公开(公告)号：US4830982A

公开(公告)日：1989-05-16

申请号：US59133

申请日：1987-06-04

申请人： Andrew G. Dentai ,  Charles H. Joyner, Jr. ,  Timothy W. Weidman ,  John L. Zilko

发明人： Andrew G. Dentai ,  Charles H. Joyner, Jr. ,  Timothy W. Weidman ,  John L. Zilko

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/207

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/207 ,  Y10S148/04 ,  Y10S148/041 ,  Y10S148/065 ,  Y10S148/11 ,  Y10S438/918

摘要： Semi-insulating epitaxial layers of Group III-V based semiconductor compounds are produced by a MOCVD process through the use of organic titanium-based compounds. Resistivities greater than 1.times.10.sup.7 ohm/cm have been achieved.

摘要翻译： 基于III-V族半导体化合物的半绝缘外延层通过使用有机钛基化合物的MOCVD工艺制备。 电阻率大于1×107欧姆/厘米。

公开(公告)号：US4782034A

公开(公告)日：1988-11-01

申请号：US58099

申请日：1987-06-04

申请人： Andrew G. Dentai ,  Charles H. Joyner, Jr. ,  Timothy W. Weidman ,  John L. Zilko

发明人： Andrew G. Dentai ,  Charles H. Joyner, Jr. ,  Timothy W. Weidman ,  John L. Zilko

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L29/207 ,  H01L21/285

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/207 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/056 ,  Y10S148/11 ,  Y10S438/918

摘要： Semi-insulating epitaxial layers of Group III-V based semiconductor compounds are produced by an MOCVD process through the use of bis arene titanium sources, such as cyclopentadienyl cycloheptatrienyl titanium and bis (benzene) titanium.

摘要翻译： 基于III-V族半导体化合物的半绝缘外延层通过使用双芳烃钛源（例如环戊二烯基环庚三烯基钛和双（苯）钛）的MOCVD工艺制备。

公开(公告)号：US4523961A

公开(公告)日：1985-06-18

申请号：US441365

申请日：1982-11-12

申请人： Robert L. Hartman ,  Louis A. Koszi ,  Richard S. Williams ,  John L. Zilko

发明人： Robert L. Hartman ,  Louis A. Koszi ,  Richard S. Williams ,  John L. Zilko

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H01S5/20 ,  H01L21/225 ,  H01S3/00 ,  H01S3/06

CPC分类号： H01L21/7605 ,  H01L21/2654 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2059 ,  Y10S148/084

摘要： A method of producing patternable resistive regions in III-V compound semiconductor devices and a resulting device structure having improved current characteristics. III-V semiconductor substrates are irradiated with inert ions to produce a resistive region therein. At least one epitaxial layer is grown over the substrate while maintaining the resistive characteristics within the substrate. A second resistive region is then formed in at least the top epitaxial layer. This second resistive region is aligned with the first one in order to minimize current spread through the device.

摘要翻译： 一种在III-V族化合物半导体器件中产生可图案化电阻区域的方法，以及所得的器件结构具有改善的电流特性。 用惰性离子照射III-V半导体衬底，以在其中产生电阻区域。 在衬底上生长至少一个外延层，同时保持衬底内的电阻特性。 然后在至少顶部外延层中形成第二电阻区。 该第二电阻区域与第一电阻区域对准，以便最小化通过该器件的电流扩散。