该方法包括在外延膜形成期间将基板加热至低于约800℃的温度，同时采用硅烷和二氯硅烷作为硅源。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US07488690B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US10885969

申请日：2004-07-06

申请人： R. Suryanarayanan Iyer ,  Andrew M. Lam ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Jacob W. Smith ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Randhir P. Singh Thakur ,  Sunderraj Thirupapuliyur

发明人： R. Suryanarayanan Iyer ,  Andrew M. Lam ,  Yuji Maeda ,  Thomas Mele ,  Jacob W. Smith ,  Sean M. Seutter ,  Sanjeev Tandon ,  Randhir P. Singh Thakur ,  Sunderraj Thirupapuliyur

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/425 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843

摘要： An assembly comprises a multilayer nitride stack having nitride etch stop layers formed on top of one another, each of the nitride etch stop layers is formed using a film forming process. A method of making the multilayer nitride stack includes placing a substrate in a single wafer deposition chamber and thermally shocking the substrate momentarily prior to deposition. A first nitride etch stop layer is deposited over the substrate. A second nitride etch stop layer is deposited over the first nitride etch stop layer.

摘要翻译： 组件包括具有形成在彼此之上的氮化物蚀刻停止层的多层氮化物堆叠，每个氮化物蚀刻停止层使用成膜工艺形成。 制造多层氮化物堆叠的方法包括将衬底放置在单个晶片沉积室中，并在沉积之前瞬间热冲击衬底。 在衬底上沉积第一氮化物蚀刻停止层。 在第一氮化物蚀刻停止层上沉积第二氮化物蚀刻停止层。

公开(公告)号：US20080138964A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11609608

申请日：2006-12-12

申请人： Zhiyuan Ye ,  Andrew M. Lam ,  Yihwan Kim

发明人： Zhiyuan Ye ,  Andrew M. Lam ,  Yihwan Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

摘要： Methods for formation of epitaxial layers containing silicon are disclosed. Specific embodiments pertain to the formation and treatment of epitaxial layers in semiconductor devices, for example, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) devices. In specific embodiments, the formation of the epitaxial layer involves exposing a substrate in a process chamber to deposition gases including two or more silicon source such as silane and a higher order silane. Embodiments include flowing dopant source such as a phosphorus dopant, during formation of the epitaxial layer, and continuing the deposition with the silicon source gas without the phosphorus dopant.

摘要翻译： 公开了形成含硅外延层的方法。 具体实施例涉及半导体器件中的外延层的形成和处理，例如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件。 在具体实施例中，外延层的形成涉及将处理室中的衬底暴露于包括两个或多个硅源（例如硅烷和高级硅烷）的沉积气体。 实施例包括在形成外延层期间流动掺杂剂源，例如磷掺杂剂，并且在没有磷掺杂剂的情况下继续沉积硅源气体。