公开(公告)号：US09371234B2

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：US13810144

申请日：2011-07-15

申请人： Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

发明人： Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

IPC分类号： H01B1/04 ,  C01B31/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

摘要： The present invention relates to a method for forming graphene at a low temperature, to a method for direct transfer of graphene using same, and to a graphene sheet. The method for forming graphene at a low temperature comprises supplying a carbon-source-containing gas to a metal catalyst layer for graphene growth formed on a substrate, and forming graphene at a low temperature of 500° C. or less by means of inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD).

摘要翻译： 本发明涉及一种在低温下形成石墨烯的方法，涉及使用其形成石墨烯的直接转移方法和石墨烯片。 在低温下形成石墨烯的方法包括向形成在基板上的石墨烯生长用金属催化剂层供给含碳源气体，并通过感应耦合的方式在500℃以下的低温下形成石墨烯 等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）。

公开(公告)号：US20130187097A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13810144

申请日：2011-07-15

申请人： Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

发明人： Byung Hee Hong ,  Jong-Hyun Ahn ,  Ji Beom Yoo ,  Su Kang Bae ,  Myung Hee Jung ,  Houk Jang ,  Youngbin Lee ,  Sang Jin Kim

IPC分类号： C01B31/04 ,  C23C16/26

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26

摘要： The present invention relates to a method for forming graphene at a low temperature, to a method for direct transfer of graphene using same, and to a graphene sheet. The method for forming graphene at a low temperature comprises supplying a carbon-source-containing gas to a metal catalyst layer for graphene growth formed on a substrate, and forming graphene at a low temperature of 500° C. or less by means of inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD).

摘要翻译： 本发明涉及一种在低温下形成石墨烯的方法，涉及使用其形成石墨烯的直接转移方法和石墨烯片。 在低温下形成石墨烯的方法包括向形成在基板上的石墨烯生长用金属催化剂层供给含碳源气体，并通过感应耦合的方式在500℃以下的低温下形成石墨烯 等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）。

公开(公告)号：US10886501B2

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：US13548680

申请日：2012-07-13

申请人： Jonghyun Ahn ,  Byung Hee Hong ,  Youngbin Lee ,  Hyeong Keun Kim ,  Su Kang Bae

发明人： Jonghyun Ahn ,  Byung Hee Hong ,  Youngbin Lee ,  Hyeong Keun Kim ,  Su Kang Bae

IPC分类号： B32B1/02 ,  B32B15/04 ,  B32B38/10 ,  B32B9/00 ,  H01L51/52 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/44 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/048 ,  C01B32/184 ,  C01B32/194 ,  C01B32/186

摘要： The present invention relates to a method for forming a graphene protective film having gas and moisture barrier properties, to a graphene protective film formed by the method, and to the use thereof. A single-layer or multilayer graphene protective film can be used as a material for a barrier coating or bags, and improves the gas and moisture barrier properties of a variety of devices in a wide array of industrial fields to thereby maintain the electrical characteristics of devices over a long period of time.

公开(公告)号：US20120282419A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13548680

申请日：2012-07-13

申请人： Jonghyun AHN ,  Byung Hee HONG ,  Youngbin LEE ,  Hyeong Keun KIM ,  Su Kang BAE

发明人： Jonghyun AHN ,  Byung Hee HONG ,  Youngbin LEE ,  Hyeong Keun KIM ,  Su Kang BAE

IPC分类号： B32B1/02 ,  B32B15/04 ,  B32B38/10 ,  B32B9/00

CPC分类号： H01L51/5253 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/02 ,  C01B2204/04 ,  H01L31/048 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5256 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/1324 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/31678

摘要： The present invention relates to a method for forming a graphene protective film having gas and moisture barrier properties, to a graphene protective film formed by the method, and to the use thereof. A single-layer or multi-layer graphene protective film can be used as a material for a barrier coating or bags, and improves the gas and moisture barrier properties of a variety of devices in a wide array of industrial fields to thereby maintain the electrical characteristics of devices over a long period of time.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成具有气体和水分阻隔性能的石墨烯保护膜的方法，涉及通过该方法形成的石墨烯保护膜及其用途。 可以使用单层或多层石墨烯保护膜作为阻隔涂层或袋的材料，并且改善各种工业领域中的各种装置的气体和水分阻隔性能，从而保持电特性 的设备。

公开(公告)号：US20120298971A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13478110

申请日：2012-05-23

申请人： Tae-Woo LEE ,  Tae-Hee HAN ,  Jong-Hyun AHN ,  Youngbin LEE ,  Seong-Hoon WOO

发明人： Tae-Woo LEE ,  Tae-Hee HAN ,  Jong-Hyun AHN ,  Youngbin LEE ,  Seong-Hoon WOO

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0045 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  C01B2204/02 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L51/5215 ,  Y02E10/549

摘要： A graphene electrode having a surface modified to have a high work function, and an electronic device including the same.

摘要翻译： 具有被修改为具有高功函数的表面的石墨烯电极，以及包括该石墨烯电极的电子器件。