公开(公告)号：US6118671A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US103812

申请日：1998-06-24

申请人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita ,  Fumiyuki Kobayashi

发明人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita ,  Fumiyuki Kobayashi

IPC分类号： C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  C03C14/00 ,  C03C17/06 ,  H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11

CPC分类号： C03C14/004 ,  C03C17/06 ,  C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/15 ,  C03C2217/253 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901

摘要： Ceramic circuit substrate which is sintered at 900 to 1,050.degree. C. and have low relative dielectric constant, thermal expansion coefficient comparable to that of silicon, and high bending strength, and a method of manufacturing are provided by using a glass with a softening point of 850 to 1,100.degree. C., that is, a glass having a composition included in an area in FIG. 1 (triangular composition diagram of SiO.sub.2 --B.sub.2 O.sub.3 --R.sub.2 O, a composition is represented by the position of a small circle, the number in a small circle represents the composition number) defined with lines connecting points representing the first, third, tenth, eleventh, and fourth compositions respectively as raw material.

摘要翻译： 陶瓷电路基板，其在900〜1050℃下烧结并具有低的相对介电常数，与硅相当的热膨胀系数和高的弯曲强度，以及制造方法是通过使用软化点为 850至1100℃，即具有包括在图1中的区域中的组成的玻璃。 图1（SiO 2-B 2 O 3 -R 2 O的三角形组成图，组成由小圆的位置表示，小圆数表示组成数），用连接表示第一，第三，第十，第十一， 和第四组分分别作为原料。

公开(公告)号：US5825632A

公开(公告)日：1998-10-20

申请号：US512705

申请日：1995-08-08

申请人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumiyuki Kobayashi ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita

发明人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumiyuki Kobayashi ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita

IPC分类号： C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  C03C14/00 ,  C03C17/06 ,  H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K1/16

CPC分类号： C03C14/004 ,  C03C17/06 ,  C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/15 ,  C03C2217/253 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901

摘要： Ceramic circuit substrate which is sintered at 900.degree. to 1,050.degree. C. and have low relative dielectric constant, thermal expansion coefficient comparable to that of silicon, and high bending strength, and a method of manufacturing are provided by using a glass with a softening point of 850.degree. to 1,100.degree. C., that is, a glass having a composition included in an area in FIG. 1 (triangular composition diagram of SiO.sub.2 --B.sub.2 O.sub.3 --R.sub.2 O, a composition is represented by the position of a small circle, the number in a small circle represents the composition number) defined with lines connecting points representing the first, third, tenth, eleventh, and fourth compositions respectively as raw material.

摘要翻译： 在900〜1050℃下烧结并具有低相对介电常数，与硅相当的热膨胀系数和高弯曲强度的陶瓷电路基板及其制造方法通过使用具有软化点的玻璃 为850〜1100℃，即具有图1的区域的成分的玻璃。 图1（SiO 2-B 2 O 3 -R 2 O的三角形组成图，组成由小圆的位置表示，小圆数表示组成数），用连接表示第一，第三，第十，第十一， 和第四组分分别作为原料。