公开(公告)号：US20080239597A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11575727

申请日：2005-09-14

申请人： Adrianus Van Bezooijen ,  Ronald Koster ,  Rob Mathijs Heeres ,  Dmitry Paviovich Prikhodko ,  Bart Balm

发明人： Adrianus Van Bezooijen ,  Ronald Koster ,  Rob Mathijs Heeres ,  Dmitry Paviovich Prikhodko ,  Bart Balm

IPC分类号： H02H3/20 ,  H02H3/24 ,  H03F1/52

CPC分类号： H03F1/52 ,  H03F2200/435 ,  H03F2200/471

摘要： A peak voltage protection circuit for protecting an associated High Voltage NPN transistor (T3) against breakdown, the protection circuit comprising a Low Voltage NPN element (T15) for sensing a sensor voltage related to a base-collector voltage of the associated High Voltage NPN transistor (T3). The circuit further comprises an activation circuit for limiting the base-collector voltage of the associated High Voltage NPN transistor (T3) upon triggering. The Low Voltage NPN element (15) is coupled to the activation circuit for triggering it upon the sensor voltage exceeding a breakdown voltage of the Low Voltage NPN transistor (T15).

摘要翻译： 一种用于保护相关联的高电压NPN晶体管（T 3）免于击穿的峰值电压保护电路，所述保护电路包括用于感测与相关联的高电压的基极 - 集电极电压相关的传感器电压的低电压NPN元件（T 15） NPN晶体管（T 3）。 电路还包括用于在触发时限制相关联的高电压NPN晶体管（T 3）的基极 - 集电极电压的激活电路。 低电压NPN元件（15）耦合到激活电路，以在传感器电压超过低电压NPN晶体管（T15）的击穿电压时触发它。