公开(公告)号：US06194738B1

公开(公告)日：2001-02-27

申请号：US09032417

申请日：1998-02-27

申请人： Brett Debenham ,  Kim Pierce ,  Douglas J. Cutter ,  Kurt Beigel ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien Luong ,  Hua Zheng ,  Michael Shore ,  Jeffrey P. Wright ,  Adrian E. Ong ,  Todd A. Merritt

发明人： Brett Debenham ,  Kim Pierce ,  Douglas J. Cutter ,  Kurt Beigel ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien Luong ,  Hua Zheng ,  Michael Shore ,  Jeffrey P. Wright ,  Adrian E. Ong ,  Todd A. Merritt

IPC分类号： H01L2358

CPC分类号： H01L27/112 ,  G01R31/31702 ,  G01R31/3181 ,  G11C17/10 ,  G11C17/18

摘要： An integrated circuit memory device has a plurality of nonvolatile programmable elements which are used to store a pass/fail status bit at selected milestones in a test sequence. At selected points in the test process an element may be programmed to indicate that the device has passed the tests associated with the selected point in the process. Prior to performing further tests on the device, the element is read to verify that it passed previous tests in the test process. If the appropriate elements are not programmed, the device is rejected. A rejected device may be retested according to the previous test steps. Laser fuses, electrically programmable fuses or antifuses are used to store test results. The use of electrically writeable nonvolatile memory elements allows for programming of the elements after the device has been packaged.

摘要翻译： 集成电路存储器件具有多个非易失性可编程元件，用于在测试序列中存储所选择的里程碑处的通过/失败状态位。 在测试过程的选定点，元件可以被编程以指示设备已经通过与该过程中的所选点相关联的测试。 在对设备执行进一步测试之前，读取该元素以验证其在测试过程中通过先前的测试。 如果没有编写适当的元素，则设备被拒绝。 可以根据先前的测试步骤重新测试被拒绝的设备。 激光熔丝，电可编程熔丝或反熔丝用于存储测试结果。 使用电可写非易失性存储器元件允许在器件被封装之后对元件进行编程。

公开(公告)号：US5631862A

公开(公告)日：1997-05-20

申请号：US611419

申请日：1996-03-05

申请人： Douglas J. Cutter ,  Kurt D. Beigel ,  Adrian E. Ong ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien S. Luong ,  Brett Debenham ,  Kim M. Pierce

发明人： Douglas J. Cutter ,  Kurt D. Beigel ,  Adrian E. Ong ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien S. Luong ,  Brett Debenham ,  Kim M. Pierce

IPC分类号： G11C17/18 ,  G11C17/16

CPC分类号： G11C17/18

摘要： An antifuse bank includes a bank of self-decoupling antifuse circuits. The antifuse circuits are programmed according to a pattern of address bits by blowing antifuses corresponding to bits of the address. The antifuses are blown by applying a high voltage across the antifuse. As each antifuse is blown, its resistance drops and current through the antifuse increases. The self-decoupling circuit detects the increased current flow and, when the antifuse resistance is sufficiently low, limits current flow through the antifuse. The antifuse thus does not load the high voltage source as other antifuses are blown.

摘要翻译： 反熔丝库包括一组自解耦反熔丝电路。 反熔丝电路根据地址位的模式通过吹出与地址的位相对应的反熔丝来编程。 通过在反熔丝上施加高电压来吹制反熔丝。 当每个反熔丝熔断时，其电阻下降，并且通过反熔丝的电流增加。 自解耦电路检测到增加的电流，并且当反熔丝电阻足够低时，限制了通过反熔丝的电流流动。 因此，反熔丝因其他反熔丝被吹制而不加载高压源。

公开(公告)号：US5706238A

公开(公告)日：1998-01-06

申请号：US783623

申请日：1997-01-14

申请人： Douglas J. Cutter ,  Kurt D. Beigel ,  Adrian E. Ong ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien S. Luong ,  Brett Debenham ,  Kim M. Pierce

发明人： Douglas J. Cutter ,  Kurt D. Beigel ,  Adrian E. Ong ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien S. Luong ,  Brett Debenham ,  Kim M. Pierce

IPC分类号： G11C17/18 ,  G11C17/16

CPC分类号： G11C17/18

摘要： An antifuse bank includes a bank of self-decoupling anti fuse circuits. The anti fuse circuits are programmed according to a pattern of address bits by blowing antifuses corresponding to bits of the address. The antifuses are blown by applying a high voltage across the antifuse. As each antifuse is blown, its resistance drops and current through the antifuse increases. The self-decoupling circuit detects the increased current flow and, when the anti fuse resistance is sufficiently low, limits current flow through the anti fuse. The antifuse thus does not load the high voltage source as other antifuses are blown.

摘要翻译： 反熔丝库包括一组自去耦反熔丝电路。 反熔丝电路根据地址位的模式通过吹出与地址的位相对应的反熔丝来编程。 通过在反熔丝上施加高电压来吹制反熔丝。 当每个反熔丝熔断时，其电阻下降，并且通过反熔丝的电流增加。 自解耦电路检测到增加的电流，当反熔丝电阻足够低时，限制电流通过反熔丝。 因此，反熔丝因其他反熔丝被吹制而不加载高压源。

公开(公告)号：US06365421B2

公开(公告)日：2002-04-02

申请号：US09531023

申请日：2000-03-20

申请人： Brett Debenham ,  Kim Pierce ,  Douglas J. Cutter ,  Kurt Beigel ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien Luong ,  Hua Zheng ,  Michael Shore ,  Jeffrey P. Wright ,  Adrian E. Ong ,  Todd A. Merritt

发明人： Brett Debenham ,  Kim Pierce ,  Douglas J. Cutter ,  Kurt Beigel ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien Luong ,  Hua Zheng ,  Michael Shore ,  Jeffrey P. Wright ,  Adrian E. Ong ,  Todd A. Merritt

IPC分类号： H01L2166

CPC分类号： H01L27/112 ,  G01R31/31702 ,  G01R31/3181 ,  G11C17/10 ,  G11C17/18

摘要： An integrated circuit memory device has a plurality of nonvolatile programmable elements which are used to store a pass/fail status bit at selected milestones in a test sequence. At selected points in the test process an element may be programmed to indicate that the device has passed the tests associated with the selected point in the process. Prior to performing further tests on the device, the element is read to verify that it passed previous tests in the test process. If the appropriate elements are not programmed, the device is rejected. A rejected device may be retested according to the previous test steps. Laser fuses, electrically programmable fuses or antifuses are used to store test results. The use of electrically writeable nonvolatile memory elements allows for programming of the elements after the device has been packaged.

摘要翻译： 集成电路存储器件具有多个非易失性可编程元件，用于在测试序列中存储所选择的里程碑处的通过/失败状态位。 在测试过程的选定点，元件可以被编程以指示设备已经通过与该过程中的所选点相关联的测试。 在对设备执行进一步测试之前，读取该元素以验证其在测试过程中通过先前的测试。 如果没有编写适当的元素，则设备被拒绝。 可以根据先前的测试步骤重新测试被拒绝的设备。 激光熔丝，电可编程熔丝或反熔丝用于存储测试结果。 使用电可写非易失性存储器元件允许在器件被封装之后对元件进行编程。

公开(公告)号：US20050005208A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US09777036

申请日：2001-02-05

申请人： Douglas Cutter ,  Adrian Ong ,  Fan Ho ,  Kurt Beigel ,  Brett Debenham ,  Dien Luong ,  Kim Pierce ,  Patrick Mullarkey

发明人： Douglas Cutter ,  Adrian Ong ,  Fan Ho ,  Kurt Beigel ,  Brett Debenham ,  Dien Luong ,  Kim Pierce ,  Patrick Mullarkey

IPC分类号： G11C17/18 ,  G01R31/28

CPC分类号： G11C17/18

摘要： Method and apparatus are disclosed for checking the resistance of antifuse elements in an integrated circuit. A voltage based on the resistance of an antifuse element is compared to a voltage based on a known resistance, and an output signal is generated whose binary value indicates whether the resistance of the antifuse element is higher or lower than the known value of resistance. The method and apparatus are useful in verifying the programming of antifuse elements.

摘要翻译： 公开了用于检查集成电路中的反熔丝元件的电阻的方法和装置。 将基于反熔丝元件的电阻的电压与基于已知电阻的电压进行比较，并且生成其二进制值表示反熔丝元件的电阻是否高于或低于已知电阻值的输出信号。 该方法和装置在验证反熔丝元件的编程方面是有用的。

公开(公告)号：US6154410A

公开(公告)日：2000-11-28

申请号：US795531

申请日：1997-02-05

申请人： Douglas J. Cutter ,  Kurt D. Beigel ,  Adrian E. Ong ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien Luong ,  Brett Debenham ,  Kim Pierce

发明人： Douglas J. Cutter ,  Kurt D. Beigel ,  Adrian E. Ong ,  Fan Ho ,  Patrick J. Mullarkey ,  Dien Luong ,  Brett Debenham ,  Kim Pierce

IPC分类号： G11C17/18 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C17/18

摘要： Method and apparatus are disclosed for reducing antifuse programming time by connecting the programming voltage to the electrode of the antifuse element that has roughened polysilicon.

摘要翻译： 公开了通过将编程电压连接到具有粗糙多晶硅的反熔丝元件的电极来减少反熔丝编程时间的方法和装置。