公开(公告)号：US20060189068A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11333222

申请日：2006-01-17

申请人： David Larkin ,  Ashish Gokhale ,  Dhaval Saraiya ,  Quang Mai

发明人： David Larkin ,  Ashish Gokhale ,  Dhaval Saraiya ,  Quang Mai

IPC分类号： H01L21/8244 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/312 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L29/94

摘要： The present invention provides an integrated high voltage capacitor, a method of manufacture therefore, and an integrated circuit chip including the same. The integrated high voltage capacitor, among other features, includes a first capacitor plate (120) located over or in a substrate (105), and an insulator (130) located over the first capacitor plate (120), at least a portion of the insulator (130) comprising an interlevel dielectric layer (135, 138, 143, or 148). The integrated high voltage capacitor further includes a second capacitor plate (160) located over the insulator (130) and a top-level dielectric layer (199) located at least partially along a sidewall of the second capacitor plate (160).

摘要翻译： 本发明提供了一种集成的高压电容器，因此制造方法和包括其的集成电路芯片。 集成的高压电容器以及其他特征包括位于基板（105）上方或基板（105）上的第一电容器板（120）和位于第一电容器板（120）上方的绝缘体（130），至少一部分 绝缘体（130）包括层间电介质层（135,138,143或148）。 集成的高压电容器还包括位于绝缘体（130）上的第二电容器板（160）和至少部分地沿着第二电容器板（160）的侧壁定位的顶级介质层（199）。

公开(公告)号：US20060189089A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11250047

申请日：2005-10-13

申请人： David Larkin ,  Lily Springer ,  Makoto Takemura ,  Ashish Gokhale ,  Dhaval Saraiya

发明人： David Larkin ,  Lily Springer ,  Makoto Takemura ,  Ashish Gokhale ,  Dhaval Saraiya

IPC分类号： H02M3/335 ,  H01L21/20 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an integrated high voltage capacitor, a method of manufacture therefore, and an integrated circuit chip including the same. The integrated high voltage capacitor, among other features, includes a first capacitor plate (120) located over or in a semiconductor substrate (105), and an insulator (130) located over the first capacitor plate (120), at least a portion of the insulator (130) comprising an interlevel dielectric layer (135, 138, 143, or 148). The integrated high voltage capacitor further includes capacitance uniformity structures (910) located at least partially within the insulator (130) and a second capacitor plate (160) located over the insulator (130).

摘要翻译： 本发明提供一种集成的高压电容器，因此制造方法以及包括该高压电容器的集成电路芯片。 集成的高压电容器以及其它特征包括位于半导体衬底（105）上方或半导体衬底（105）中的第一电容器板（120）和位于第一电容器板（120）上方的绝缘体（130），至少一部分 所述绝缘体（130）包括层间介电层（135,138,143或148）。 集成高压电容器还包括至少部分位于绝缘体（130）内的电容均匀性结构（910）和位于绝缘体（130）上方的第二电容器板（160）。

公开(公告)号：US20060186450A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11249535

申请日：2005-10-13

申请人： David Larkin ,  Lily Springer ,  Makoto Takemura ,  Ashish Gokhale ,  Dhaval Saraiya

发明人： David Larkin ,  Lily Springer ,  Makoto Takemura ,  Ashish Gokhale ,  Dhaval Saraiya

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/94

摘要： The present invention provides an integrated high voltage capacitor, a method of manufacture therefore, and an integrated circuit chip including the same. The integrated high voltage capacitor, among other features, includes a first capacitor plate (120) located over or in a semiconductor substrate (105), and an insulator (130) located over the first capacitor plate (120), at least a portion of the insulator (130) comprising an interlevel dielectric layer (135, 138, 143, or 148). The integrated high voltage capacitor further includes a second capacitor plate (160) located over the insulator (130).

摘要翻译： 本发明提供了一种集成的高压电容器，因此制造方法和包括其的集成电路芯片。 集成的高压电容器以及其它特征包括位于半导体衬底（105）上方或半导体衬底（105）中的第一电容器板（120）和位于第一电容器板（120）上方的绝缘体（130），至少一部分 绝缘体（130）包括层间介电层（135,138,143或148）。 集成高压电容器还包括位于绝缘体（130）上方的第二电容器板（160）。