公开(公告)号：US6038019A

公开(公告)日：2000-03-14

申请号：US084229

申请日：1998-05-26

申请人： Hwan-suk Chang ,  Hong-bae Moon

发明人： Hwan-suk Chang ,  Hong-bae Moon

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N21/93 ,  G01N21/94 ,  G01N21/956 ,  G03F1/84 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G01B11/00

CPC分类号： G03F7/7065 ,  G01N21/93

摘要： A method for precisely monitoring defects on a semiconductor device includes inserting, into a predetermined region of a photomask used for manufacturing a semiconductor device on a semiconductor wafer, a reference defect pattern with a predetermined distribution of defects with varying sizes. Then the method involves forming reference defects on the semiconductor wafer using the photomask having the reference defect pattern. Next, control settings of a defect detection device are selected such that an output distribution of defects most closely matches the predetermined distribution of defects. Finally, defects in an integrated circuit chip region of the semiconductor wafer are monitored with the defect detection device, using the control settings selected during the selecting step.

摘要翻译： 一种用于精确监测半导体器件上的缺陷的方法包括：将具有预定分布的具有不同尺寸的缺陷的参考缺陷图案插入用于制造半导体晶片上的半导体器件的光掩模的预定区域中。 然后，该方法涉及使用具有参考缺陷图案的光掩模在半导体晶片上形成参考缺陷。 接下来，选择缺陷检测装置的控制设置，使得缺陷的输出分布与预定的缺陷分布最匹配。 最后，使用在选择步骤期间选择的控制设置，利用缺陷检测装置监视半导体晶片的集成电路芯片区域中的缺陷。

公开(公告)号：US5326709A

公开(公告)日：1994-07-05

申请号：US993007

申请日：1992-12-18

申请人： Hong-bae Moon ,  Bon-youl Ku ,  Gi-seung Song ,  Tae-wook Seo

发明人： Hong-bae Moon ,  Bon-youl Ku ,  Gi-seung Song ,  Tae-wook Seo

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L22/22 ,  H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S148/093

摘要： A wafer testing process of a semiconductor device provided with a redundancy circuit. The process comprises a step of removing a passivation film above a pad and link portion, pre-laser testing, laser-repairing, and final quality marking using an off-line inking method. Therefore, fabrication-test processes are simplified to one step by adopting the off-line inking method, thereby achieving productivity improvement, quality enhancement, and reduction of throughput time.

摘要翻译： 具有冗余电路的半导体器件的晶片测试工艺。 该方法包括使用离线上墨方法去除衬垫和连接部分上方的钝化膜，预激光测试，激光修复和最终质量标记的步骤。 因此，通过采用离线上墨方法将制造试验过程简化为一步，从而实现生产率提高，质量提高和生产时间的缩短。

公开(公告)号：US06479354B2

公开(公告)日：2002-11-12

申请号：US09819448

申请日：2001-03-28

申请人： Hong Bae Moon

发明人： Hong Bae Moon

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76262

摘要： A method of forming a semiconductor device with a SEG layer and isolating elements formed in the device includes forming an insulating layer for isolating elements on a silicon substrate. An open area is formed in the insulating layer to expose the surface of the silicon substrate by selectively etching the insulating layer. The open area in the insulating layer includes an inclined side wall at a positive angle of inclination. An epitaxial layer is selectively grown to have a top surface lower than the surface of the insulating layer, using the silicon exposed in the open area as a seed. A sacrificial oxide layer is formed on the surface of the silicon of the epitaxial growth, and the sacrificial oxide layer is then removed.

摘要翻译： 形成具有SEG层的半导体器件和形成在器件中的隔离元件的方法包括形成用于在硅衬底上隔离元件的绝缘层。 通过选择性地蚀刻绝缘层，在绝缘层中形成开放区域以露出硅衬底的表面。 绝缘层中的开放区域包括呈倾斜角的倾斜侧壁。 使用暴露在开放区域中的硅作为种子，选择性地生长外延层以使其表面低于绝缘层的表面。 在外延生长的硅的表面上形成牺牲氧化物层，然后去除牺牲氧化物层。

公开(公告)号：US06475891B2

公开(公告)日：2002-11-05

申请号：US09984949

申请日：2001-10-31

申请人： Hong-Bae Moon

发明人： Hong-Bae Moon

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76838 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/528 ,  H01L27/10894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a pattern for a semiconductor device without using a photolithography technique is disclosed, wherein the method includes forming a sacrificial layer on a semiconductor substrate, forming a sacrificial layer pattern by patterning the sacrificial layer, forming a conformal layer on a resultant structure after forming the sacrificial layer pattern, and forming the layer pattern by anisotropically etching the conformal layer.

摘要翻译： 公开了一种在不使用光刻技术的情况下形成用于半导体器件的图案的方法，其中所述方法包括在半导体衬底上形成牺牲层，通过图案化牺牲层形成牺牲层图案，在所得结构上形成保形层 在形成牺牲层图案之后，并通过各向异性蚀刻保形层形成层图案。

公开(公告)号：US5947134A

公开(公告)日：1999-09-07

申请号：US929170

申请日：1997-09-15

申请人： Ki-ho Kim ,  Hong-bae Moon

发明人： Ki-ho Kim ,  Hong-bae Moon

IPC分类号： B08B1/04 ,  B08B3/08 ,  B08B7/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  B08B3/02

CPC分类号： H01L21/67046 ,  B08B1/007 ,  B08B1/04 ,  H01L21/681 ,  Y10S134/902

摘要： Scrubbing equipment for semiconductor devices includes an automatic brush-height adjustment device for automatically adjusting the height of a brush over a wafer surface so that eddy currents are produced in a layer of water on the wafer and minute particles are cleaned from the wafer without damaging the wafer surface. The brush-height adjustment device uses a distance sensor which measures the distance between the tip of the brush and the top of the wafer using laser pulses and then controls up-and-down movement of the shaft upon which the brush is mounted based upon that distance.

摘要翻译： 用于半导体器件的擦洗设备包括自动刷高调节装置，用于自动调整晶片表面上的刷子的高度，使得在晶片上的水层中产生涡流，并且微粒从晶片清洁而不损坏晶片 晶圆表面。 刷高调整装置使用距离传感器，该距离传感器使用激光脉冲测量刷子的尖端和晶片的顶部之间的距离，然后基于该距离传感器控制安装有刷子的轴的上下运动 距离。