公开(公告)号：US5288527A

公开(公告)日：1994-02-22

申请号：US795383

申请日：1991-11-21

申请人： Didier Jousse ,  Pablo Vilato ,  Jean-Claude Bruyere ,  Brigette Reynes

发明人： Didier Jousse ,  Pablo Vilato ,  Jean-Claude Bruyere ,  Brigette Reynes

IPC分类号： C03C17/22 ,  C23C16/34 ,  B05D3/06 ,  B05D5/12

CPC分类号： C23C16/345 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2218/153

摘要： A method for preparing silicon nitride films with improved properties and characterized by a limited concentration of hydrogen atoms, a high index of refraction, resistance to attack by a hydrofluoric solution, prevention of diffusion of alkalines and oxygen, and good dielectric properties such as optical gap. The process of preparation uses plasma CVD with ammonia. The invention can be applicable to flat screens, TFT transistors and functional glazings.

摘要翻译： 一种制备具有改进性能的氮化硅膜的方法，其特征在于有限的氢原子浓度，高的折射率，耐氢氟酸的侵蚀性，防止碱和氧的扩散，以及良好的介电性质如光学间隙 。 制备过程使用等离子体CVD与氨。 本发明可适用于平板屏幕，TFT晶体管和功能性玻璃。