公开(公告)号：US20130070798A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13587036

申请日：2012-08-16

申请人： Go Sakaino ,  Harunaka Yamaguchi ,  Takashi Nagira

发明人： Go Sakaino ,  Harunaka Yamaguchi ,  Takashi Nagira

IPC分类号： H01S5/24 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01S5/2275 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2224

摘要： A semiconductor laser includes a semiconductor laser portion including an active layer portion having a p-type cladding layer, an active layer, and an n-type cladding layer on a p-type InP semiconductor substrate; and current confining structures that fill spaces on both sides of the semiconductor laser portion. Each of the current confining structures includes a first p-type InP layer, a Ru-doped InP layer, and a second p-type InP layer. The Ru-doped InP layer is in contact only with the first and second p-type InP layers. To obtain the structure, timing of introduction of a halogen-containing gas is adjusted.

摘要翻译： 半导体激光器包括在p型InP半导体衬底上包括具有p型覆层，有源层和n型覆层的有源层部分的半导体激光器部分; 以及填充半导体激光器部分两侧的空间的电流限制结构。 每个电流限制结构包括第一p型InP层，Ru掺杂InP层和第二p型InP层。 Ru掺杂的InP层仅与第一和第二p型InP层接触。 为了获得结构，调节含卤素气体的引入时间。

公开(公告)号：US20100316080A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12700769

申请日：2010-02-05

申请人： Harunaka Yamaguchi ,  Chikara Watatani ,  Masayoshi Takemi

发明人： Harunaka Yamaguchi ,  Chikara Watatani ,  Masayoshi Takemi

IPC分类号： H01S5/323

CPC分类号： H01S5/2275 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3434

摘要： A semiconductor optical element includes a p-type InP substrate doped with Zn; and a diffusion blocking layer doped with Ru, a p-type InP cladding layer, an active layer, and an n-type InP cladding layer sequentially arranged on the p-type InP substrate.

摘要翻译： 半导体光学元件包括掺杂有Zn的p型InP衬底; 以及顺序地配置在p型InP衬底上的掺杂Ru的扩散阻挡层，p型InP包层，有源层和n型InP包层。