公开(公告)号：US20110101452A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12995083

申请日：2009-05-20

申请人： Jan Sonsky ,  Eero Saarnilehto

发明人： Jan Sonsky ,  Eero Saarnilehto

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/74 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7812

摘要： A trench-gate semiconductor device configuration is provided which is suitable for incorporation in integrated circuits, together with methods for its manufacture. A self-aligned drain region (12a) is provided below the device trench (18). The manufacturing methods include etching an initial trench into a semiconductor body (8), and annealing so as to cause migration of material such that a shallower trench with a cavity (36) below it are formed. The drain region is then formed in the cavity.

摘要翻译： 提供了一种适合于集成在集成电路中的沟槽栅半导体器件结构及其制造方法。 在器件沟槽（18）的下方提供自对齐漏极区（12a）。 制造方法包括将初始沟槽蚀刻到半导体本体（8）中，并退火以引起材料的迁移，使得形成具有在其下方的空腔（36）的较浅的沟槽。 然后在空腔中形成漏极区。

公开(公告)号：US20110084356A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12995764

申请日：2009-05-20

申请人： Eero Saarnilehto ,  Jan Sonsky

发明人： Eero Saarnilehto ,  Jan Sonsky

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/74 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283

摘要： The present invention discloses a method of forming a local buried layer (32) in a silicon substrate (10), comprising forming a plurality of trenches (12, 22) in the substrate, including a first trench (22) having a width preventing sealing of the first trench in a silicon migration anneal step and at least one further trench (12) connected to the first trench; exposing the substrate (10) to said anneal step, thereby converting the at least one further trench (12) by means of silicon migration into at least one tunnel (16) accessible via the first trench (22); and forming the local buried layer (32) by filling the at least one tunnel (16) with a material (26, 28, 46) via the first trench (22). Preferably, the method is used to form a semiconductor device having a local buried layer (32) comprising a doped epitaxial silicon plug (26), said plug and the first trench (22) being filled with a material (28) having a higher conductivity than the doped epitaxial silicon (26).

摘要翻译： 本发明公开了一种在硅衬底（10）中形成局部掩埋层（32）的方法，包括在衬底中形成多个沟槽（12,22），其包括具有宽度防止密封的第一沟槽（22） 的硅迁移退火步骤中的第一沟槽和连接到第一沟槽的至少一个另外的沟槽（12）; 将所述衬底（10）暴露于所述退火步骤，由此通过硅迁移将所述至少一个另外的沟槽（12）转换成可经由所述第一沟槽（22）访问的至少一个隧道（16）。 以及通过经由所述第一沟槽（22）用材料（26,28,46）填充所述至少一个隧道（16）来形成所述局部埋层（32）。 优选地，该方法用于形成具有包括掺杂的外延硅插头（26）的局部掩埋层（32）的半导体器件，所述插头和第一沟槽（22）填充有具有较高导电性的材料（28） 比掺杂的外延硅（26）。