公开(公告)号：US20100103583A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12259216

申请日：2008-10-27

申请人： YI XIANG WANG ,  JUYING DOU ,  JUN JIANT ,  ZHENG FAN ,  QINGYU MENG

发明人： YI XIANG WANG ,  JUYING DOU ,  JUN JIANT ,  ZHENG FAN ,  QINGYU MENG

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0044 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/2008 ,  H01J2237/24564

摘要： An apparatus for increasing electric conductivity to a wafer substrate, when exposed to electron beam irradiation, is disclosed. More specifically, a methodology to breakdown the insulating layer on wafer backside is provided to significantly reduce the damage on the wafer backside while proceeding with the grounding process.

摘要翻译： 公开了当暴露于电子束照射时增加对晶片衬底的导电性的装置。 更具体地，提供了在晶片背面上击穿绝缘层的方法，以在继续进行接地工艺的同时显着减少晶片背面的损坏。