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    SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING STUD PATTERNS THAT ARE ALIGNED AND MISALIGNED WITH CONTACT PATTERNS
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING STUD PATTERNS THAT ARE ALIGNED AND MISALIGNED WITH CONTACT PATTERNS 审中-公开
    具有与联系图案对齐和缺失的图案的半导体器件

    公开(公告)号：US20160343703A1

    公开(公告)日：2016-11-24

    申请号：US15002679

    申请日：2016-01-21

    申请人： BYUNGJOO GO ,  HONGSOO KIM

    发明人： BYUNGJOO GO ,  HONGSOO KIM

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L29/417 ,  H01L23/528 ,  H01L29/423

    CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0207

    摘要： A semiconductor device includes an active region, a gate pattern on the active region, the active region including a source region at a first side of the gate pattern and a drain region at a second side of the gate pattern, a gate contact pattern on the gate pattern and a drain contact pattern on the drain region, and a gate stud pattern on the gate contact pattern and a drain stud pattern on the drain contact pattern. A distance between a gate contact axis passing through a center portion of the gate contact pattern and a drain contact axis passing through a center portion of the drain contact pattern is different from a distance between a gate stud axis passing through a center portion of the gate stud pattern and a drain stud axis passing through a center portion of the drain stud pattern.

    摘要翻译： 半导体器件包括有源区，有源区上的栅极图案，有源区包括在栅极图案的第一侧的源极区域和栅极图案的第二侧处的漏极区域，栅极接触图案 栅极图案和漏极接触图案，以及栅极接触图案上的栅极柱图案和漏极接触图案上的排列螺柱图案。 通过栅极接触图案的中心部分的栅极接触轴线和通过漏极接触图案的中心部分的漏极接触轴之间的距离不同于通过栅极中心部分的栅极柱轴线之间的距离 螺柱图案和穿过排水柱图案的中心部分的排水柱螺栓轴。