公开(公告)号：US09595477B2

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：US13010028

申请日：2011-01-20

申请人： Te-Jen Pan ,  Yu-Hsien Lin ,  Hsiang-Ku Shen ,  Wei-Han Fan ,  Yun Jing Lin ,  Yimin Huang ,  Tzu-Chung Wang

发明人： Te-Jen Pan ,  Yu-Hsien Lin ,  Hsiang-Ku Shen ,  Wei-Han Fan ,  Yun Jing Lin ,  Yimin Huang ,  Tzu-Chung Wang

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A method is described which includes providing a substrate and forming a first spacer material layer abutting a gate structure on the substrate. A second spacer material layer is formed adjacent and abutting the gate structure and overlying the first spacer material layer. The first spacer material layer and the second spacer material layer are then etched concurrently to form first and second spacers, respectively. An epitaxy region is formed (e.g., grown) on the substrate which includes an interface with each of the first and second spacers. The second spacer may be subsequently removed and the first spacer remain on the device decreases the aspect ratio for an ILD gap fill. An example composition of the first spacer is SiCN.

摘要翻译： 描述了一种方法，其包括提供衬底并形成邻接衬底上的栅极结构的第一间隔物材料层。 第二间隔材料层邻近并邻接栅极结构并且覆盖第一间隔物层形成。 然后分别同时蚀刻第一间隔材料层和第二间隔材料层以形成第一和第二间隔物。 在衬底上形成（例如，生长）外延区域，其包括与第一和第二间隔物中的每一个的界面。 随后可以移除第二间隔物，并且保留在器件上的第一间隔物减小ILD间隙填充的纵横比。 第一间隔物的实例组成是SiCN。

公开(公告)号：US20120187459A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13010028

申请日：2011-01-20

申请人： Te-Jen Pan ,  Yu-Hsien Lin ,  Hsiang-Ku Shen ,  Wei-Han Fan ,  Yun Jing Lin ,  Yimin Huang ,  Tzu-Chung Wang

发明人： Te-Jen Pan ,  Yu-Hsien Lin ,  Hsiang-Ku Shen ,  Wei-Han Fan ,  Yun Jing Lin ,  Yimin Huang ,  Tzu-Chung Wang

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A method is described which includes providing a substrate and forming a first spacer material layer abutting a gate structure on the substrate. A second spacer material layer is formed adjacent and abutting the gate structure and overlying the first spacer material layer. The first spacer material layer and the second spacer material layer are then etched concurrently to form first and second spacers, respectively. An epitaxy region is formed (e.g., grown) on the substrate which includes an interface with each of the first and second spacers. The second spacer may be subsequently removed and the first spacer remain on the device decreases the aspect ratio for an ILD gap fill. An example composition of the first spacer is SiCN.

摘要翻译： 描述了一种方法，其包括提供衬底并形成邻接衬底上的栅极结构的第一间隔物材料层。 第二间隔材料层邻近并邻接栅极结构并且覆盖第一间隔物层形成。 然后分别同时蚀刻第一间隔材料层和第二间隔材料层以形成第一和第二间隔物。 在衬底上形成（例如，生长）外延区域，其包括与第一和第二间隔物中的每一个的界面。 随后可以移除第二间隔物，并且保留在器件上的第一间隔物减小ILD间隙填充的纵横比。 第一间隔物的实例组成是SiCN。