公开(公告)号：US08697548B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13464390

申请日：2012-05-04

申请人： Lukasz Borowik ,  Jean-Charles Barbe ,  Ezra Bussmann ,  Fabien Cheynis ,  Frédéric Leroy ,  Denis Mariolle ,  Pierre Müller

发明人： Lukasz Borowik ,  Jean-Charles Barbe ,  Ezra Bussmann ,  Fabien Cheynis ,  Frédéric Leroy ,  Denis Mariolle ,  Pierre Müller

IPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/0665

摘要： A method for making a semi-conductor nanocrystals, including at least the steps of: making a stack of at least one uniaxially stressed semi-conductor thin layer and a dielectric layer, annealing the semi-conductor thin layer such that a dewetting of the semi-conductor forms, on the dielectric layer, elongated shaped semi-conductor nanocrystals oriented perpendicularly to the stress axis.

摘要翻译： 一种制造半导体纳米晶体的方法，其至少包括以下步骤：制备至少一个单轴应力半导体薄层和电介质层的叠层，退火半导体薄层，使得半导体 导体在电介质层上形成垂直于应力轴定向的细长形半导体纳米晶体。

公开(公告)号：US20120282759A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13464390

申请日：2012-05-04

申请人： Lukasz BOROWIK ,  Jean-Charles BARBE ,  Ezra BUSSMANN ,  Fabien CHEYNIS ,  Frédéric LEROY ,  Denis MARIOLLE ,  Pierre Müller

发明人： Lukasz BOROWIK ,  Jean-Charles BARBE ,  Ezra BUSSMANN ,  Fabien CHEYNIS ,  Frédéric LEROY ,  Denis MARIOLLE ,  Pierre Müller

IPC分类号： H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/0665

摘要： A method for making a semi-conductor nanocrystals, including at least the steps of: making a stack of at least one uniaxially stressed semi-conductor thin layer and a dielectric layer, annealing the semi-conductor thin layer such that a dewetting of the semi-conductor forms, on the dielectric layer, elongated shaped semi-conductor nanocrystals oriented perpendicularly to the stress axis.

摘要翻译： 一种制造半导体纳米晶体的方法，其至少包括以下步骤：制备至少一个单轴应力半导体薄层和电介质层的叠层，退火半导体薄层，使得半导体纳米晶体 导体在电介质层上形成垂直于应力轴定向的细长形半导体纳米晶体。

公开(公告)号：US06361767B1

公开(公告)日：2002-03-26

申请号：US09380459

申请日：1999-11-22

申请人： Gérard Malle ,  Frédéric LeRoy ,  Yolanda Duvault

发明人： Gérard Malle ,  Frédéric LeRoy ,  Yolanda Duvault

IPC分类号： A61K706

CPC分类号： A61Q17/04 ,  A61K8/19 ,  A61K8/46 ,  A61K8/55 ,  A61K8/8158 ,  A61K8/84 ,  A61K8/895 ,  A61K2800/94 ,  A61Q5/04 ,  A61Q5/06 ,  A61Q5/08 ,  A61Q5/10

摘要： The invention concerns a method for treating hair keratin fibers to provide them with new appropriate properties, comprising the following steps: reducing the sulphur bonds of hair keratin to generate only at the surface of the fibers at a depth less than 10 &mgr;m. reactive sites and in fixing covalently on said reactive sites at least one active compound for providing the hair keratin fibers with new appropriate properties, said active compound containing at least a reactive function capable of reacting with said reactive sites formed at the keratin fiber surface. This method is applicable to the treatment of fibrous or non-fibrous keratin substances of human or animal origin.

摘要翻译： 本发明涉及一种治疗毛发角蛋白纤维以提供新的适当性质的方法，包括以下步骤：减少头发角蛋白的硫键，以在小于10um的深度在纤维的表面产生。 活性部位，共价固定在所述活性部位上的至少一种活性化合物，用于提供毛发角蛋白纤维具有新的适当性质，所述活性化合物至少含有能够与角蛋白纤维表面形成的所述反应性位点反应的反应性功能。 该方法适用于治疗人或动物来源的纤维状或非纤维角蛋白物质。

公开(公告)号：US06923953B2

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US10055366

申请日：2002-01-25

申请人： Gérard Malle ,  Frédéric Leroy ,  Yolanda Duvault

发明人： Gérard Malle ,  Frédéric Leroy ,  Yolanda Duvault

IPC分类号： A61K8/00 ,  A61K8/19 ,  A61K8/46 ,  A61K8/55 ,  A61K8/81 ,  A61K8/84 ,  A61K8/892 ,  A61K8/895 ,  A61Q5/00 ,  A61Q5/04 ,  A61Q5/06 ,  A61Q5/08 ,  A61Q5/10 ,  A61Q17/00 ,  A61Q17/04 ,  D06M13/252 ,  D06M13/285 ,  A61K7/00 ,  A61K7/06 ,  A61K7/46

CPC分类号： A61Q17/04 ,  A61K8/19 ,  A61K8/46 ,  A61K8/55 ,  A61K8/8158 ,  A61K8/84 ,  A61K8/895 ,  A61K2800/94 ,  A61Q5/04 ,  A61Q5/06 ,  A61Q5/08 ,  A61Q5/10

摘要： The invention concerns a method for treating hair keratin fibers to provide them with new appropriate properties, comprising the following steps: reducing the sulphur bonds of hair keratin to generate only at the surface of the fibers at a depth less than 10 μm. reactive sites and in fixing covalently on said reactive sites at least one active compound for providing the hair keratin fibers with new appropriate properties, said active compound containing at least a reactive function capable of reacting with said reactive sites formed at the keratin fiber surface. This method is applicable to the treatment of fibrous or non-fibrous keratin substances of human or animal origin.

摘要翻译： 本发明涉及一种治疗毛发角蛋白纤维以提供新的适当性质的方法，包括以下步骤：减少头发角蛋白的硫键，以在小于10um的深度在纤维的表面产生。 活性部位，共价固定在所述活性部位上的至少一种活性化合物，用于提供毛发角蛋白纤维具有新的适当性质，所述活性化合物至少含有能够与角蛋白纤维表面形成的所述反应性位点反应的反应性功能。 该方法适用于治疗人或动物来源的纤维状或非纤维角蛋白物质。

公开(公告)号：US20120282758A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13464363

申请日：2012-05-04

申请人： Lukasz BOROWIK ,  Jean-Charles Barbe ,  Ezra Bussmann ,  Fabien Cheynis ,  Frédéric Leroy ,  Denis Mariolle ,  Pierre Müller

发明人： Lukasz BOROWIK ,  Jean-Charles Barbe ,  Ezra Bussmann ,  Fabien Cheynis ,  Frédéric Leroy ,  Denis Mariolle ,  Pierre Müller

IPC分类号： H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/66075

摘要： A method for making semi-conductor nanocrystals, including at least the steps of: forming solid carbon chemical species on a semi-conductor thin layer provided on at least one dielectric layer, the dimensions and the density of the carbon chemical species formed on the semi-conductor thin layer being a function of the desired dimensions and density of the semi-conductor nanocrystals; annealing the semi-conductor thin layer, performing a dewetting of the semi-conductor and forming, on the dielectric layer, the semi-conductor nanocrystals.

摘要翻译： 一种制备半导体纳米晶体的方法，至少包括以下步骤：在至少一个电介质层上提供的半导体薄层上形成固体碳化学物质，形成在半导体纳米晶体上的碳化学物质的尺寸和密度 导体薄层是半导体纳米晶体的所需尺寸和密度的函数; 对半导体薄层进行退火，对半导体进行去湿并在电介质层上形成半导体纳米晶体。