Glue layer for hydrofluorocarbon etch
    3.
    发明授权
    Glue layer for hydrofluorocarbon etch 有权
    氟化氢蚀刻胶层

    公开(公告)号:US07902073B2

    公开(公告)日:2011-03-08

    申请号:US11610953

    申请日:2006-12-14

    IPC分类号: H01L21/311

    摘要: A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

    摘要翻译: 提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。 沉积烃基胶层。 用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层,其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟碳化合物层,其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻 层。

    GLUE LAYER FOR HYDROFLUOROCARBON ETCH
    5.
    发明申请
    GLUE LAYER FOR HYDROFLUOROCARBON ETCH 有权
    石油醚水合物

    公开(公告)号:US20080146032A1

    公开(公告)日:2008-06-19

    申请号:US11610953

    申请日:2006-12-14

    IPC分类号: H01L21/3105

    摘要: A method for etching features in an etch layer disposed below a mask on a process wafer is provided. A hydrocarbon based glue layer is deposited. The etch layer on the process wafer is etched with at least one cycle, wherein each cycle comprises depositing a hydrofluorocarbon layer over the mask and on the hydrocarbon based glue layer, wherein the hydrocarbon based glue layer increases adhesion of the hydrofluorocarbon layer and etching the etch layer.

    摘要翻译: 提供了一种用于蚀刻设置在处理晶片上的掩模下方的蚀刻层中的特征的方法。 沉积烃基胶层。 用至少一个循环蚀刻处理晶片上的蚀刻层,其中每个循环包括在掩模上和基于烃的胶层上沉积氢氟烃层,其中基于烃的胶层增加氢氟烃层的粘附和蚀刻蚀刻 层。