公开(公告)号：US6118671A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US103812

申请日：1998-06-24

申请人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita ,  Fumiyuki Kobayashi

发明人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita ,  Fumiyuki Kobayashi

IPC分类号： C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  C03C14/00 ,  C03C17/06 ,  H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11

CPC分类号： C03C14/004 ,  C03C17/06 ,  C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/15 ,  C03C2217/253 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901

摘要： Ceramic circuit substrate which is sintered at 900 to 1,050.degree. C. and have low relative dielectric constant, thermal expansion coefficient comparable to that of silicon, and high bending strength, and a method of manufacturing are provided by using a glass with a softening point of 850 to 1,100.degree. C., that is, a glass having a composition included in an area in FIG. 1 (triangular composition diagram of SiO.sub.2 --B.sub.2 O.sub.3 --R.sub.2 O, a composition is represented by the position of a small circle, the number in a small circle represents the composition number) defined with lines connecting points representing the first, third, tenth, eleventh, and fourth compositions respectively as raw material.

摘要翻译： 陶瓷电路基板，其在900〜1050℃下烧结并具有低的相对介电常数，与硅相当的热膨胀系数和高的弯曲强度，以及制造方法是通过使用软化点为 850至1100℃，即具有包括在图1中的区域中的组成的玻璃。 图1（SiO 2-B 2 O 3 -R 2 O的三角形组成图，组成由小圆的位置表示，小圆数表示组成数），用连接表示第一，第三，第十，第十一， 和第四组分分别作为原料。

公开(公告)号：US5825632A

公开(公告)日：1998-10-20

申请号：US512705

申请日：1995-08-08

申请人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumiyuki Kobayashi ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita

发明人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Masahide Okamoto ,  Masato Nakamura ,  Kousaku Morita ,  Shousaku Ishihara ,  Fumiyuki Kobayashi ,  Fumikazu Tagami ,  Norio Sengoku ,  Tsuyoshi Fujita

IPC分类号： C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  C03C14/00 ,  C03C17/06 ,  H01L21/48 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K1/11 ,  H05K1/16

CPC分类号： C03C14/004 ,  C03C17/06 ,  C03C3/089 ,  C03C8/16 ,  H01L21/4807 ,  H01L23/15 ,  C03C2217/253 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/4629 ,  Y10S428/901

摘要： Ceramic circuit substrate which is sintered at 900.degree. to 1,050.degree. C. and have low relative dielectric constant, thermal expansion coefficient comparable to that of silicon, and high bending strength, and a method of manufacturing are provided by using a glass with a softening point of 850.degree. to 1,100.degree. C., that is, a glass having a composition included in an area in FIG. 1 (triangular composition diagram of SiO.sub.2 --B.sub.2 O.sub.3 --R.sub.2 O, a composition is represented by the position of a small circle, the number in a small circle represents the composition number) defined with lines connecting points representing the first, third, tenth, eleventh, and fourth compositions respectively as raw material.

摘要翻译： 在900〜1050℃下烧结并具有低相对介电常数，与硅相当的热膨胀系数和高弯曲强度的陶瓷电路基板及其制造方法通过使用具有软化点的玻璃 为850〜1100℃，即具有图1的区域的成分的玻璃。 图1（SiO 2-B 2 O 3 -R 2 O的三角形组成图，组成由小圆的位置表示，小圆数表示组成数），用连接表示第一，第三，第十，第十一， 和第四组分分别作为原料。

公开(公告)号：US5503787A

公开(公告)日：1996-04-02

申请号：US207620

申请日：1994-03-09

申请人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Shousaku Ishihara ,  Kousaku Morita

发明人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Shousaku Ishihara ,  Kousaku Morita

IPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/64 ,  H05K1/09 ,  H05K3/46

CPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  H05K1/092 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629

摘要： According to this method for manufacturing a multilayer glass-ceramic circuit board, a green sheet laminate is fired in a non-oxidizing atmosphere in a first firing step so that a void content of at least 10% is maintained and strength of the ceramic laminate is increased. Then the laminate is fired in an oxidizing atmosphere in a second firing step so that the organic binder contained in the laminate is removed and the residual carbon content is at most 200 ppm. Thereafter the laminate is fired in a reducing atmosphere in a third firing step to reduce the oxidized conductor circuit. Finally, the laminate is fired in a non-oxidizing atmosphere in a fourth firing step to densify the ceramic laminate. The firing temperature in the first, second and third steps is 100.degree.-200.degree. C. lower than the softening point of the glass and the firing temperature in the fourth step is higher than the softening point of the glass and lower than the melting point of the conductor.

摘要翻译： 根据该多层玻璃 - 陶瓷电路板的制造方法，在第一烧成工序中，在非氧化性气氛中烧成生片层压体，使得保持至少10％的空隙率，陶瓷层叠体的强度为 增加。 然后在第二烧成工序中，在氧化性气氛中烧成层叠体，除去层叠体中含有的有机粘结剂，残存碳含量在200ppm以下。 此后，在第三烧制步骤中，在还原气氛中烧制层压体以还原氧化的导体电路。 最后，在第四烧成工序中，在非氧化性气氛中烧成层叠体，使陶瓷层叠体致密化。 第一，第二和第三步骤的烧成温度比玻璃的软化点低100-200℃，第四步骤的烧成温度高于玻璃的软化点并低于熔点 的导体。

公开(公告)号：US5396034A

公开(公告)日：1995-03-07

申请号：US27346

申请日：1993-03-08

申请人： Tsuyoshi Fujita ,  Shoichi Iwanaga ,  Hirayoshi Tanei

发明人： Tsuyoshi Fujita ,  Shoichi Iwanaga ,  Hirayoshi Tanei

IPC分类号： H05K3/46 ,  H01L21/48 ,  H01L23/538 ,  H05K1/00

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/4857 ,  H05K3/4605 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0154 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/467

摘要： A ceramic thin film hybrid circuit board is provided by flattening the surface of a ceramic multi-layer interconnection substrate, forming capture pads on the flattened surface, filling spaces between the capture pads with an insulating layer composed of a glass material or an organic resin material, grinding the resultant surface until the capture pads are exposed to flatness, and laminating a plurality of thin film interconnection layers on the flattened surface. The ceramic thin film hybrid circuit board has an increased package density of mounted electronic parts such as LSIs and the like because failures of thin film interconnection layer generated owing to the roughness of the surface of the ceramic substrate, defects such as voids and the hollows produced with the capture pads are greatly reduced, and is very suitable for large scale electronic computers, in which the wiring length is reduced so as to reduce the signal delay.

摘要翻译： 陶瓷薄膜混合电路板通过使陶瓷多层互连基板的表面平坦化，在平坦化表面上形成捕获垫来填充捕获垫之间的空间，由玻璃材料或有机树脂材料构成的绝缘层 研磨所得到的表面直到捕获垫暴露于平坦度，并且在平坦表面上层叠多个薄膜互连层。 陶瓷薄膜混合电路板由于陶瓷基板的表面的粗糙度而产生的薄膜互连层的故障，诸如空隙和中空产生的缺陷导致了诸如LSI等的安装电子部件的封装密度增加 捕获垫大大减少，非常适合于大型电子计算机，其中布线长度减小以减少信号延迟。

公开(公告)号：US5342674A

公开(公告)日：1994-08-30

申请号：US28219

申请日：1993-03-09

申请人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga

发明人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga

IPC分类号： C04B35/16 ,  C03C14/00 ,  C04B35/18 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46 ,  B32B3/00 ,  C03C1/00

CPC分类号： H01L23/15 ,  C03C14/004 ,  C04B35/18 ,  C03C2214/04 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917

摘要： A ceramic composition comprising 55-70 vol % of a borosilicate glass consisting of 65-88 wt % of SiO.sub.2, 5-25 wt % of B.sub.2 O.sub.3, 1-5 wt % of one or more of Li.sub.2 O, K.sub.2 O and Na.sub.2 O, and 0-5 wt % of Al.sub.2 O.sub.3, 5-30 vol % of alumina as filler, 5-35 vol % of cordierite and 0-20 vol % of quartz glass is provided for a ceramic circuit board for an electronic device such as an electronic computer.

摘要翻译： 一种陶瓷组合物，其包含55-70体积％的由65-88重量％的SiO 2，5-25重量％的B 2 O 3，1-5重量％的一种或多种Li 2 O，K 2 O和Na 2 O组成的硼硅酸盐玻璃和0- 提供5重量％的Al 2 O 3，5-30体积％的氧化铝作为填料，5-35体积％的堇青石和0-20体积％的石英玻璃用于电子设备如电子计算机的陶瓷电路板。

公开(公告)号：US4481813A

公开(公告)日：1984-11-13

申请号：US436944

申请日：1982-10-27

申请人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Akira Ikegami ,  Hiroshi Otsu ,  Hiromi Isonae

发明人： Hirayoshi Tanei ,  Shoichi Iwanaga ,  Akira Ikegami ,  Hiroshi Otsu ,  Hiromi Isonae

IPC分类号： H01C7/00 ,  G01N27/12

CPC分类号： G01N27/121

摘要： A dew sensor of direct current type and resistance-lowering type with increasing humidity for quick and sharp detection of dewing is provided, which comprises a pair of counterposed electrodes, humidity-sensitive layer of insulating porous metal oxide with a porosity of 20 to 60% provided on and between the counterposed electrodes, and an organic polymer coating layer having a thickness of 0.05 to 2 .mu.m provided on the humidity-sensitive layer.

摘要翻译： 提供了一种具有增加湿度的直流型和电阻降低型的露点传感器，用于快速和清晰的检测检测，其包括一对相对电极，绝缘多孔金属氧化物的湿度敏感层，孔隙率为20至60％ 设置在相对电极之间和之间，以及设置在湿度敏感层上的厚度为0.05至2μm的有机聚合物涂层。

公开(公告)号：US06919670B2

公开(公告)日：2005-07-19

申请号：US09989063

申请日：2001-11-21

申请人： Yoshimi Kawanami ,  Yasuhiko Kunii ,  Tadashi Furukawa ,  Akihiro Fujinaga ,  Kazunori Ishizuka ,  Shoichi Iwanaga ,  Fumihiro Namiki ,  Ryohei Satoh

发明人： Yoshimi Kawanami ,  Yasuhiko Kunii ,  Tadashi Furukawa ,  Akihiro Fujinaga ,  Kazunori Ishizuka ,  Shoichi Iwanaga ,  Fumihiro Namiki ,  Ryohei Satoh

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J9/24 ,  H01J11/22 ,  H01J11/34 ,  H01J11/36 ,  H01J17/49

CPC分类号： H01J9/242 ,  H01J9/245 ,  H01J11/12 ,  H01J11/36 ,  H01J2211/366

摘要： A rib structure for a display device includes a light-transmissive rib structure containing therein a material absorbent of visible light so that a visible light absorption distance is 40 to 1200 μm (the visible light absorption distance L (μm) means a distance such that visible light decreases to exp(−T/L) times less in connection to the travel distance T (μm), that is, visible light is absorbed by 1-exp(−T/L)).

摘要翻译： 用于显示装置的肋结构包括透光肋结构，其中包含可见光的材料吸收剂，使得可见光吸收距离为40至1200μm（可见光吸收距离L（mum）表示使得可见光 相对于行驶距离T（mum），光减少到exp（-T / L）次，即可见光被1-exp（-T / L）吸收）。

公开(公告)号：US06617789B2

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09971618

申请日：2001-10-09

申请人： Hitoshi Onoda ,  Yumiko Aoki ,  Tsuneo Manabe ,  Satoshi Fujimine ,  Michifumi Kawai ,  Shoichi Iwanaga

发明人： Hitoshi Onoda ,  Yumiko Aoki ,  Tsuneo Manabe ,  Satoshi Fujimine ,  Michifumi Kawai ,  Shoichi Iwanaga

IPC分类号： H01J1102

CPC分类号： C03C8/245 ,  C03C3/074 ,  C03C3/0745 ,  C03C8/24

摘要： A glass for covering electrodes, which consists, as represented by mass percentage based on the following oxides, essentially of: Mass percentage PbO 44 to 68% Bi2O3 0 to 18%, B2O3 19 to 23%, SiO2 1.2 to 5%, Al2O3 2 to 6%, ZnO 4 to 9%, CuO 0.1 to 0.5%, In2O3 1.1 to 2%, SnO2 0 to 1%, and CeO2 0 to 1%.

摘要翻译： 用于覆盖电极的玻璃，其以由以下氧化物的质量百分比表示，主要包括：

公开(公告)号：US4963512A

公开(公告)日：1990-10-16

申请号：US281879

申请日：1988-12-08

申请人： Shoichi Iwanaga ,  Akio Fujiwara ,  Takayoshi Sowa ,  Hitoshi Yokono

发明人： Shoichi Iwanaga ,  Akio Fujiwara ,  Takayoshi Sowa ,  Hitoshi Yokono

IPC分类号： H01L21/48 ,  H05K3/00 ,  H05K3/38 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H05K3/465 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/0733 ,  H05K3/0041 ,  H05K3/388 ,  H05K3/4661

摘要： A method for forming conductor layers of substrates for mounting LSIs and the like and a fabrication method of multilayer substrates are disclosed. These methods comprise steps of forming a metal underlayer having a shape similar to that of a conductor pattern on the substrate, forming an insulation layer over portions of the substrate which are not covered by the metal underlayer, and disposing a plating layer on the metal underlayer by carrying out electroless plating while using the insulation layer as the resist and thereby forming conductors. As compared with a conventional conductor layer forming method, the number of fabrication steps is reduced. And the elimination of the surface grinding step facilitates the fabrication.

摘要翻译： 公开了一种用于形成用于安装LSI等的基板的导体层的方法和多层基板的制造方法。 这些方法包括以下步骤：在基板上形成类似于导体图案的形状的金属底层，在基底的不被金属底层覆盖的部分上形成绝缘层，并在金属底层上设置镀层 通过在使用绝缘层作为抗蚀剂的同时进行化学镀，从而形成导体。 与常规的导体层形成方法相比，制造步骤的数量减少。 并且消除表面研磨步骤有助于制造。

公开(公告)号：US4457161A

公开(公告)日：1984-07-03

申请号：US366304

申请日：1981-04-07

申请人： Shoichi Iwanaga ,  Nobuo Sato ,  Akira Ikegami ,  Tokio Isogai ,  Takanobu Noro ,  Hideo Arima

发明人： Shoichi Iwanaga ,  Nobuo Sato ,  Akira Ikegami ,  Tokio Isogai ,  Takanobu Noro ,  Hideo Arima

IPC分类号： G01N27/04 ,  G01N27/12 ,  G01N33/00

CPC分类号： G01N33/0031 ,  G01N27/12

摘要： A gas detection device and a method for detecting a gas where gas information including concentrations of gas components in a mixed gas, concentration, presence of specific gas components and the like is detected by measuring, e.g., the output voltages of a plurality of gas sensors having different gas selectivities. The gas selectivities, as a characteristic constant of the specific gas sensor, was previously determined. The measured output voltages and gas selectivities are then used for solving plural simultaneous equations for gas concentrations.

摘要翻译： 一种气体检测装置和气体检测方法，其中气体信息包括混合气体中气体组分的浓度，浓度，特定气体组分的存在等，通过测量多个气体传感器的输出电压 具有不同的气体选择性。 作为特定气体传感器的特性常数，气体选择性是先前确定的。 然后测量的输出电压和气体选择性用于求解气体浓度的多个联立方程。