公开(公告)号：US20060244156A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11108407

申请日：2005-04-18

申请人： Tao Cheng ,  Chao-Chun Tu ,  Min-Chieh Lin ,  C.C. Mao ,  Hsiu Chen Peng ,  D. S. Chou

发明人： Tao Cheng ,  Chao-Chun Tu ,  Min-Chieh Lin ,  C.C. Mao ,  Hsiu Chen Peng ,  D. S. Chou

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Bond pad structures and semiconductor devices using the same. An exemplary semiconductor device comprises a substrate. An intermediate structure is formed over the substrate. A bond pad structure is formed over the intermediate structure. In one exemplary embodiment, the intermediate structure comprises a first metal layer neighboring and supporting the bond pad structure and a plurality of second metal layers underlying the intermediate structure, wherein one of the second metal layers functions as a power line.

摘要翻译： 焊盘结构和使用其的半导体器件。 示例性的半导体器件包括衬底。 在衬底上形成中间结构。 在中间结构上形成接合焊盘结构。 在一个示例性实施例中，中间结构包括邻近并支撑接合焊盘结构的第一金属层和位于中间结构下面的多个第二金属层，其中第二金属层之一用作电力线。