公开(公告)号：US20120276305A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13434520

申请日：2012-03-29

申请人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50

摘要： The present application relates to atomic layer deposition (ALD) processes for producing metal phosphates such as titanium phosphate, aluminum phosphate and lithium phosphate, as well as to ALD processes for depositing lithium silicates.

摘要翻译： 本申请涉及用于生产金属磷酸盐如磷酸钛，磷酸铝和磷酸锂的原子层沉积（ALD）方法，以及用于沉积硅酸锂的ALD工艺。

公开(公告)号：US20060196863A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US10533883

申请日：2003-11-12

申请人： Jani Hamalainen

发明人： Jani Hamalainen

IPC分类号： B23K9/28

CPC分类号： B23K9/122

摘要： The purpose of the invention is to provide a filler wire guide tube, wherein the feeding resistance of the wire is lower than earlier, the deposition of material on the inner surface is smaller and that is sufficiently stiff to prevent formation of sharp bends. These problems are solved so, that the guide tube is formed of a two-layered plastic material, wherein the shell layer is high density polyethylene and the inner layer forming the tube of the filler wire guide is polyethylene that has been doped at least with particulate polytetrafluoroethylene (PTFE).

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种填料线引导管，其中导线的馈电电阻低于早期，材料在内表面上的沉积更小并且足够坚硬以防止形成尖锐的弯曲。 解决这些问题的原因在于，导管由双层塑料材料形成，其中壳层是高密度聚乙烯，形成填料线导管管的内层是聚乙烯，该聚乙烯已至少掺杂有颗粒 聚四氟乙烯（PTFE）。

公开(公告)号：US20070014919A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11182734

申请日：2005-07-15

申请人： Jani Hamalainen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Jani Hamalainen ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45525

摘要： Electrically conductive noble metal oxide films can be deposited by atomic layer deposition (ALD)-type processes. In preferred embodiments, Re, Ru, Os and Ir oxides are deposited by alternately and sequentially contacting a substrate with vapor phase pulses of a noble metal precursor and an oxygen source. The noble metal precursor is preferably a betadiketonate compound and the oxygen source is preferably ozone or oxygen plasma. The deposition temperature may be less than about 200° C.

摘要翻译： 导电性贵金属氧化物膜可以通过原子层沉积（ALD）型工艺沉积。 在优选的实施方案中，通过交替地和顺序地使基底与贵金属前体和氧源的气相脉冲接触来沉积Re，Ru，Os和Ir氧化物。 贵金属前体优选为betadiketonate化合物，氧源优选为臭氧或氧等离子体。 沉积温度可以低于约200℃

公开(公告)号：US09315894B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13434520

申请日：2012-03-29

申请人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Jani Hamalainen ,  Jani Holopainen ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/50

摘要： The present application relates to atomic layer deposition (ALD) processes for producing metal phosphates such as titanium phosphate, aluminum phosphate and lithium phosphate, as well as to ALD processes for depositing lithium silicates.

摘要翻译： 本申请涉及用于生产金属磷酸盐如磷酸钛，磷酸铝和磷酸锂的原子层沉积（ALD）方法，以及用于沉积硅酸锂的ALD工艺。