公开(公告)号：US4814848A

公开(公告)日：1989-03-21

申请号：US58825

申请日：1987-06-05

申请人： Hajime Akimoto ,  Harushisa Ando ,  Toshifumi Ozaki ,  Hideyuki Ono ,  Shinya Ohba ,  Masaaki Nakai ,  Norio Koike

发明人： Hajime Akimoto ,  Harushisa Ando ,  Toshifumi Ozaki ,  Hideyuki Ono ,  Shinya Ohba ,  Masaaki Nakai ,  Norio Koike

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H01L29/78 ,  H01L27/14 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/14887

摘要： A solid-state imaging device having a plurality of semiconductor layers of a first conductivity type for photo-electric conversion provided on the surface of a first semiconductor layer of a second conductivity type which is formed on a part of one surface of a semiconductor substrate of the first conductivity type, a semiconductor layer of the first conductivity type for charge transfer provided on the surface of a second semiconductor layer of the second conductivity type which is formed on a part of the surface of the substrate, and a signal output means. The first semiconductor layer of the second conductivity type and the second semiconductor layer of the second conductivity type are formed in different steps so that the first semiconductor layer is disposed deeper than the second semiconductor layer.

摘要翻译： 一种具有多个第一导电类型的用于光电转换的半导体层的固态成像装置，其设置在第二导电类型的第一半导体层的表面上，该第二半导体层形成在半导体衬底的一个表面的一部分上 第一导电型，形成在基板表面的一部分上的第二导电类型的第二半导体层的表面上的用于电荷转移的第一导电类型的半导体层和信号输出装置。 第二导电类型的第一半导体层和第二导电类型的第二半导体层以不同的步骤形成，使得第一半导体层被设置为比第二半导体层更深。