公开(公告)号：US09371234B2

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：US13810144

申请日：2011-07-15

Applicant: Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

Inventor： Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

IPC: H01B1/04 ,  C01B31/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

Abstract: The present invention relates to a method for forming graphene at a low temperature, to a method for direct transfer of graphene using same, and to a graphene sheet. The method for forming graphene at a low temperature comprises supplying a carbon-source-containing gas to a metal catalyst layer for graphene growth formed on a substrate, and forming graphene at a low temperature of 500° C. or less by means of inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD).

Abstract translation: 本发明涉及一种在低温下形成石墨烯的方法，涉及使用其形成石墨烯的直接转移方法和石墨烯片。 在低温下形成石墨烯的方法包括向形成在基板上的石墨烯生长用金属催化剂层供给含碳源气体，并通过感应耦合的方式在500℃以下的低温下形成石墨烯 等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）。

公开(公告)号：US20130187097A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13810144

申请日：2011-07-15

Applicant: Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

Inventor： Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

IPC: C01B31/04 ,  C23C16/26

CPC classification number: C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

Abstract: The present invention relates to a method for forming graphene at a low temperature, to a method for direct transfer of graphene using same, and to a graphene sheet. The method for forming graphene at a low temperature comprises supplying a carbon-source-containing gas to a metal catalyst layer for graphene growth formed on a substrate, and forming graphene at a low temperature of 500° C. or less by means of inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD).

Abstract translation: 本发明涉及一种在低温下形成石墨烯的方法，涉及使用其形成石墨烯的直接转移方法和石墨烯片。 在低温下形成石墨烯的方法包括向形成在基板上的石墨烯生长用金属催化剂层供给含碳源气体，并通过感应耦合的方式在500℃以下的低温下形成石墨烯 等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）。