公开(公告)号：US09112090B2

公开(公告)日：2015-08-18

申请号：US13476717

申请日：2012-05-21

申请人： Chung-Ren Sun ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chun-Jung Chang ,  Tong-Her Sher

发明人： Chung-Ren Sun ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chun-Jung Chang ,  Tong-Her Sher

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L31/103 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method of an embodiment comprises forming a dielectric layer on a first side of an image sensor substrate, and exposing the dielectric layer to ultraviolet (UV) radiation. The image sensor substrate comprises a photo diode. A structure of an embodiment comprises a substrate and a charge-less dielectric. The substrate comprises a photo diode. The charge-less dielectric layer is on a first side of the substrate, and a total charge of the charge-less dielectric results in an average voltage drop of less than 0.2 V across the charge-less dielectric layer.

摘要翻译： 实施例的方法包括在图像传感器基板的第一侧上形成电介质层，并将介电层暴露于紫外线（UV）辐射。 图像传感器基板包括光电二极管。 实施例的结构包括基板和无电荷电介质。 衬底包括光电二极管。 无电荷介电层位于衬底的第一侧上，无电荷电介质的总电荷导致无电荷介电层的平均电压降低于0.2V。

公开(公告)号：US20140007905A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US13544637

申请日：2012-07-09

申请人： Chung-Ren SUN ,  Hsiang Hsiang KO ,  Miao-Cheng LIAO ,  Wei-Yang TSENG

发明人： Chung-Ren SUN ,  Hsiang Hsiang KO ,  Miao-Cheng LIAO ,  Wei-Yang TSENG

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/68728

摘要： A wafer cleaning system includes a platform, a plurality of wafer holding units over the platform, a front-end rinse nozzle, and a back-end purge unit. The plurality of wafer holding units is set to define a reference plane of wafer holding. The front-end rinse nozzle is above the reference plane and configured to dispense a first rinse fluid toward the reference plane. The back-end purge unit is below the reference plane and configured to dispense an electrolytic gas

摘要翻译： 晶片清洁系统包括平台，平台上的多个晶片保持单元，前端冲洗喷嘴和后端清洗单元。 多个晶片保持单元被设置为限定晶片保持的参考平面。 前端冲洗喷嘴位于参考平面之上，并被配置成朝向参考平面分配第一冲洗流体。 后端清洗单元低于参考平面，并配置为分配电解气体

公开(公告)号：US20130193541A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13476717

申请日：2012-05-21

申请人： Chung-Ren Sun ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chun-Jung Chang ,  Tong-Her Sher

发明人： Chung-Ren Sun ,  Shiu-Ko JangJian ,  Chun-Jung Chang ,  Tong-Her Sher

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14698 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A method of an embodiment comprises forming a dielectric layer on a first side of an image sensor substrate, and exposing the dielectric layer to ultraviolet (UV) radiation. The image sensor substrate comprises a photo diode. A structure of an embodiment comprises a substrate and a charge-less dielectric. The substrate comprises a photo diode. The charge-less dielectric layer is on a first side of the substrate, and a total charge of the charge-less dielectric results in an average voltage drop of less than 0.2 V across the charge-less dielectric layer.

摘要翻译： 实施例的方法包括在图像传感器基板的第一侧上形成电介质层，并将介电层暴露于紫外线（UV）辐射。 图像传感器基板包括光电二极管。 实施例的结构包括基板和无电荷电介质。 衬底包括光电二极管。 无电荷介电层位于衬底的第一侧上，无电荷电介质的总电荷导致无电荷介电层的平均电压降低于0.2V。

公开(公告)号：US20120256324A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13528130

申请日：2012-06-20

申请人： Miao-Cheng Liao ,  Huai-Tei Yang ,  Chung-Ren Sun ,  Jinn-Kwei Liang ,  Ting-Xiao Liao

发明人： Miao-Cheng Liao ,  Huai-Tei Yang ,  Chung-Ren Sun ,  Jinn-Kwei Liang ,  Ting-Xiao Liao

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an interconnect structure includes providing a dielectric layer; forming a metal line in the dielectric layer; and forming a composite etch stop layer (ESL), which includes forming a lower ESL over the metal line and the dielectric layer; and forming an upper ESL over the lower ESL. The upper ESL and the lower ESL have different compositions. The step of forming the lower ESL and the step of forming the upper ESL are in-situ performed.

摘要翻译： 形成互连结构的方法包括：提供介电层; 在介电层中形成金属线; 以及形成复合蚀刻停止层（ESL），其包括在所述金属线和所述介电层上形成较低的ESL; 并在较低的ESL上形成较高的ESL。 上ESL和下ESL具有不同的组成。 形成较低ESL的步骤和形成上部ESL的步骤被原位执行。

公开(公告)号：US20130241018A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13420847

申请日：2012-03-15

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Ting-Chun Wang ,  Chung-Ren Sun

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Ting-Chun Wang ,  Chung-Ren Sun

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

摘要： A device includes a semiconductor substrate having a front side and a backside, a photo-sensitive device disposed on the front side of the semiconductor substrate, and a first and a second grid line parallel to each other. The first and the second grid lines are on the backside of, and overlying, the semiconductor substrate. The device further includes an adhesion layer, a metal oxide layer over the adhesion layer, and a high-refractive index layer over the metal layer. The adhesion layer, the metal oxide layer, and the high-refractive index layer are substantially conformal, and extend on top surfaces and sidewalls of the first and the second grid lines.

公开(公告)号：US09041140B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13420847

申请日：2012-03-15

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Ting-Chun Wang ,  Chung-Ren Sun

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Ting-Chun Wang ,  Chung-Ren Sun

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14685 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

摘要： A device includes a semiconductor substrate having a front side and a backside, a photo-sensitive device disposed on the front side of the semiconductor substrate, and a first and a second grid line parallel to each other. The first and the second grid lines are on the backside of, and overlying, the semiconductor substrate. The device further includes an adhesion layer, a metal oxide layer over the adhesion layer, and a high-refractive index layer over the metal layer. The adhesion layer, the metal oxide layer, and the high-refractive index layer are substantially conformal, and extend on top surfaces and sidewalls of the first and the second grid lines.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底，设置在半导体衬底的前侧的光敏器件以及彼此平行的第一和第二栅极线。 第一和第二栅格线位于半导体衬底的背面并覆盖其上。 该装置还包括粘合层，粘合层上的金属氧化物层和金属层上的高折射率层。 粘合层，金属氧化物层和高折射率层基本上是共形的，并且在第一和第二栅格线的顶表面和侧壁上延伸。

公开(公告)号：US20100252930A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12708160

申请日：2010-02-18

申请人： Miao-Cheng Liao ,  Huai-Tei Yang ,  Chung-Ren Sun ,  Jinn-Kwei Liang ,  Ting-Xiao Liao

发明人： Miao-Cheng Liao ,  Huai-Tei Yang ,  Chung-Ren Sun ,  Jinn-Kwei Liang ,  Ting-Xiao Liao

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an interconnect structure includes providing a dielectric layer; forming a metal line in the dielectric layer; and forming a composite etch stop layer (ESL), which includes forming a lower ESL over the metal line and the dielectric layer; and forming an upper ESL over the lower ESL. The upper ESL and the lower ESL have different compositions. The step of forming the lower ESL and the step of forming the upper ESL are in-situ performed.

摘要翻译： 形成互连结构的方法包括：提供介电层; 在介电层中形成金属线; 以及形成复合蚀刻停止层（ESL），其包括在所述金属线和所述介电层上形成较低的ESL; 并在较低的ESL上形成较高的ESL。 上ESL和下ESL具有不同的组成。 形成较低ESL的步骤和形成上部ESL的步骤被原位执行。