公开(公告)号：US4649415A

公开(公告)日：1987-03-10

申请号：US691996

申请日：1985-01-15

申请人： David F. Hebert

发明人： David F. Hebert

IPC分类号： H01L23/057 ,  H01L23/495 ,  H01L23/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/057 ,  H01L23/49572 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16195

摘要： A semiconductor package has a molded-in-place lead frame (15) resting on a ledge (12b) adjacent a die-receiving trough (13) in a molded housing (10). A one-layer or two-layer flexible tape includes a depending tab (22) on which a die (30) is bonded and positioned within the trough. Electrical bonds are made between bond pads (42) on the die, either by wire bonds (29) or thermo-compression bonding using connector bumps (32), and bond pads on the tape. The tape is laid across a pair of ledges (12a, 12b) with the depending die resting on the bottom of the trough. The tape bond pads are then bonded to inner-extending contact fingers (18) of the lead frame. A single-in-line package is provided in one embodiment wherein integral contacts (17) extend outwardly from fingers (18) exterior of the housing (10).

摘要翻译： 半导体封装具有模制就位引线框架（15），其位于邻近模制壳体（10）中的模具接收槽（13）的凸缘（12b）上。 单层或双层柔性带包括一个悬垂突片（22），模具（30）在该悬垂接头（22）上结合并定位在槽内。 通过引线接合（29）或使用连接器凸块（32）的热压接合以及带上的接合焊盘，在管芯上的接合焊盘（42）之间形成电连接。 带子被放置在一对凸缘（12a，12b）上，而垂直模具搁置在槽的底部。 然后将带接合焊盘接合到引线框架的内延伸接触指（18）。 在一个实施例中提供单列直插式封装，其中整体触点（17）从外壳（10）的外部的手指（18）向外延伸。

公开(公告)号：US06664721B1

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US09684107

申请日：2000-10-06

申请人： Keith D. Jamison ,  Donald E. Patterson ,  Charlie Hong ,  Randolph D. Schueller ,  David F. Hebert ,  Richard L. Woodin

发明人： Keith D. Jamison ,  Donald E. Patterson ,  Charlie Hong ,  Randolph D. Schueller ,  David F. Hebert ,  Richard L. Woodin

IPC分类号： H01J102

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J3/022

摘要： A field emitter (10) having improved electron emission properties is provided. Electron-emitting microtip protrusions (14) in an emitter layer (12) are separated from a dielectric layer (18) by an interlayer (16) that prevents substantial mixing of the dielectric (16) and the emitter layer (12) during growth of the dielectric layer (18). A conductive gate electrode layer (20) is deposited on the dielectric layer (18). For carbon-based emitters, aluminum is one of several suitable interlayers between the carbon layer and a silicon dioxide dielectric layer.

摘要翻译： 提供了具有改善的电子发射特性的场致发射体（10）。 在发射极层（12）中的电子发射微尖端突起（14）通过中间层（16）与电介质层（18）分离，其阻止了电介质（16）和发射极层（12）在生长期间的实质性混合 介电层（18）。 导电栅电极层（20）沉积在电介质层（18）上。 对于碳基发射体，铝是碳层和二氧化硅介电层之间的几种合适的中间层之一。