公开(公告)号：US07884624B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US11956527

申请日：2007-12-14

申请人： Horng-Jou Wang ,  Hsieh-Shen Hsieh ,  Chao-Jui Liang ,  Cheng-Chang Lee ,  Chao-Qing Wang ,  Zong-Ting Yuan ,  Huang-Kun Chen ,  Tai-Kang Shing

发明人： Horng-Jou Wang ,  Hsieh-Shen Hsieh ,  Chao-Jui Liang ,  Cheng-Chang Lee ,  Chao-Qing Wang ,  Zong-Ting Yuan ,  Huang-Kun Chen ,  Tai-Kang Shing

IPC分类号： G01R27/26

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01C19/5755 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/18

摘要： A capacitance sensing structure includes a substrate, a sensing electrode layer, at least one stack layer and a conductive body. The sensing electrode layer is formed on or in the substrate. The stack layer is formed on the sensing electrode layer. The conductive body is disposed over and corresponding to the sensing electrode layer and the stack layer.

摘要翻译： 电容感测结构包括衬底，感测电极层，至少一个堆叠层和导电体。 感测电极层形成在衬底上或衬底中。 堆叠层形成在感测电极层上。 导电体设置在感测电极层和堆叠层之上并对应于感测电极层和堆叠层。

公开(公告)号：US20080150554A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11956527

申请日：2007-12-14

申请人： Horng-Jou WANG ,  Hsieh-Shen Hsieh ,  Chao-Jui Liang ,  Cheng-Chang Lee ,  Chao-Qing Wang ,  Zong-Ting Yuan ,  Huang-Kun Chen ,  Tai-Kang Shing

发明人： Horng-Jou WANG ,  Hsieh-Shen Hsieh ,  Chao-Jui Liang ,  Cheng-Chang Lee ,  Chao-Qing Wang ,  Zong-Ting Yuan ,  Huang-Kun Chen ,  Tai-Kang Shing

IPC分类号： G01R27/26

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01C19/5755 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/18

摘要： A capacitance sensing structure includes a substrate, a sensing electrode layer, at least one stack layer and a conductive body. The sensing electrode layer is formed on or in the substrate. The stack layer is formed on the sensing electrode layer. The conductive body is disposed over and corresponding to the sensing electrode layer and the stack layer.

摘要翻译： 电容感测结构包括衬底，感测电极层，至少一个堆叠层和导电体。 感测电极层形成在衬底上或衬底中。 堆叠层形成在感测电极层上。 导电体设置在感测电极层和堆叠层之上并对应于感测电极层和堆叠层。