公开(公告)号：US07531457B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11561902

申请日：2006-11-21

申请人： Yu-Fu Kang ,  Chen-Hsiung Yang

发明人： Yu-Fu Kang ,  Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： B81C1/0015 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0132

摘要： A method of fabricating a suspended structure. First, a substrate including a photoresist layer hardened by heat is provided. Subsequently, the hardened photoresist layer is etched so as to turn the photoresist layer into a predetermined edge profile. Thereafter, a structure layer is formed on parts of the substrate and parts of the photoresist layer. Next, a dry etching process is performed so as to remove the photoresist layer, and to turn the structure layer into a suspended structure.

摘要翻译： 一种制造悬挂结构的方法。 首先，提供包含通过热硬化的光致抗蚀剂层的基板。 随后，蚀刻硬化的光致抗蚀剂层，以使光致抗蚀剂层变成预定的边缘轮廓。 此后，在基板的一部分和光致抗蚀剂层的一部分上形成结构层。 接下来，进行干蚀刻处理以去除光致抗蚀剂层，并将结构层转变成悬浮结构。

公开(公告)号：US07465601B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11736593

申请日：2007-04-18

申请人： Yu-Fu Kang ,  Chen-Hsiung Yang

发明人： Yu-Fu Kang ,  Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/62

CPC分类号： B81C1/0015

摘要： A method of forming a suspended structure is disclosed. Initially, a substrate is provided. A patterned first sacrificial layer and a patterned second sacrificial layer are formed on a front surface of the substrate. The second sacrificial layer has an opening exposing a part of the substrate and a part of the first sacrificial layer. A structural layer is formed covering the abovementioned sacrificial layers. Thereafter, a lift-off process is performed to remove the second sacrificial layer and define the pattern of the structural layer. A first etching process is performed on a back surface of the substrate utilizing the first sacrificial layer as an etching barrier and a through hole is formed under the first sacrificial layer. A second etching layer is performed to remove the first sacrificial layer and a suspended structure is thereby formed.

摘要翻译： 公开了一种形成悬挂结构的方法。 首先，提供基板。 图案化的第一牺牲层和图案化的第二牺牲层形成在衬底的前表面上。 第二牺牲层具有暴露基板的一部分和第一牺牲层的一部分的开口。 形成覆盖上述牺牲层的结构层。 此后，执行剥离处理以去除第二牺牲层并限定结构层的图案。 利用第一牺牲层作为蚀刻阻挡层，在基板的背面上进行第一蚀刻工艺，并且在第一牺牲层下形成通孔。 执行第二蚀刻层以去除第一牺牲层，由此形成悬挂结构。

公开(公告)号：US20070298582A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11850678

申请日：2007-09-06

申请人： Chen-Hsiung Yang

发明人： Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/2007 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/019

摘要： A method of performing a double-sided process is provided. First, a wafer having a structural pattern disposed on the front surface is provided. Following that, a plurality of front scribe lines are defined on the structural pattern, and a filling layer is filled into the front scribe lines. Subsequently, the structural pattern is bonded to a carrier wafer with a bonding layer, and a plurality of back scribe lines are defined on the back surface of the wafer. Finally, the filling layer filled in the front scribe lines is removed.

摘要翻译： 提供了一种执行双面处理的方法。 首先，提供具有布置在前表面上的结构图案的晶片。 接着，在结构图案上限定多个前划线，并将填充层填充到前划线中。 接着，用结合层将结构图形结合到载体晶片上，并且在晶片的背面上形成多个后划痕线。 最后，去除填充在前划痕线中的填充层。

公开(公告)号：US20070293023A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11561902

申请日：2006-11-21

申请人： Yu-Fu Kang ,  Chen-Hsiung Yang

发明人： Yu-Fu Kang ,  Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： B81C1/0015 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0132

摘要： A method of fabricating a suspended structure. First, a substrate including a photoresist layer hardened by heat is provided. Subsequently, the hardened photoresist layer is etched so as to turn the photoresist layer into a predetermined edge profile. Thereafter, a structure layer is formed on parts of the substrate and parts of the photoresist layer. Next, a dry etching process is performed so as to remove the photoresist layer, and to turn the structure layer into a suspended structure.

摘要翻译： 一种制造悬挂结构的方法。 首先，提供包含通过热硬化的光致抗蚀剂层的基板。 随后，蚀刻硬化的光致抗蚀剂层，以使光致抗蚀剂层变成预定的边缘轮廓。 此后，在基板的一部分和光致抗蚀剂层的一部分上形成结构层。 接下来，进行干蚀刻处理以去除光致抗蚀剂层，并将结构层转变成悬浮结构。

公开(公告)号：US20070077676A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11308305

申请日：2006-03-15

申请人： Shih-Feng Shao ,  Chen-Hsiung Yang

发明人： Shih-Feng Shao ,  Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/46

CPC分类号： G01L9/0054

摘要： A method of fabricating a pressure sensor. An SOI wafer having a single crystalline silicon layer, an insulating layer and a silicon substrate is provided. The single crystalline silicon layer has a pressure sensing device. The silicon substrate and the insulating layer corresponding to the pressure sensing device are removed to form a cavity. A bonding substrate is adhered to the silicon substrate with a bonding layer.

摘要翻译： 一种压力传感器的制造方法。 提供了具有单晶硅层，绝缘层和硅衬底的SOI晶片。 单晶硅层具有压力感测装置。 对应于压力感测装置的硅衬底和绝缘层被去除以形成空腔。 接合衬底用粘合层粘合到硅衬底上。

公开(公告)号：US20060276005A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：US11160975

申请日：2005-07-18

申请人： Chen-Hsiung Yang

发明人： Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78

摘要： First, a device wafer having a substrate layer and a device layer is provided. Then, a first mask pattern is utilized to remove the device layer uncovered by the first mask pattern. Subsequently, a medium layer is formed on the surface of the device wafer, and the medium layer is then bonded to a carrier wafer. Thereafter, a second mask pattern is utilized to remove the substrate layer uncovered by the second mask pattern. Finally, the medium layer is separated from the carrier wafer, the substrate layer is bonded to an extendable film, and the medium layer is then removed.

摘要翻译： 首先，提供具有基板层和器件层的器件晶片。 然后，使用第一掩模图案来去除由第一掩模图案未覆盖的器件层。 随后，在器件晶片的表面上形成介质层，然后将介质层接合到载体晶片。 此后，利用第二掩模图案来去除未被第二掩模图案覆盖的基底层。 最后，将介质层与载体晶片分离，将基底层粘合到可延伸的膜上，然后除去介质层。

公开(公告)号：US20060017907A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10711882

申请日：2004-10-12

申请人： Chen-Hsiung Yang

发明人： Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： G03B27/58

CPC分类号： G03F7/70691 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70708 ,  G03F9/7003

摘要： A wafer carrier for carrying a wafer includes a transparent base and a conducting layer. The transparent base has dimensions similar to that of the wafer, and bonds the wafer with a bonding layer. The conducting layer is transparent, and can be attracted by an electrostatic chuck so that the electrostatic chuck can deliver the wafer.

摘要翻译： 用于承载晶片的晶片载体包括透明基底和导电层。 透明基底具有与晶片相似的尺寸，并且用晶片结合层。 导电层是透明的，并且可以被静电吸盘吸引，使得静电卡盘可以输送晶片。

公开(公告)号：US07582511B2

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：US11434734

申请日：2006-05-17

申请人： Chen Hsiung Yang

发明人： Chen Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a Wafer Level Chip Scale Packaging structure including a die, at least one passive component, a combining layer, an isolating layer, at least one connecting wire, an internal pad and a passivation layer. The die includes a shallow connecting pad, an internal pad and an electrical component. The passive component is formed on one side of the die. The combining layer increases the binding force between the passive component and the die. The part surface on the other side of the die is overlaid with the isolation layer. The part surface of the isolation layer and the internal pad is overlaid with the connecting wire to electrically connect to the internal pad, and the passivation layer is used for protecting the die.

摘要翻译： 本发明提供一种晶片级芯片级封装结构，其包括管芯，至少一个无源部件，组合层，隔离层，至少一个连接线，内部焊盘和钝化层。 模具包括浅连接焊盘，内部焊盘和电气部件。 被动部件形成在模具的一侧。 组合层增加了被动部件和模具之间的结合力。 模具另一侧的部分表面与隔离层重叠。 隔离层和内部焊盘的部分表面与连接线重叠以电连接到内部焊盘，并且钝化层用于保护管芯。

公开(公告)号：US07306955B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11277350

申请日：2006-03-23

申请人： Chen-Hsiung Yang

发明人： Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/2007 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00603 ,  B81C2201/019

摘要： A method of performing a double-sided process is provided. First, a wafer having a structural pattern disposed on the front surface is provided. Following that, a plurality of front scribe lines are defined on the structural pattern, and a filling layer is filled into the front scribe lines. Subsequently, the structural pattern is bonded to a carrier wafer with a bonding layer, and a plurality of back scribe lines are defined on the back surface of the wafer. Finally, the filling layer filled in the front scribe lines is removed.

摘要翻译： 提供了一种执行双面处理的方法。 首先，提供具有布置在前表面上的结构图案的晶片。 接着，在结构图案上限定多个前划线，并将填充层填充到前划线中。 接着，用结合层将结构图形结合到载体晶片上，并且在晶片的背面上形成多个后划痕线。 最后，去除填充在前划痕线中的填充层。

公开(公告)号：US20070184633A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11459933

申请日：2006-07-25

申请人： Chen-Hsiung Yang

发明人： Chen-Hsiung Yang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  B81C1/00888 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

摘要： A wafer is provided and a front scribe line pattern is defined on a front surface of the wafer. A back scribe line pattern corresponding to the front scribe line pattern is defined on a back surface of the wafer. Then the wafer is attached to an extendable film and a wafer breaking process is performed to form a plurality of dies by virtue by extending the extendable film.

摘要翻译： 提供晶片，并且在晶片的前表面上限定前划线图案。 对应于前划线图案的背面划线图案被限定在晶片的后表面上。 然后将晶片连接到可延伸的薄膜上，通过延伸可延展薄膜，进行晶片断裂处理以形成多个模具。