公开(公告)号：US20130029490A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13190378

申请日：2011-07-25

申请人： Kyeong Tae Lee ,  Sang Wook Kim ,  Daehee Weon ,  Sang-jun Choi ,  Sreekar Bhaviripudi ,  Jahyong Kuh

发明人： Kyeong Tae Lee ,  Sang Wook Kim ,  Daehee Weon ,  Sang-jun Choi ,  Sreekar Bhaviripudi ,  Jahyong Kuh

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

摘要： A layer stack over a substrate is etched using a photoresist pattern deposited on the layer stack as a first mask. The photoresist pattern is in-situ cured using plasma. At least a portion of the photoresist pattern can be modified by curing. In one embodiment, silicon by-products are formed on the photoresist pattern from the plasma. In another embodiment, a carbon from the plasma is embedded into the photoresist pattern. In yet another embodiment, the plasma produces an ultraviolet light to cure the photoresist pattern. The cured photoresist pattern is slimmed. The layer stack is etched using the slimmed photoresist pattern as a second mask.

公开(公告)号：US20090170333A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12325220

申请日：2008-11-30

申请人： Hiroki Sasano ,  Meihua Shen ,  Radhika Mani ,  Sunil Srinivasan ,  Daehee Weon ,  Nicolas Gani ,  Shashank Deshmukh ,  Anisul Khan

发明人： Hiroki Sasano ,  Meihua Shen ,  Radhika Mani ,  Sunil Srinivasan ,  Daehee Weon ,  Nicolas Gani ,  Shashank Deshmukh ,  Anisul Khan

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/76224

摘要： Methods for fabricating one or more shallow trench isolation (STI) structures are provided herein. In some embodiments, a method for fabricating one or more shallow trench isolation (STI) structures may include providing a substrate having a patterned mask layer disposed thereon to define one or more STI structures. The substrate may be etched using a plasma formed from a process gas mixture to form one or more STI structures on the substrate, wherein the process gas mixture comprises a fluorine-containing gas and either a fluorocarbon-containing gas or a hydrofluorocarbon-containing gas.

摘要翻译： 本文提供了制造一个或多个浅沟槽隔离（STI）结构的方法。 在一些实施例中，用于制造一个或多个浅沟槽隔离（STI）结构的方法可以包括提供具有设置在其上以限定一个或多个STI结构的图案化掩模层的衬底。 可以使用由工艺气体混合物形成的等离子体来蚀刻衬底，以在衬底上形成一个或多个STI结构，其中工艺气体混合物包含含氟气体和含氟烃气体或含氢氟烃的气体。

公开(公告)号：US08529776B2

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：US13190378

申请日：2011-07-25

申请人： Kyeong Tae Lee ,  Sang Wook Kim ,  Daehee Weon ,  Sang-jun Choi ,  Sreekar Bhaviripudi ,  Jahyong Kuh

发明人： Kyeong Tae Lee ,  Sang Wook Kim ,  Daehee Weon ,  Sang-jun Choi ,  Sreekar Bhaviripudi ,  Jahyong Kuh

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

摘要： A layer stack over a substrate is etched using a photoresist pattern deposited on the layer stack as a first mask. The photoresist pattern is in-situ cured using plasma. At least a portion of the photoresist pattern can be modified by curing. In one embodiment, silicon by-products are formed on the photoresist pattern from the plasma. In another embodiment, a carbon from the plasma is embedded into the photoresist pattern. In yet another embodiment, the plasma produces an ultraviolet light to cure the photoresist pattern. The cured photoresist pattern is slimmed. The layer stack is etched using the slimmed photoresist pattern as a second mask.

摘要翻译： 使用沉积在层堆叠上的光致抗蚀剂图案作为第一掩模蚀刻在衬底上的层叠。 使用等离子体原位固化光致抗蚀剂图案。 光致抗蚀剂图案的至少一部分可以通过固化来改性。 在一个实施例中，在等离子体的光刻胶图案上形成硅副产物。 在另一个实施例中，来自等离子体的碳被嵌入到光致抗蚀剂图案中。 在另一个实施例中，等离子体产生紫外光以固化光致抗蚀剂图案。 固化的光致抗蚀剂图案变薄。 使用薄的光致抗蚀剂图案作为第二掩模蚀刻层堆叠。

公开(公告)号：US08133817B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12325220

申请日：2008-11-30

申请人： Hiroki Sasano ,  Meihua Shen ,  Radhika Mani ,  Sunil Srinivasan ,  Daehee Weon ,  Nicolas Gani ,  Shashank Deshmukh ,  Anisul Khan

发明人： Hiroki Sasano ,  Meihua Shen ,  Radhika Mani ,  Sunil Srinivasan ,  Daehee Weon ,  Nicolas Gani ,  Shashank Deshmukh ,  Anisul Khan

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/76224

摘要： Methods for fabricating one or more shallow trench isolation (STI) structures are provided herein. In some embodiments, a method for fabricating one or more shallow trench isolation (STI) structures may include providing a substrate having a patterned mask layer disposed thereon to define one or more STI structures. The substrate may be etched using a plasma formed from a process gas mixture to form one or more STI structures on the substrate, wherein the process gas mixture comprises a fluorine-containing gas and either a fluorocarbon-containing gas or a hydrofluorocarbon-containing gas.

摘要翻译： 本文提供了制造一个或多个浅沟槽隔离（STI）结构的方法。 在一些实施例中，用于制造一个或多个浅沟槽隔离（STI）结构的方法可以包括提供具有设置在其上以限定一个或多个STI结构的图案化掩模层的衬底。 可以使用由工艺气体混合物形成的等离子体来蚀刻衬底，以在衬底上形成一个或多个STI结构，其中工艺气体混合物包含含氟气体和含氟烃气体或含氢氟烃的气体。