公开(公告)号：US20050179046A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11057415

申请日：2005-02-14

申请人： Tchang-hun Oh ,  Brenda Dingle ,  Bo Yang ,  Ilya Libenzon ,  William Roberts ,  Hong Choi ,  John Fan

发明人： Tchang-hun Oh ,  Brenda Dingle ,  Bo Yang ,  Ilya Libenzon ,  William Roberts ,  Hong Choi ,  John Fan

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/32

摘要： An improved p-type electrode for a p-type gallium-nitride based semiconductor material is disclosed that includes at least one layer of indium-tin-oxide. The electrode can include the indium-tin-oxide layer(s) such that at least one of the indium-tin-oxide layers is in contact with the p-type semiconductor layer. Alternatively, the electrode can further include a first electrode layer in contact with the p-type semiconductor layer. In this example, the indium-tin-oxide layer(s) is over the first electrode layer. The first electrode layer includes at least one metal selected from the group consisting of nickel oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide and zinc oxide, and/or at least one non-oxidizing metal.

摘要翻译： 公开了一种用于p型氮化镓基半导体材料的改进的p型电极，其包括至少一层氧化铟锡。 电极可以包括铟锡氧化物层，使得至少一个氧化铟锡层与p型半导体层接触。 或者，电极还可以包括与p型半导体层接触的第一电极层。 在该示例中，铟锡氧化物层在第一电极层的上方。 第一电极层包括选自氧化镍，氧化钼，氧化钌和氧化锌中的至少一种金属和/或至少一种非氧化性金属。

公开(公告)号：US20050179042A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：US11057695

申请日：2005-02-14

申请人： Bo Yang ,  Tchang-hun Oh ,  Brenda Dingle ,  William Roberts ,  Ilya Libenzon ,  Hong Choi ,  John Fan

发明人： Bo Yang ,  Tchang-hun Oh ,  Brenda Dingle ,  William Roberts ,  Ilya Libenzon ,  Hong Choi ,  John Fan

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/20

CPC分类号： H01L27/153 ,  H01L33/20

摘要： An integrated light-emitting device includes multiple p-n diodes integrated monolithically on an insulating substrate. The p-n diodes are of monolithic semiconductor materials over the single substrate. The p-n diodes can be all light-emitting diodes or a combination of light-emitting and ESD-protection diodes. The p-n diodes may have at least one beveled sidewall to enhance light extraction out of the light-emitting diodes. A method for producing such integrated light-emitting device and a method for producing such p-n diode that includes at least one beveled sidewall are also disclosed.

摘要翻译： 集成发光器件包括整体地集成在绝缘衬底上的多个p-n二极管。 p-n二极管是单个衬底上的单片半导体材料。 p-n二极管可以是所有的发光二极管，也可以是发光和ESD保护二极管的组合。 p-n二极管可以具有至少一个倾斜的侧壁，以增强从发光二极管中的光提取。 还公开了一种用于制造这种集成发光器件的方法以及包括至少一个倾斜侧壁的这种p-n二极管的制造方法。