公开(公告)号：US20150115374A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：US14387143

申请日：2012-04-26

申请人： Huaxiang Yin ,  Xiaolong Ma ,  Changliang Qi ,  Qiuxia Xu ,  Dapeng Chen

发明人： Huaxiang Yin ,  Xiaolong Ma ,  Changliang Qi ,  Qiuxia Xu ,  Dapeng Chen

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides a semiconductor structure comprising a substrate; a gate stack on the substrate; a spacer on the sidewalls of the gate stack; a source/drain junction extension formed in the substrate on both sides of the gate stack by epitaxial growth; and a source/drain region in the substrate on both sides of the source/drain junction extension. Accordingly, the present invention also provides methods for manufacturing the semiconductor structure. The present invention can provide a source/drain junction extension with a high doping concentration and a low junction depth, thereby effectively improving the performance of the semiconductor structure.

摘要翻译： 本发明提供一种包括基板的半导体结构; 衬底上的栅极堆叠; 在栅极堆叠的侧壁上的间隔物; 通过外延生长形成在栅极堆叠的两侧的衬底中的源极/漏极结延伸; 以及在源极/漏极结延伸部的两侧上的衬底中的源极/漏极区域。 因此，本发明还提供了制造半导体结构的方法。 本发明可以提供具有高掺杂浓度和低结深度的源极/漏极结延伸，从而有效地改善了半导体结构的性能。

公开(公告)号：US09276085B2

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：US14387143

申请日：2012-04-26

申请人： Huaxiang Yin ,  Xiaolong Ma ,  Changliang Qi ,  Qiuxia Xu ,  Dapeng Chen

发明人： Huaxiang Yin ,  Xiaolong Ma ,  Changliang Qi ,  Qiuxia Xu ,  Dapeng Chen

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/332 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides a semiconductor structure comprising a substrate; a gate stack on the substrate; a spacer on the sidewalls of the gate stack; a source/drain junction extension formed in the substrate on both sides of the gate stack by epitaxial growth; and a source/drain region in the substrate on both sides of the source/drain junction extension. Accordingly, the present invention also provides methods for manufacturing the semiconductor structure. The present invention can provide a source/drain junction extension with a high doping concentration and a low junction depth, thereby effectively improving the performance of the semiconductor structure.

摘要翻译： 本发明提供一种包括基板的半导体结构; 衬底上的栅极堆叠; 在栅极堆叠的侧壁上的间隔物; 通过外延生长形成在栅极堆叠的两侧的衬底中的源极/漏极结延伸; 以及在源极/漏极结延伸部的两侧上的衬底中的源极/漏极区域。 因此，本发明还提供了制造半导体结构的方法。 本发明可以提供具有高掺杂浓度和低结深度的源极/漏极结延伸，从而有效地改善了半导体结构的性能。