公开(公告)号：US20080083938A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11548189

申请日：2006-10-10

申请人： Yao Hsiang Liang ,  Wen-Kung Cheng ,  Chen-Peng Fan ,  Ming-Hsien Chen ,  Richard Chen ,  Jung-Chen Yang ,  Wen-Yu Ho ,  Chao-Keng Li ,  Yong-Sin Chang ,  Labo Chang

发明人： Yao Hsiang Liang ,  Wen-Kung Cheng ,  Chen-Peng Fan ,  Ming-Hsien Chen ,  Richard Chen ,  Jung-Chen Yang ,  Wen-Yu Ho ,  Chao-Keng Li ,  Yong-Sin Chang ,  Labo Chang

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A semiconductor structure includes a transistor formed over a substrate. The transistor includes a transistor gate and at least one source/drain region. The semiconductor structure includes a pre-determined region coupled to the transistor. The semiconductor structure further includes a resist protection oxide (RPO) layer formed over the pre-determined region, wherein the RPO layer has a level of nitrogen of about 0.35 atomic % or less.

摘要翻译： 半导体结构包括形成在衬底上的晶体管。 晶体管包括晶体管栅极和至少一个源极/漏极区域。 半导体结构包括耦合到晶体管的预定区域。 半导体结构还包括形成在预定区域上的抗蚀剂保护氧化物（RPO）层，其中RPO层具有约0.35原子％或更低的氮含量。

公开(公告)号：US07772625B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11548189

申请日：2006-10-10

申请人： Yao Hsiang Liang ,  Wen-Kung Cheng ,  Chen-Peng Fan ,  Ming-Hsien Chen ,  Richard Chen ,  Jung-Chen Yang ,  Wen-Yu Ho ,  Chao-Keng Li ,  Yong-Sin Chang ,  Labo Chang

发明人： Yao Hsiang Liang ,  Wen-Kung Cheng ,  Chen-Peng Fan ,  Ming-Hsien Chen ,  Richard Chen ,  Jung-Chen Yang ,  Wen-Yu Ho ,  Chao-Keng Li ,  Yong-Sin Chang ,  Labo Chang

IPC分类号： H01L31/09

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A semiconductor structure includes a transistor formed over a substrate. The transistor includes a transistor gate and at least one source/drain region. The semiconductor structure includes a pre-determined region coupled to the transistor. The semiconductor structure further includes a resist protection oxide (RPO) layer formed over the pre-determined region, wherein the RPO layer has a level of nitrogen of about 0.35 atomic % or less.

摘要翻译： 半导体结构包括形成在衬底上的晶体管。 晶体管包括晶体管栅极和至少一个源极/漏极区域。 半导体结构包括耦合到晶体管的预定区域。 半导体结构还包括形成在预定区域上的抗蚀剂保护氧化物（RPO）层，其中RPO层具有约0.35原子％或更低的氮含量。